Transitores

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2. Transistor
JEFT
El transistor JFET (Junction Field Efect
Transistor, que se traduce como
transistor de efecto de campo) es un
dispositivo electrónico activo
unipolar.
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3. FUNCIONAMIENTO BÁSICO
Tienen tres terminales, denominadas
puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal
equivalente a la base del BJT. El transistor
de efecto de campo se comporta como un
interruptor controlado por tensión, donde
el voltaje aplicado a la puerta permite
hacer que fluya o no corriente entre
drenador y fuente.
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4. CARACTERÍSTICAS
Este tipo de transistor se polariza de
manera diferente al transistor
bipolar. La terminal de drenaje se
polariza positivamente con respecto
al terminal de fuente (Vdd) y la
compuerta se polariza
negativamente con respecto a la
fuente (-Vgg).
Al hacer un barrido en corriente
directa, se obtienen las curvas
características del transistor JFET. Las
curvas características típicas para
estos transistores se encuentran en
la imagen, nótese que se distinguen
tres zonas importantes: la zona
óhmica, la zona de corte y la zona de
saturación.
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5. Transistor
MOSFET
Son las siglas de Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de
campo basado en la estructura MOS. Es
el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica. La práctica totalidad de
los circuitos integrados de uso comercial
están basados en transistores MOSFET.
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6. FUNCIONAMIENTO
Un transistor MOSFET consiste en un
sustrato de material semiconductor
dopado en el que, mediante técnicas
de difusión de dopantes, se crean dos
islas de tipo opuesto separadas por un
área sobre la cual se hace crecer una
capa de dieléctrico culminada por una
capa de conductor.
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7. CARACTERÍSTICAS
Existen dos tipos de transistores
MOS:
• MOSFET de canal N o NMOS
y
• MOSFET de canal P o PMOS.
A su vez, estos transistores
pueden ser de acumulación
(enhancement) o deplexion
(deplexion); en la actualidad los
segundos están prácticamente
en desuso y aquí únicamente
serán descritos los MOS de
acumulación también conocidos
como de enriquecimiento.
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8. Transistor
FETUn transistor de efecto campo (FET)
típico está formado por una barrita
de material p ó n, llamada canal,
rodeada en parte de su longitud por
un collar del otro tipo de material
que forma con el canal una unión p-
n.
En los extremos del canal se hacen
sendas conexiones óhmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain)
y fuente (s-source), más una
conexión llamada puerta (g-gate) en
el collar.
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9. FUNCIONAMIENTO
Entre las zonas de funcionamiento están:
• ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona
el transistor se comporta como una
resistencia variable dependiente del
valor de VGS. Un parámetro que
aporta el fabricante es la resistencia
que presenta el dispositivo para VDS=0
(rds on), y distintos valores de VGS.
• ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona
es donde el transistor amplifica y se
comporta como una fuente de
corriente gobernada por VGS
• ZONA DE CORTE: La intensidad de
drenado es nula (ID=0).
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10. CARACTERÍSTICAS
Puesto que hay una tensión positiva entre el
drenador y el surtidor, los electrones fluirán
desde el surtidor al drenador (o viceversa
según la configuración del mismo), aunque hay
que notar que también fluye una corriente
despreciable entre el surtidor (o drenador) y la
puerta, ya que el diodo formado por la unión
canal – puerta, esta polarizado inversamente.
En el caso de un diodo polarizado en sentido
inverso, donde inicialmente los huecos fluyen
hacia la terminal negativa de la batería y los
electrones del material N, fluyen hacia el
terminal positivo de la misma. Lo
anteriormente dicho se puede aplicar al
transistor FET, en donde, cuando se aumenta
VDS aumenta una región con
empobrecimiento de cargas libres
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11. Transistor bipolar de
unión (BJT)
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar
Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un
dispositivo electrónico de estado sólido
consistente en dos uniones PN muy cercanas entre
sí, que permite controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales. La denominación de
bipolar se debe a que la conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número
de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
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12. FUNCIONAMIENTO
En una configuración normal, la
unión emisor-base se polariza en
directa y la unión base-colector en
inversa. Debido a la agitación
térmica los portadores de carga del
emisor pueden atravesar la barrera
de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prácticamente
todos los portadores que llegaron
son impulsados por el campo
eléctrico que existe entre la base y
el colector.
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13. CARACTERÍSTICAS
Un transistor de unión bipolar
consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la
región del emisor, la región de
la base y la región del colector.
Estas regiones
son, respectivamente, tipo
P, tipo N y tipo P en un PNP, y
tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. Cada región del
semiconductor está conectada
a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector
(C), según corresponda.
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14. Transistor
MESFETMESFETMESFET significa transistor
de efecto de campo de metal
semiconductor . Es muy similar aun
JFET en la construcción y
terminología. La diferencia es que en
lugar de utilizar una unión pn para
una puerta, una Schottky ( de metal -
semiconductor ) unión se utiliza.
MESFET se construyen normalmente
en las tecnologías de
semiconductores compuestos que
carecen de pasivación de alta calidad
de la superficie.
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15. CARACTERÍSTICAS
Numerosas posibilidades de fabricación MESFET
se han explorado para una amplia variedad de
sistemas de semiconductores. Algunas de las
principales áreas de aplicación son:
• Comunicaciones militares
• Como amplificador de ruido bajo extremo
delantero de los receptores de microondas en
los dos militares de radar y dispositivos de
comunicación.
• Comercial optoelectrónica
• Comunicaciones por satélite
• Como amplificador de potencia para la etapa de
salida de los enlaces de microondas.
• Como un oscilador de potencia.