1. Polovodičové paměti
MIKROPROCESOROVÁ TECHNIKA
VOŠ pro praxi
reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044

2. 7.1.2013
POLOVODIČOVÉ PAMĚTI
 RAM (Random Access Memory)paměti
s libovolným přístupem
 SAM (Seriál Access Memory)paměti se
sériovým přístupem
 paměti se speciálním přístupem k paměťové
buňce:
VOŠ pro praxi 2
reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044

3. 7.1.2013
POLOVODIČOVÉ PAMĚTI
 paměť LIFO (Last In First Out) - typu
zásobník = sklípková, první dovnitř, poslední
ven
 Paměť FIFO (First In First Out) typu fronta –
první ven první dovnitř
VOŠ pro praxi 3
reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044

4. 7.1.2013
POLOVODIČOVÉ PAMĚTI
 paměti RWM (Read Write Memory) - čtení i
zápis za provozu, nevýhoda
jsou „volatilní“(volatile) = při vypnutí napájení
se ztrácí data
 paměti ROM (Read Only Memory) - pouze
ke čtení,„nevolatilní“(unvolatile) = data při
výpadku se neztrácí

VOŠ pro praxi 4
reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044

5. 7.1.2013
POLOVODIČOVÉ PAMĚTI
 paměti PROM (Programable ROM) - jednou
programovatelné (OTP)
 paměti EPROM (Errassable PROM)- mazatelné
ultrafialovým zářením, programovatelná
elektricky, má okénko
 paměti EEPROM (Electrically EPROM)
=EAPROM = E2PROM ,programovatelná a
mazatelná elektrickým signálem (1000x)
VOŠ pro praxi 5
reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044

6. 7.1.2013
POLOVODIČOVÉ PAMĚTI
 Statické - p.b. tvořena bistabilním KO – data
není potřeba obnovovat SRAM (Static RAM)
 Dynamické - p.b. je tvořena parazitní
kapacitou řídící elektrody tranzistoru
MOSFET – data je potřeba pravidelně
obnovovat speciálními obvody
„refresh“ DRAM (Dynamic RAM)
VOŠ pro praxi 6
reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044

7. 7.1.2013
POLOVODIČOVÉ PAMĚTI
 Bipolární - TTL - rychlé, jediné napájení,
vysoký logický zisk a vysoká ,rychlost
(Schottkyho diody) , ECL - Emitor Coupled
Logic - velmi rychlé
 Unipolární - základ tranzistor řízený polem
MOS s různými typy kanálů - vysoká hustota
integrace
VOŠ pro praxi 7
reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044

8. 7.1.2013
POLOVODIČOVÉ PAMĚTI
VOŠ pro praxi 8
reg. č.: CZ.1.07/2.1.00/32.0044