Los transistores son dispositivos semiconductores que permiten el control y regulación de una corriente grande mediante una señal pequeña. Existen varios tipos de transistores como BJT, MOSFET, JFET y HBT que se utilizan principalmente para amplificación, conmutación, detección y generación de señales. Cada tipo tiene una estructura y funcionamiento distinto determinado por la disposición y tipo de materiales semiconductores utilizados.

1. TRANSISTORES
José Miguel Escobedo Delgado

2. Definicion
• Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el
diseño de circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y
facilidad de control.
• Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una
corriente grande mediante una señal muy pequeña.
• Dispositivo semiconductor que tiene dos o mas electrodos
• Los tres electrodos principales son emisor, colector y base.
• La conducción entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y
huecos.
• Generalmente se suelen usar al germanio y al silicio como materiales
semiconductores.

3. Aplicaciones
• Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
• Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
• Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)
• Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de
alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de
impulsos PWM)
• Detección de radiación luminosa (fototransistores).
• Es un dispositivo semiconductor de tres capas, que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo p, o bien de dos capas de material p y una tipo
n, al primero se le llama transistor NPN , en tanto que el segundo transistor
PNP .

4. Elementos
• EMISOR: Que emite los portadores de corriente(huecos o electrones) cátodo. Su labor es equivalente al
cátodo, en los tubos de vacío o lámparas electrónicas.
• BASE :Que controla el flujo de los portadores de corriente(rejilla cátodo). Su labor es equivalente a la
rejilla cátodo, en los tubos de vacíos o lámparas electrónicas.
• COLECTOR: Que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es equivalente a la
placa en los tubos de vacío o lámparas electrónicas.

5. TRANSISTOR MOSFET
• Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET
de canal N y el PNP es llamado MOSFET
• Son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción.
• Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales
se construyen con la tecnología MOS.
• La corriente que fluye por el transistor ingresa por el surtidor(fuente),este la conduce por un
sustrato(región tipo p)que es un canal angosto hasta llegar al drenador(tipo n).
• A la izquierda, hay una compuerta metálica llamada graduador(aislante).por ser aislante la corriente en el
graduador es despreciable.

6. • Los transistores MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a
que la capa de óxido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay electricidad
estática.
• El transistor Mosfet efectúa el proceso anterior,VDD conduce los electrones del surtidor al drenador a la
izquierda del sustrato tipo p.
• La tensión del graduador puede regular la corriente que pasa por el canal.

7. TRANSISTOR JFET
• Transistor de efecto de campo de juntura o unión.
• Llamado transistor unipolar, fue el primer transistor de efecto de campo en la practica.
• La forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo n o p
• En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo n de la mas básica.

8. TRANSISTOR MOSFET
• MESFET significa transistor metálico semiconductor de efecto de campo.
• Es muy similar a un JFET en la construcción y terminología. La diferencia es que en lugar de utilizar
una unión pn para una puerta, una Schottky ( de metal - semiconductor ) unión se utiliza.
• MESFET se construyen normalmente en las tecnologías de semiconductores compuestos que
carecen de pasivación de alta calidad de la superficie, tales como Ga, As , InP , o Si, C , y son más
rápidos pero más caros que los basados en silicio JFET o MOSFET .
• MESFET de producción son operados hasta aproximadamente 45 GHz, y se utilizan comúnmente
para microondas de frecuencia de comunicaciones y de radar .
• El MESFET difiere de la puerta común aislada FET o MOSFET en que no hay aislante debajo de la
puerta sobre la región de conmutación activa. Esto implica que la puerta debe MESFET, en el modo
de transistor, estar sesgada de tal manera que uno no tiene un diodo semiconductor de metal hacia
delante en lugar de la realización de una zona de agotamiento invertida sesgada controlar el canal
subyacente. Si bien esta restricción inhibe ciertas posibilidades de circuito.

9. TRANSISTOR BJT
• Es un tipo de transistor que se basa en el contacto de dos tipos de semiconductores para su
funcionamiento. BJT puede ser utilizado como amplificadores , conmutadores o en osciladores .
BJT se pueden encontrar ya sea como componentes individuales discretos, o en grandes cantidades
como partes de circuitos integrados .
• El flujo de carga en un BJT es bidireccional debido a la difusión de los portadores de carga a través
de una unión entre dos regiones de diferentes concentraciones de carga. Las regiones de un BJT se
denominan emisor, colector y base.
• Transistor bipolar de unión.
• El termino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de
inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.

10. TRANSISTOR HBT Y HEMT
• Son utilizados hoy dia en la realización de osciladores y amplificadores en el rango de frecuencias de
microondas, debido a que la presencia de una heterounión en su constitución permite realizar un mayor
dopaje de la base, lo que conduce a una reducción de la resistencia de ésta sin degradar la ganancia.
• Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras HETEROJUCTION BIPOLAR TRANSISTOR(BIPOLAR
DE HETEROESTRUCTURA) y HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR(de alta movilidad)
• Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinación de diferentes componentes, con distintos
salto de banda prohibida.