TRANSISTORES

1. OLIVER ANTONIO PALO CHAVEZ

4. • Qué son los Transistores: Definición
• Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o más electrodos. Los tres electrodos principales
son emisor, colector y base. La conducción entre estos electrodos se realiza por medio de
electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los materiales más frecuentemente utilizados para
la fabricación de los elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar prácticamente
todas las funciones de los antiguos tubos electrónicos, incluyendo la ampliación y la rectificación,
con muchísimas ventajas.
• Elementos de un transistor o transistores:
• El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material
tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama
transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
• • EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es la equivalente
al CATODO en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
• •BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA
cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
• •COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la
equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.

5. • Tipos de transistores segun fabricación
• Existen millares de tipos de transistor,
pertenecientes a numerosas familias de
construcción y uso. Las grandes clases de
transistores, basadas en los procesos de
fabricación son:

6. • Transistores de punta de contacto: El
transistor original fue de esta clase y consistía
en electrodos de emisor y colector que
tocaban un pequeño bloque de germanio
llamado base.El material de la base podía ser
de tipo N y del tipo P y era un cuadrado de
0.05 pulgada de lado aproximadamente. A
causa de la dificultad de controlar las
características de este frágil dispositivo, ahora
se le considera obsoleto.

7. • Transistor de unión por crecimiento: Los cristales de esta
clase se obtienen por un proceso de "crecimiento"
partiendo de germanio y de silicio fundidos de manera que
presenten uniones muy poco separadas embebidas en la
pastilla.El material de impureza se cambia durante el
crecimiento del cristal para producir lingotes PNP o NPN,
que luego son cortados para obtener pastillas individuales.
Los transistores de unión se pueden subdividir en tipos de
unión de crecimiento, unión de alineación y de campo
interno. El transistor del último tipo es un dispositivo de
unión de alineación en que la concentración de impurezas
que está contenida dentro de una cierta región de la base a
fin de mejorar el comportamiento en alta frecuencia del
transistor.

8. • Transistor de unión difusa: Esta clase de
semiconductor se puede utilizar en un margen
más amplio de frecuencias y el proceso de
fabricación ha facilitado el uso de silicio en vez
de germanio, lo cual favorece la capacidad de
potencia de la unidad. Los transistores de
unión difusa se pueden subdividir en tipos de
difusión única (hometaxial), doble difusión,
doble difusión planar y triple difusión planar.

9. • Transistores epitaxiales: Estos transistores de
unión se obtienen por el proceso de
crecimiento en una pastilla de semiconductor
y procesos fotolitográficos que se utilizan para
definir las regiones de emisor y de base
durante el crecimiento. Las unidades se
pueden subdividir en transistores de base
epitaxial, capa epitaxial y sobrecapa (overlay).

10. • Transistores de efecto de campo: El transistor de efecto de campo de
unión (JFET), o transistor unipolar, fue descubierto en 1928, pero hasta
1958 no se construyó el primer transistor práctico de efecto de campo. Se
puede considerar a este dispositivo como si fuese una barra, o canal, de
material semiconductor de silicio de cualquiera de los tipos N o P. En cada
extremo de la barra se establece un contacto óhmico, que representa un
transistor de efecto de campo tipo N en su forma más sencilla. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material N (desde los extremos
opuestos del canal N) y se conectan externamente entre sí, se produce
una puerta o graduador. Un contacto se llama surtidor y el otro drenador.
Si se aplica una tensión positiva entre el drenador y el surtidor y se
conecta la puerta al surtidor, se establece una corriente. Esta corriente es
la más importante en un dispositivo de efecto de campo y se le denomina
corriente de drenador con polarización cero (IDSS).Finalmente, con un
potencial negativo de puerta denominado tensión de estrangulamiento
(pinch-off) cesa la conducción en el canal.

11. • Las técnicas de fabricación, las aplicaciones a que son destinados y
las restricciones a que están sometidos dan por resultado una
multitud de tipo de transistores, la mayoría de los cuales
pertenecen a los grupos generales que acabamos de mencionar. Por
otra parte, los transistores pueden ser agrupados en familias dentro
de las cuales cada uno de sus miembros es un tipo único, pero
entre ellos se pueden establecer sutiles diferencias en cuanto a la
aplicación, ganancia, capacidad, montaje, caja o cápsula envolvente,
terminales, características de tensión de ruptura, etc. Además, el
estado actual de la técnica permite tener en cuenta los parámetros
del transistor en el diseño para que se adapten a los diversos
equipos en condiciones de economía, en vez de diseñar el equipo
basándose en los tipos disponibles de transistor. Esto da lugar a que
gran número de equipos de transistores tengan características
generales casi idénticas.

12. GRACIAS