El transistor es un dispositivo semiconductor que amplifica señales y se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos. Existen varios tipos de transistores, incluyendo los transistores JFET, MOSFET, IGBT y de unión bipolar, los cuales varían en su estructura, funcionalidad y aplicaciones, pero todos cumplen funciones como amplificación, conmutación u oscilación.
2. El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado
para producir una señal de salida en respuesta a otra señal de
entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador
o rectificador.
El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer
resistor (resistencia de transferencia).
Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos
electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de
audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas
fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc.
3. TRANSISTOR JFET
Los valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la
tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este
valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se
simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas:
corte, óhmica y saturación.
Está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos
extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada
por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos
terminales conectados entre sí (puerta).
4.
5. TRANSISTOR MOSFET
Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica.
Es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador
(D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está
conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se
pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros
transistores de efecto de campo.
6.
7. TRANSISTOR IGBT
Es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y ha
sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
Usado en aplicaciones de alta y media energía como fuente
conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene
la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de
la corriente de base para mantenerse en conducción.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión.
La tensión de control de puerta es de unos 15 V.
8.
9. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos).
Está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha.
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en
directa, mientras que la base-colector en inversa.
El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado
de saturación y estado de actividad.
10.
11. TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO FET
Se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un
"canal" en un material semiconductor.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y
fuente (source).
Es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P.
Comprende
los
MOSFET, JFET, MESFET, HEMT, MODFET, IGBT, FREDFET, DNAT, et
c.
