1. Practico…….
Características de entrada de un transistor bipolar.
Objetivos
Medir las características de corriente de base (I be) en
función de la tensión de la base –emisor (Vbe),
manteniendo constante la tensión colector-emisor del
BJT.
Fundamentación
Básicamente el dispositivo es un componente de tres
terminales conocido como transistor bipolar o BJT,
que significa transistor de juntura bipolar.
Posee tres electrodos denominados base, colector y
emisor.
Dependiendo cuál de estos electrodos sirve como
referencia tanto para la entrada como la salida, pasa
denominarse común; así el que trataremos aquí va a
ser de emisor común.
En la figura nro. 1, tenemos una explicación elemental
para los dos tipos de transistores que existen
denominados NPN y PNP.
El significado de esta notación se
debe a los
materiales que constituyen las “junturas” o partes que
lo forman. Hoy el más común es el transistor de silicio,
pero existen otros, dependiendo de la técnica de
construcción del material semiconductor básico que lo
forma y de las impurezas que se utilizan para
formarlas junturas.
Su funcionamiento se basa en el control de las
corrientes de los distintos electrodos. Esto significa
que es un dispositivo controlado exclusivamente por
corriente.

2. En nuestro caso veremos como la corriente de entrada
hace que la caída de tensión en el terminal de entrada
lo haga entre cierto margen.
La caída de tensión entre los terminales de entrada ,
base y emisor es una característica propia del circuito
formado
entre la base y el emisor, actuando
similarmente como un diodo polarizado directamente,
sólo que en el transistor esta corriente regula la
corriente de la juntura colector- emisor, ésta propiedad
lo hace adecuado para la manipulación de corrientes y
con resistores( o elementos reactivos conectados en
sus electrodos) , lo que mediante la caída de tensión
que se provoca en los mismos , se pueda amplificar
tensiones , y sirva como elemento activo como
amplificador y también oscilador, y otras aplicaciones
electrónicas.
Básicamente junto a los diodos forman la constitución
de los modernos circuitos integrados.
Mecanismo de conducción de corriente
transistor bipolar
en el
Físicamente el transistor se compone de tres partes
como ya dijimos, siendo la región de la base muy
estrecha, lo que hace que la misma esté muy
íntimamente ligada con las dos junturas restantes del
colector y el emisor.
En la fig 2 , vemos que la fuente de tensión VBB
polariza directamente la unión pn base-emisor, lo que
da lugar a que el emisor inyecte electrones en el
material tipo P de la base. La mayoría de los
electrones atraviesan la estrecha región de la base;
cruzan la segunda unión y llegan a la región N
polarizada positivamente, que constituye el colector.
Un reducido porcentaje
de estos electrones
alrededor del uno por ciento ,son capturados por la
base. Los huecos de la base van hacia el emisor.
Mientras la unión base- emisor representa un diodo
directamente polarizado, con sus propiedades
características de baja impedancia y baja caída de

3. tensión, la unión de colector- base, está inversamente
polarizado, debido al signo de la tensión VCC. Esta
unión constituye en esencia un diodo inversamente
polarizado y la impedancia entre colector y base es
muy elevada.
Al aplicar en la figura 2, la ley de kirchhoff para
tensiones (KVL) a la malla base- emisor, la corriente
de emisor resulta ser:
IE = (VBB-VBE)/ RE, donde VBE es la tensión en la
unión
base emisor directamente polarizada. La
dependencia
de la unión base-colector a
temperaturas de trabajo normales, son pequeñas y a
menudo se las desprecia, aunque en condiciones de
análisis más exactos, o para determinadas
condiciones de exigencia, se tienen en cuenta.
Figura 1
Se muestran las corrientes y su sentido dependiendo
del tipo de transistor.
En los dos modelos la suma de la corriente total
aparece en el circuito de la juntura de emisor.

4. FIg2
RE
Se muestra la circulación de las corrientes para
un transistor npn, y el resistor regulador (RE) es el
que fija la máxima corriente que el dispositivo va
a manejar y es además el responsable por la
estabilidad térmica del circuito.
Componentes e instrumental
*Panel de conexiones
*Potenciómetro de 200 ohms
*Transistor BD 130
*Resistor de 470 ohms 2 Watts,
*Resistor de 1KΩ,por 1 Watt.
*2 polímetros
*Fuente de alimentación de corriente continua.
*Clavijas para puentes.

5. *Cables de conexión.
Circuito eleéctrico
Diagrama esquemático del circuito de prueba, mostrado en el
simulador de circuitos cocodrile clip versión 3.5
Procedimiento
*Realizar el montaje de acuerdo al circuito.
*Ajustar la fuente en 12 voltios y ajustando el
potenciómetro se incrementará la tensión en pasos de
0,1 volt aproximadamente como lo permita la variación
del potenciómetro hasta llegar a 0,7 voltios.
*Repetir lo mismo para 6 voltios de tensión de fuente.

6. *Se medirá la corriente de base Ib para cada uno de
los valores hallados de Vbe , tabulando los resultados.
Datos de los ensayos
Tablas de
datos
Tabla 1
primera medición
12voltios
Vbe
(voltios)
Ib/mA.
0.7
0.01
0.83
0.015
0.97
0.02
1.1
0.025
Segunda
medición
Vbe
(voltios)
0.5
0.54
0.57
0.59
0.01
0.015
0.02
0.025
Tabla 2
6voltios
Ib/mA.
1.24 1.38 1.47
0.03 0.035 0.038
0.62
0.64
0.66 0.69 0.7
0.025 0.035
0.04 0.05 0.1
Estas tablas se analizarán con el programa graph,
para el trazado de las curvas de entrada del transistor.

7. Graficas
Grafica 1
Curva de entrada para 12 voltios
Se nota en la gráfica que a medida que aumenta la
tensión por arriba de 0.7 voltios , la corriente crece en
forma lineal.

8. Grafica 2
Curva de entrada para 6 voltios

9. A medida que la tensión se ultrapasa de 0.66 voltios la
corriente empieza a aumentar de forma exponencial,
creciendo siguiendo la curva.
Conclusión
La configuración de emisor común como se denomina,
es esta la configuración que usamos en la de conexión del
circuito, es el más frecuente de encontrar en la mayoría de
las aplicaciones de los transistores, sean NPN o PNP;
denominándose así por ser común el terminal del Emisor
a los otros dos, a la Base y al Colector.
Se nota una cierta curvatura a medida que la tensión
y la corriente crecen, a partir de una cierta tensión de
umbral, en nuestro caso 0,5 voltios,
La conclusión es que la tensión de encendido es la
que define región activa entre base y emisor del transistor,
donde el comportamiento depende también de la corriente
y de esta tensión de umbral del material semiconductor .Esto
hace la característica de entrada del dispositivo. En nuestro
ensayo fue empleado un transistor de silicio.
Informe:I.Imperial

10. A medida que la tensión se ultrapasa de 0.66 voltios la
corriente empieza a aumentar de forma exponencial,
creciendo siguiendo la curva.
Conclusión
La configuración de emisor común como se denomina,
es esta la configuración que usamos en la de conexión del
circuito, es el más frecuente de encontrar en la mayoría de
las aplicaciones de los transistores, sean NPN o PNP;
denominándose así por ser común el terminal del Emisor
a los otros dos, a la Base y al Colector.
Se nota una cierta curvatura a medida que la tensión
y la corriente crecen, a partir de una cierta tensión de
umbral, en nuestro caso 0,5 voltios,
La conclusión es que la tensión de encendido es la
que define región activa entre base y emisor del transistor,
donde el comportamiento depende también de la corriente
y de esta tensión de umbral del material semiconductor .Esto
hace la característica de entrada del dispositivo. En nuestro
ensayo fue empleado un transistor de silicio.
Informe:I.Imperial