1. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors
Arbeitspunkteinstellung
Entwurf der Schaltung
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA
Jens Zimmermann
29. Oktober 2007
Jens Zimmermann Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA
2. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors
Arbeitspunkteinstellung
Entwurf der Schaltung
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Inhaltsverzeichnis
Einf¨hrung
u
1
angestrebte Eigenschaften
Auswahl des Transistors
2
Transistortechnologien
3 GaAs – Sperrschicht – Feldeffekt – Transistoren
Arbeitspunkte
Arbeitspunkteinstellung
3
Blockschaltbild
AP – Stabilisierung
Entwurf der Schaltung
4
HF–Eigenschaften des Transistors
Konzept
Induktive Gegenkopplung
Rauschanpassung am Eingang
Leistungsanpassung am Ausgang
parasit¨re Eigenschaften der Bauteile
a
Schaltplan
Leiterplattenentwurf
Auswertung und Erkenntnisgewinn
5
Vergleich von Messung und Simulation
Jens Zimmermann Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA
3. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors
Arbeitspunkteinstellung angestrebte Eigenschaften
Entwurf der Schaltung
Auswertung und Erkenntnisgewinn
angestrebte Eigenschaften
Betriebsspannung und
Stromaufnahme: 3,3 V ; ca. 10 mA
Mittenfrequenz und Bandbreite: 2,45 GHz; 100 MHz
Verst¨rkung und Verst¨rkungsgang:
a a > 15 dB; lineare Gruppenlaufzeit
Stabilit¨t:
a absolute Stabilit¨t im
a
Arbeitsfrequenzbereich
Rauschzahl: < 1 dB
< −9 dBm
Ausgangsleistung:
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4. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors Transistortechnologien
Arbeitspunkteinstellung 3 GaAs – Sperrschicht – Feldeffekt – Transistoren
Entwurf der Schaltung Arbeitspunkte
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Entwicklungsstand von
Kleinsignaltransistoren,
Stand 1997,(erg. 2006);
ZINKE-BRUNSWIG,
PHEMT 0,4 µm
Hochfrequenztechnik 2, 5.
Auflage
Jens Zimmermann Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA
5. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors Transistortechnologien
Arbeitspunkteinstellung 3 GaAs – Sperrschicht – Feldeffekt – Transistoren
Entwurf der Schaltung Arbeitspunkte
Auswertung und Erkenntnisgewinn
handels¨bliche Typen
u
F −1
M= 1
1 − Ga
Rauschparameter
Herstellerteilenummer Fmin [dB] Ga [dB] Γopt M
0,66∠48,6◦
ATF-351431 0,29 15,7 0,0710
0,90∠25,0◦
ATF-360772 0,30 22,1 0,0720
0,53∠60,7◦
NE3508M041 0,41 14,0 0,1031
1
Ids = 10 mA; Uds = 2,0 V ; f = 2,5 GHz
2
Ids = 10 mA; Uds = 1,5 V ; f = 2,0 GHz
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6. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors Transistortechnologien
Arbeitspunkteinstellung 3 GaAs – Sperrschicht – Feldeffekt – Transistoren
Entwurf der Schaltung Arbeitspunkte
Auswertung und Erkenntnisgewinn
ATF35143; Uds=2,0 V; f = 2,5 GHz
0.65 20
19.5
0.6
F opt
G max 19
0.55
18.5
0.5
F min [dB]
18
G max [dB]
0.45
17.5
0.4
17
0.35
16.5
0.3 16
0.25 15.5
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
I ds /Idss
Zusammenhang zwischen Rauschzahl Fmin , maximalem
¨
Ubertragungsgewinn Gmax und Drainstrom
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7. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors
Blockschaltbild
Arbeitspunkteinstellung
AP – Stabilisierung
Entwurf der Schaltung
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Blockschaltbild
H Ids = 10 mA und Uds = 2 V
H Ugs = −650 mV
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8. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors
Blockschaltbild
Arbeitspunkteinstellung
AP – Stabilisierung
Entwurf der Schaltung
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Arbeitspunktstabilisierung
DC–Ersatzschaltbild
Zusammenhang zwischen
Ids , Ugs und Uds
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9. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors
Blockschaltbild
Arbeitspunkteinstellung
AP – Stabilisierung
Entwurf der Schaltung
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Arbeitspunktstabilisierung
10,10 0,0
Ids.i
-0,2
Ugs
10,05
DC–Ersatzschaltbild -0,4
10,00
Ids.i; mA
Ugs; V
9.97 mA -0.618 V -0,6
Zusammenhang zwischen 9,95
-0,8
Ids , Ugs und Uds 9,90
-1,0
9,85 -1,2
1,990 1,994 1,998 2,002 2,006 2,010
Uds; V
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10. HF–Eigenschaften des Transistors
Konzept
Einf¨hrung
u
Induktive Gegenkopplung
Auswahl des Transistors
Rauschanpassung am Eingang
Arbeitspunkteinstellung
Leistungsanpassung am Ausgang
Entwurf der Schaltung
parasit¨re Eigenschaften der Bauteile
a
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Schaltplan
Leiterplattenentwurf
HF–Eigenschaften des Transistors
f = 2,5GHz
Ids = 10mA Uds = 2V
Stabilit¨tskreise in der
a
Eingangsimpedanzebene
Ga · · · Kreise konstanter Ver-
st¨rkung
a
F=0,4dB
F · · · Kreise konstanter
Ga=17,2dB F=0,5dB
Rauschzahl
Ga=16,7dB
F=0,6dB
Ga=16,2dB
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11. HF–Eigenschaften des Transistors
Konzept
Einf¨hrung
u
Induktive Gegenkopplung
Auswahl des Transistors
Rauschanpassung am Eingang
Arbeitspunkteinstellung
Leistungsanpassung am Ausgang
Entwurf der Schaltung
parasit¨re Eigenschaften der Bauteile
a
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Schaltplan
Leiterplattenentwurf
Konzept
‚ Einf¨gen einer induktiven
u
Gegenkopplung im
Source-Zweig, so daß
k>1
ƒ Rauschanpassung am
Eingang
„ Leistungsanpassung am
Ausgang
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12. HF–Eigenschaften des Transistors
Konzept
Einf¨hrung
u
Induktive Gegenkopplung
Auswahl des Transistors
Rauschanpassung am Eingang
Arbeitspunkteinstellung
Leistungsanpassung am Ausgang
Entwurf der Schaltung
parasit¨re Eigenschaften der Bauteile
a
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Schaltplan
Leiterplattenentwurf
Induktive Gegenkopplung
2
1pH
1.8
25pH
50pH
1.6
100pH
1.4 150pH
200pH
1.2
Stabilitätsfaktor
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
f [GHz]
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13. HF–Eigenschaften des Transistors
Konzept
Einf¨hrung
u
Induktive Gegenkopplung
Auswahl des Transistors
Rauschanpassung am Eingang
Arbeitspunkteinstellung
Leistungsanpassung am Ausgang
Entwurf der Schaltung
parasit¨re Eigenschaften der Bauteile
a
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Schaltplan
Leiterplattenentwurf
Reflexionsfaktor f¨r optimale Rauschzahl
u
mit LS = 150 pH
˜
Γopt = 0,644∠48,40◦
zum Vergleich:
Γopt = 0,660∠49,00◦
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14. HF–Eigenschaften des Transistors
Konzept
Einf¨hrung
u
Induktive Gegenkopplung
Auswahl des Transistors
Rauschanpassung am Eingang
Arbeitspunkteinstellung
Leistungsanpassung am Ausgang
Entwurf der Schaltung
parasit¨re Eigenschaften der Bauteile
a
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Schaltplan
Leiterplattenentwurf
˜
Transformation der 50 Ω–Quellenimpedanz in Γopt
A → B durch Serien-C
C geg.: C =12 pF
−1
X = ωC =−0,11jZ0
A
B B → C durch Serien-L
geg.: X =+1,83Z0
X
L= = 5,81 nH
ω
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15. HF–Eigenschaften des Transistors
Konzept
Einf¨hrung
u
Induktive Gegenkopplung
Auswahl des Transistors
Rauschanpassung am Eingang
Arbeitspunkteinstellung
Leistungsanpassung am Ausgang
Entwurf der Schaltung
parasit¨re Eigenschaften der Bauteile
a
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Schaltplan
Leiterplattenentwurf
Verst¨rker mit Rauschanpassung am Eingang
a
ΓL = 0,385∠ − 103,8◦
zum Vergleich:
S22 = 0,51∠ − 61.95◦
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16. HF–Eigenschaften des Transistors
Konzept
Einf¨hrung
u
Induktive Gegenkopplung
Auswahl des Transistors
Rauschanpassung am Eingang
Arbeitspunkteinstellung
Leistungsanpassung am Ausgang
Entwurf der Schaltung
parasit¨re Eigenschaften der Bauteile
a
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Schaltplan
Leiterplattenentwurf
Transformation der 50 Ω–Lastimpedanz in ΓL ∗
A→B durch Serien-C
geg.: C =3,5 pF
*
L
−1
X = ωC = −0,36Z0
C
A
B→C durch Parallel-L
B
1
geg.: B=+1,1 ·
L
Z0
1
L= = 2,89 nH
ωB
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17. HF–Eigenschaften des Transistors
Konzept
Einf¨hrung
u
Induktive Gegenkopplung
Auswahl des Transistors
Rauschanpassung am Eingang
Arbeitspunkteinstellung
Leistungsanpassung am Ausgang
Entwurf der Schaltung
parasit¨re Eigenschaften der Bauteile
a
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Schaltplan
Leiterplattenentwurf
Ersatzschaltbild
Widerstand
Kondensatoren
Jens Zimmermann Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA
18. HF–Eigenschaften des Transistors
Konzept
Einf¨hrung
u
Induktive Gegenkopplung
Auswahl des Transistors
Rauschanpassung am Eingang
Arbeitspunkteinstellung
Leistungsanpassung am Ausgang
Entwurf der Schaltung
parasit¨re Eigenschaften der Bauteile
a
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Schaltplan
Leiterplattenentwurf
Ersatzschaltbild
Widerstand
Kondensatoren
33 nH Spule
Jens Zimmermann Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA
19. HF–Eigenschaften des Transistors
Konzept
Einf¨hrung
u
Induktive Gegenkopplung
Auswahl des Transistors
Rauschanpassung am Eingang
Arbeitspunkteinstellung
Leistungsanpassung am Ausgang
Entwurf der Schaltung
parasit¨re Eigenschaften der Bauteile
a
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Schaltplan
Leiterplattenentwurf
Ersatzschaltbild
33nH Spule: LQW18AN33NG
100 140
0 120
-100 100
Widerstand -200 80
R [ Ω]
X [ Ω]
X
Kondensatoren R
-300 60
33 nH Spule
-400 40
-500 20
-600 0
0 2 4 6 8 10
f [GHz]
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20. HF–Eigenschaften des Transistors
Konzept
Einf¨hrung
u
Induktive Gegenkopplung
Auswahl des Transistors
Rauschanpassung am Eingang
Arbeitspunkteinstellung
Leistungsanpassung am Ausgang
Entwurf der Schaltung
parasit¨re Eigenschaften der Bauteile
a
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Schaltplan
Leiterplattenentwurf
Jens Zimmermann Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA
21. HF–Eigenschaften des Transistors
Konzept
Einf¨hrung
u
Induktive Gegenkopplung
Auswahl des Transistors
Rauschanpassung am Eingang
Arbeitspunkteinstellung
Leistungsanpassung am Ausgang
Entwurf der Schaltung
parasit¨re Eigenschaften der Bauteile
a
Auswertung und Erkenntnisgewinn
Schaltplan
Leiterplattenentwurf
‚ Aufbereitung der
Versorgungsspannung
Ž ƒ Arbeitspunktstabilisierung
„ Verst¨rkerschaltung
a
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22. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors
Arbeitspunkteinstellung Vergleich von Messung und Simulation
Entwurf der Schaltung
Auswertung und Erkenntnisgewinn
+j1,0
+j0,5 +j2,0
S11
+j0,2 +j5.0
S12
1,5 Ghz
∞
0,2
0,5
1,0
2,0
5,0
0,0
-j0,2 -j5,0
3 Ghz
-j0,5 -j2,0
-j1,0
Simulation
Messung
Jens Zimmermann Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA
23. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors
Arbeitspunkteinstellung Vergleich von Messung und Simulation
Entwurf der Schaltung
Auswertung und Erkenntnisgewinn
90
0,1
120 60
0,08
0,06
∞ 30
S11 150
3 Ghz
0,04
S12 0,02
S21
180 0
1,5 Ghz
210 330
240 300
270
Simulation
Messung
Jens Zimmermann Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA
24. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors
Arbeitspunkteinstellung Vergleich von Messung und Simulation
Entwurf der Schaltung
Auswertung und Erkenntnisgewinn
90 6
120 60
4
3 Ghz
S11 150 30
2
S12
1,5 Ghz
S21 180 0
S22
210 330
240 300
270
Simulation
Messung
Jens Zimmermann Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA
25. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors
Arbeitspunkteinstellung Vergleich von Messung und Simulation
Entwurf der Schaltung
Auswertung und Erkenntnisgewinn
+j1,0
+j0,5 +j2,0
S11
+j0,2 +j5,0
S12
1,5 Ghz
S21
0,2
0,5
1,0
2,0
5,0
∞
0,0
S22
Stabilit¨tsfaktor
a -j0,2 -j5,0
3 Ghz
-j0,5 -j2,0
-j1,0
Simulation
Messung
Jens Zimmermann Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA
26. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors
Arbeitspunkteinstellung Vergleich von Messung und Simulation
Entwurf der Schaltung
Auswertung und Erkenntnisgewinn
8
Simulation
7 Messung
S11 6
S12
5
S21
Stabilitätsfaktor 4
S22
Stabilit¨tsfaktor
a 3
Stabilit¨tskreise
a 2
1
0
1,4 2,4 5 10 15 18
f [GHz]
Jens Zimmermann Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA
27. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors
Arbeitspunkteinstellung Vergleich von Messung und Simulation
Entwurf der Schaltung
Auswertung und Erkenntnisgewinn
+j1,0
+j0,5 +j2,0
S11
S12 +j0,2 +j5,0
S21
∞
0,2
0,5
1,0
2,0
5,0
0,0
S22
Stabilit¨tsfaktor
a
-j0,2 -j5,0
Stabilit¨tskreise
a
Verst¨rkung und
a
Rauschzahl -j0,5 -j2,0
Stab.-Kreis f. d. Eingang
-j1,0
Stab.-Kreis f. d. Ausgang
Jens Zimmermann Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA
28. Einf¨hrung
u
Auswahl des Transistors
Arbeitspunkteinstellung Vergleich von Messung und Simulation
Entwurf der Schaltung
Auswertung und Erkenntnisgewinn
3 15
Rauschzahl
S11 2,5 14
Gewinn
S12 2 13
S21
G [dB]
F [dB]
1,5 12
S22
Stabilit¨tsfaktor
a 1 11
Stabilit¨tskreise
a 0,5 10
Verst¨rkung und
a
0 9
Rauschzahl 0,5 1 1,5 2 2,5 3
f [GHz]
Jens Zimmermann Entwurf, Aufbau und Erprobung eines LNA