SlideShare ist ein Scribd-Unternehmen logo
1 von 22
OLEH: FAJAR FAUZI HAKIM (13305053)

           PEMBIMBING:
         IR. HERMAWAN K.
     DIPOJONO, MSEE.,PH.D.,
     DR. IR. NUGRAHA, M. ENG.
H2O


                         H
      CO2
tidak ramah lingkungan



                             hanya UV
                             3% dari



                         2
SEMIKONDUKTOR FOTOKATALIS
+                                   -
      PITA KONDUKSI                          DISOSIASI MOLEKUL AIR
                                             (Watersplitting)
                                     0V




                               V vs NHE
                                             Oksidasi O2/H2O:        2H2O +4h+O2+4H+
             band gap
                                             Potensial > +1.23 V
             (Eg)= 3 eV
eV




                                    1,23 V
                                             Reduksi H+/H2 :         2H+ + 2e-  H2
                  photon                     Potensial < 0 V

                                             2H2O + 4hv  2H2 + O2

                                      3V
                                           MASALAH
     e+
     h-     e+
            h-   e+
                 h-       e+
                          h-
-                                  +
          PITA VALENSI
     TITANIUM DIOKSID
        FASA RUTILE
Ketidakmurnian logam  tingkat energi
  +                                 -
       PITA KONDUKSI                         ketidakmurnian
                                             Ketidakmurnian non-logam
                                     0V
                                             Modifikasi permukaan




                               V vs NHE
                                                +                             -
              Eg = 3 eV
                                                     PITA KONDUKSI
 eV




                                                                                      MENCEGAH
                                    1,23 V                                           REKOMBINASI
              Fermi level                            ELECTRON TRAP
                                                                                      ELEKTRON
                                                                               0V




                                                                          V vs NHE
                                                         Eg = 2,7 - 1,35 eV
                                                                                         SESUAI


                                               eV
                                                         Fermi level                     ENERGI
                                                                               1,23 V   CAHAYA
                                      3V                                                TAMPAK
      e+
      h-     e+
             h-   e+
                  h-      e+
                          h-
 -                                 +                e+
                                                    h-   e+
                                                         h-   e+
                                                              h-     e+
                                                                     h-
           PITA VALENSI
                                     -       PITA VALENSI       +
     TITANIUMyang ingin dipecahkan pada penelitian ini adalah bagaimana membuat
Permasalahan   DIOKSID
        FASA RUTILE                             IDEAL
   suatu simulasi ab initio untuk material semikonduktor TiO2 fasa rutile dengan
           ketidakmurnian Nitrogen sebagai fotokatalis waterspliting.
Melakukan pemodelan dan melakukan simulasi ab initio
material photocatalyst TiO2 dengan variasi ketidakmurnian N

Mempelajari density of states (DOS) & struktur pita elektronik
untuk menghitung band gap serta mempelajari posisi state dari
ketidakmurnian

Melakukan analisis mekanisme water splitting pada
photocatalyst TiO2 dengan variasi ketidakmurnian N




Metode simulasi: GGA-DFT (Generalized Gradient
Approximations - Density Functional Theory)
Software: Quantum ESPRESSO 4.2.0
TiO2 fasa rutile berstruktur kristal tetragonal
Melihat karakteristik elektronik (struktur pita elektronik & DOS)
Melihat perubahan band gap dan pita valensi dan konduksi
terhadap TiO2 murni
Persiapan parameter input
(pemodelan & optimalisasi
        struktur)


    Simulasi karakter
         elektronik
   (scf, band, nscf, dos)

Plot grafik struktur pita
   elektronik & DOS
Rutile stabil, bandgap kecil

1 unit cell=4 atom O; 2 atom Ti

Model simulasi:
Supercell 2 x 2 x 2 (48 atom)

6 model struktur pada simulasi:
• Murni
• O vacancy
• N Subtitusi O
• N interstitial
• N interstitial + O vacancy
• N interstitial + N Subtitusi O                           Posisi N subtitusi O
                                                           dan O vacancy
                                   Posisi N Interstitial
+

                                   PITA KONDUKSI
eV vs Fermi level




                                                                   TINGKAT ENERGI
                                        ELECTRON TRAP
                              Eg Fermi level                       KETIDAKMURNIAN
                         e-               e-             e-
                    e-             e-               e-        e-
                                    PITA VALENSI

-




                              Mengkonfirmasi letak
                                     tingkat energi
                                   ketidakmurnian
Hasil: 1,63 eV
               Ref. : 1,88 eV [K. Yang et al.]
1,63 eV
               Eksperimen: 3 eV [J. Pascual et al.]
          Ef

               PK min (Pita konduksi minimum): 0,825
               PV max (Pita valensi minimum): -0,805
                 K. Yang, Y. Dai, and B. Huang, “Understanding
               hasil ≠ eksperimen  P-Doped TiO2
                Photocatalytic Activity of S- and
               approksimasi DFT First-Principles,” J.
                under Visible Light from
                 Phys. Chem., 111, pp. 18985-18994, 2007.




            Perubahan band gap & Perubahan
            posisi pita konduksi dan valensi
           K. Yang, Y. Dai, B. Huang, and hasil simulasi
            terhadap TiO2 murni S. Han, “Theoretical
           Study of N-Doped TiO2 Rutile Crystals,” J. Phys.
           Chem., 110, pp. 24011-24014, 2006.
Band gap: 1,84 eV
                         PK min: 0,1
                         PV max: -2,04

                         Band gap: 1,63 eV
                         PK min: 0,825
                    Ef   PV max: -0,805
2,14 eV   1,84 eV
Band gap: 2,29 eV
                                                       PK min: 1,75
                                                       PV max: -0,54

                                                       Band gap: 1,63 eV
                                        1,76 eV        PK min: 0,825
   2,29 eV
                                                  Ef   PV max: -0,805
    0,53 eV




For rutile,the N 2p states extend about 0,4 eV into the band gap
from the VB maximum. [Batzill et al.]
Band gap: 2,49 eV
                                                 PK min: 1,85
                                                 PV max: -0,64

                                                 Band gap: 1,63 eV
          2,005 eV
1,64 eV                                          PK min: 0,825
           0,595 eV     2,49 eV   2,12 eV
              1,08 eV                       Ef   PV max: -0,805
Band gap: 2,215 eV
                                     PK min: 0,11
                                     PV max: -2,105

                                     Band gap: 1,63 eV
                                     PK min: 0,825
                                Ef   PV max: -0,805
1,05 eV    1,02 eV
2,215 eV   2,185 eV   0,88 eV
Band gap: 2,47 eV
                               PK min: 1,81
                               PV max: -0,66


      1,91 eV                  Band gap: 1,63 eV
 0,99 eV        2,47 eV        PK min: 0,825
                          Ef   PV max: -0,805
1,55 eV
Δ Ek = PK min - PK min murni
    Δ Ev = PV min - PK min murni
                                                           PITA KONDUKSI
+                                                                                   -
         PITA KONDUKSI
                                     PITA KONDUKSI        Δ Ek > 0 Δ Ek > 0

                                         ×             Δ Ek < 0
                                                                                     0V




                                                                               V vs NHE
              Eg = 3 eV
eV




                                         ×
                                      PITA VALENSI
                                                                 Δ Ev < 1,67
                                                                                    1,23 V

                                                                                   1,67 V
                                             Δ Ev < 1,67
                                   Δ Ev > 1,67             PITA VALENSI
                                                                                      3V
-                                                                                  +
          PITA VALENSI
      TITANIUM DIOKSID
         FASA RUTILE
+                                              PITA KONDUKSI
      PITA KONDUKSI
                           PITA KONDUKSI


          Eg = 1,63 eV
                                                             ×
eV




                                Eg < 1,63                    Eg > 1,63



                         Δ Ev > 1,67
                                  e+
                                  h-        Eg < 1,63
                            PITA VALENSI

-                                                       e+
                                                        h-
       PITA VALENSI
                                                PITA VALENSI
     TITANIUM DIOKSID
        FASA RUTILE
PK                                       PK
                                             PK


                                                   2,12
 +                                                 eV                                         1,91 eV 2,47 eV
         PK                      1,84
                                 eV               2,005 eV

                                                  1,64 eV
                     PK                                                            PK
                                                                2,49 eV
     1,63 eV                                                                                                 0,99 eV
                                              2,29 eV                                       1,55 eV
     Fermi                                                           0,595
eV
0




     level                              e+
                                        h-                           eV
                                                                                                   h+
                                                                                                   e-
               1,84 eV                                    e+
                                                          h-        1,08 eV
                                                                                         1,05 eV
                                             h+
                                             e-                                                         h+
                                                                                                        e-
                                                               e+
                                                               h-
          e+
          h-                                 PV                          2,185 eV          1,02 eV
                                                               PV                                       PV
         PV                       N subtitusi O                               h+
                                                                              e-
                                              N interstitial                               N interstitial
       MURNI                                                                               + N subtitusi O
                                                                                     2,215 eV
 -                            2,14 eV                                 0,88
                                                                      eV
                         e+
                         h-
                                                                                    h+
                                                                                    e-
                     PV
                                                                                   PV
                 O vacancy
                                                                N interstitial + O vacancy
Eg
                                                    Δ       ΔEv       ΔEk
                                           (eV)
          Murni                              1,63       0         0         0
          Vacancy O                          2,14   0.51     -1,24     -1,03
          Doping N subtitusi O               2,29   0.66      0,27      0,93
          Doping N interstitial              2,49   0.86      0,65      1,03
          Doping    N   interstitial   +
                                            2,185   0.59     -1,30     -0,75
           Vacancy O
“In both cases the doping is
           Doping N interstitial + N
accompanied by the appearance of           2,47 0.84  0,71    0,99
well localized N 2p states above
           subtitusi O
the O 2p valence band but in rutile
the shift of the top of the valence     “N doping results in no band gap
and towards lower energies leads narrowing, but instead N 2p states
to an increase of the band gap       form within the band gap close to
transition.” [Valentin et al.]     the valence band maximum.” [Batzill
                                                                   et al.]
20
„Mereproduksi penelitian dengan memberi TiO2 fasa rutile
dengan ketidakmurnian lain misalnya logam transisi 3d atau
non-logam lain dan melakukan analisis mekanisme
watersplitting

„Melakukan penghitungan simulasi dengan metode yang lebih
akurat seperti GGA+U atau LDA+U

„Meneliti aspek lain dari fotokatalisis untuk proses
watersplitting seperti sifat-sifat optik dan karakteristik
proses pada permukaan
~Terima
 Kasih~

Weitere ähnliche Inhalte

Was ist angesagt?

Electrostatic Field in Matter
Electrostatic Field in MatterElectrostatic Field in Matter
Electrostatic Field in Matter
Septiko Aji
 
Fisika kuantum
Fisika kuantumFisika kuantum
Fisika kuantum
Hana Dango
 
Atom hidrogen
Atom hidrogenAtom hidrogen
Atom hidrogen
jacksfive
 
Dualisme gelombang-partikel
Dualisme gelombang-partikelDualisme gelombang-partikel
Dualisme gelombang-partikel
auliarika
 

Was ist angesagt? (20)

MAGNETIC FIELD IN MATTER
MAGNETIC FIELD IN MATTERMAGNETIC FIELD IN MATTER
MAGNETIC FIELD IN MATTER
 
Electrostatic Field in Matter
Electrostatic Field in MatterElectrostatic Field in Matter
Electrostatic Field in Matter
 
Magnetostatics
Magnetostatics Magnetostatics
Magnetostatics
 
Fisika Inti dan Radioaktivitas
Fisika Inti dan RadioaktivitasFisika Inti dan Radioaktivitas
Fisika Inti dan Radioaktivitas
 
Dualisme Gelombang Partikel
Dualisme Gelombang PartikelDualisme Gelombang Partikel
Dualisme Gelombang Partikel
 
Fisikainti
FisikaintiFisikainti
Fisikainti
 
Fisika modern
Fisika modernFisika modern
Fisika modern
 
Bab7
Bab7Bab7
Bab7
 
inti atom dan radioaktivitas
inti atom dan radioaktivitasinti atom dan radioaktivitas
inti atom dan radioaktivitas
 
Reaksi inti
Reaksi intiReaksi inti
Reaksi inti
 
Ringkasan fisika 12
Ringkasan fisika 12Ringkasan fisika 12
Ringkasan fisika 12
 
Fisika kuantum
Fisika kuantumFisika kuantum
Fisika kuantum
 
Bab iv-dualisme-gelombang-partikel
Bab iv-dualisme-gelombang-partikelBab iv-dualisme-gelombang-partikel
Bab iv-dualisme-gelombang-partikel
 
Atom hidrogen
Atom hidrogenAtom hidrogen
Atom hidrogen
 
Dualisme gelombang-partikel
Dualisme gelombang-partikelDualisme gelombang-partikel
Dualisme gelombang-partikel
 
Bahan semikonduktor 2
Bahan semikonduktor 2Bahan semikonduktor 2
Bahan semikonduktor 2
 
9 reaksi-inti
9 reaksi-inti9 reaksi-inti
9 reaksi-inti
 
Fisika Inti
Fisika IntiFisika Inti
Fisika Inti
 
MODUL FISIKA KUANTUM
MODUL FISIKA KUANTUMMODUL FISIKA KUANTUM
MODUL FISIKA KUANTUM
 
Struktur Atom Presentation
Struktur Atom PresentationStruktur Atom Presentation
Struktur Atom Presentation
 

Andere mochten auch

Типовой проект
Типовой проектТиповой проект
Типовой проект
rp1990
 
Contoh presentasi bisnis
Contoh presentasi bisnisContoh presentasi bisnis
Contoh presentasi bisnis
Muhammad Noer
 

Andere mochten auch (20)

Типовой проект
Типовой проектТиповой проект
Типовой проект
 
Maf 681 blog pptx
Maf 681 blog pptxMaf 681 blog pptx
Maf 681 blog pptx
 
SPICE PARK:ALL LIST MAY2011(PPTX)
SPICE PARK:ALL LIST MAY2011(PPTX)SPICE PARK:ALL LIST MAY2011(PPTX)
SPICE PARK:ALL LIST MAY2011(PPTX)
 
cONTOH Presentasi bisnis
cONTOH Presentasi bisniscONTOH Presentasi bisnis
cONTOH Presentasi bisnis
 
Mudah Mengelola Bisnis Dengan Business Model Canvas
Mudah Mengelola Bisnis Dengan Business Model CanvasMudah Mengelola Bisnis Dengan Business Model Canvas
Mudah Mengelola Bisnis Dengan Business Model Canvas
 
Power point pengantar bisnis
Power point pengantar bisnisPower point pengantar bisnis
Power point pengantar bisnis
 
Pie Chart PowerPoint Template
Pie Chart PowerPoint TemplatePie Chart PowerPoint Template
Pie Chart PowerPoint Template
 
Presentation Design Trends 2014
Presentation Design Trends 2014Presentation Design Trends 2014
Presentation Design Trends 2014
 
Growth Hacking for Startups
Growth Hacking for StartupsGrowth Hacking for Startups
Growth Hacking for Startups
 
Big data ppt
Big data pptBig data ppt
Big data ppt
 
How To Create Presentation Slides That Are Out Of This World by @slidecomet @...
How To Create Presentation Slides That Are Out Of This World by @slidecomet @...How To Create Presentation Slides That Are Out Of This World by @slidecomet @...
How To Create Presentation Slides That Are Out Of This World by @slidecomet @...
 
Presentasi bisnis model canvas
Presentasi bisnis model canvasPresentasi bisnis model canvas
Presentasi bisnis model canvas
 
Contoh presentasi bisnis
Contoh presentasi bisnisContoh presentasi bisnis
Contoh presentasi bisnis
 
What is Starbucks missing from its marketing strategy?
What is Starbucks missing from its marketing strategy?What is Starbucks missing from its marketing strategy?
What is Starbucks missing from its marketing strategy?
 
The 5 steps to Sales Dominance
The 5 steps to Sales DominanceThe 5 steps to Sales Dominance
The 5 steps to Sales Dominance
 
The Rise Of China
The Rise Of ChinaThe Rise Of China
The Rise Of China
 
VISIONS OF THE FUTURE Little Rock 2016
VISIONS OF THE FUTURE Little Rock 2016VISIONS OF THE FUTURE Little Rock 2016
VISIONS OF THE FUTURE Little Rock 2016
 
10 Better Ways to Add Text to #Images
10 Better Ways to Add Text to #Images 10 Better Ways to Add Text to #Images
10 Better Ways to Add Text to #Images
 
How To Win That Next Sales Presentation - @High_Spark @cliffatkinson
How To Win That Next Sales Presentation - @High_Spark @cliffatkinsonHow To Win That Next Sales Presentation - @High_Spark @cliffatkinson
How To Win That Next Sales Presentation - @High_Spark @cliffatkinson
 
The Programmer
The ProgrammerThe Programmer
The Programmer
 

Ähnlich wie Presentasi Tugas Akhir - Studi Ab-Initio Mekanisme Water Splitting pada Fotokatalis TiO2 dengan Ketidakmurnian Nitrogen

Ähnlich wie Presentasi Tugas Akhir - Studi Ab-Initio Mekanisme Water Splitting pada Fotokatalis TiO2 dengan Ketidakmurnian Nitrogen (6)

Poster Tugas Akhir - Studi Ab-Initio Mekanisme Water Splitting pada Fotokatal...
Poster Tugas Akhir - Studi Ab-Initio Mekanisme Water Splitting pada Fotokatal...Poster Tugas Akhir - Studi Ab-Initio Mekanisme Water Splitting pada Fotokatal...
Poster Tugas Akhir - Studi Ab-Initio Mekanisme Water Splitting pada Fotokatal...
 
Bab 4-persamaan-keadaan
Bab 4-persamaan-keadaanBab 4-persamaan-keadaan
Bab 4-persamaan-keadaan
 
Sifat listrik-dielektrik
Sifat listrik-dielektrikSifat listrik-dielektrik
Sifat listrik-dielektrik
 
Unit2
Unit2Unit2
Unit2
 
Bab5 multivibrator
Bab5 multivibratorBab5 multivibrator
Bab5 multivibrator
 
Arus dan tegangan Listrik
Arus dan tegangan ListrikArus dan tegangan Listrik
Arus dan tegangan Listrik
 

Presentasi Tugas Akhir - Studi Ab-Initio Mekanisme Water Splitting pada Fotokatalis TiO2 dengan Ketidakmurnian Nitrogen

  • 1. OLEH: FAJAR FAUZI HAKIM (13305053) PEMBIMBING: IR. HERMAWAN K. DIPOJONO, MSEE.,PH.D., DR. IR. NUGRAHA, M. ENG.
  • 2. H2O H CO2 tidak ramah lingkungan hanya UV 3% dari 2
  • 3. SEMIKONDUKTOR FOTOKATALIS + - PITA KONDUKSI DISOSIASI MOLEKUL AIR (Watersplitting) 0V V vs NHE Oksidasi O2/H2O: 2H2O +4h+O2+4H+ band gap Potensial > +1.23 V (Eg)= 3 eV eV 1,23 V Reduksi H+/H2 : 2H+ + 2e-  H2 photon Potensial < 0 V 2H2O + 4hv  2H2 + O2 3V MASALAH e+ h- e+ h- e+ h- e+ h- - + PITA VALENSI TITANIUM DIOKSID FASA RUTILE
  • 4. Ketidakmurnian logam  tingkat energi + - PITA KONDUKSI ketidakmurnian Ketidakmurnian non-logam 0V Modifikasi permukaan V vs NHE + - Eg = 3 eV PITA KONDUKSI eV MENCEGAH 1,23 V REKOMBINASI Fermi level ELECTRON TRAP ELEKTRON 0V V vs NHE Eg = 2,7 - 1,35 eV SESUAI eV Fermi level ENERGI 1,23 V CAHAYA 3V TAMPAK e+ h- e+ h- e+ h- e+ h- - + e+ h- e+ h- e+ h- e+ h- PITA VALENSI - PITA VALENSI + TITANIUMyang ingin dipecahkan pada penelitian ini adalah bagaimana membuat Permasalahan DIOKSID FASA RUTILE IDEAL suatu simulasi ab initio untuk material semikonduktor TiO2 fasa rutile dengan ketidakmurnian Nitrogen sebagai fotokatalis waterspliting.
  • 5. Melakukan pemodelan dan melakukan simulasi ab initio material photocatalyst TiO2 dengan variasi ketidakmurnian N Mempelajari density of states (DOS) & struktur pita elektronik untuk menghitung band gap serta mempelajari posisi state dari ketidakmurnian Melakukan analisis mekanisme water splitting pada photocatalyst TiO2 dengan variasi ketidakmurnian N Metode simulasi: GGA-DFT (Generalized Gradient Approximations - Density Functional Theory) Software: Quantum ESPRESSO 4.2.0 TiO2 fasa rutile berstruktur kristal tetragonal Melihat karakteristik elektronik (struktur pita elektronik & DOS) Melihat perubahan band gap dan pita valensi dan konduksi terhadap TiO2 murni
  • 6. Persiapan parameter input (pemodelan & optimalisasi struktur) Simulasi karakter elektronik (scf, band, nscf, dos) Plot grafik struktur pita elektronik & DOS
  • 7. Rutile stabil, bandgap kecil 1 unit cell=4 atom O; 2 atom Ti Model simulasi: Supercell 2 x 2 x 2 (48 atom) 6 model struktur pada simulasi: • Murni • O vacancy • N Subtitusi O • N interstitial • N interstitial + O vacancy • N interstitial + N Subtitusi O Posisi N subtitusi O dan O vacancy Posisi N Interstitial
  • 8. + PITA KONDUKSI eV vs Fermi level TINGKAT ENERGI ELECTRON TRAP Eg Fermi level KETIDAKMURNIAN e- e- e- e- e- e- e- PITA VALENSI - Mengkonfirmasi letak tingkat energi ketidakmurnian
  • 9. Hasil: 1,63 eV Ref. : 1,88 eV [K. Yang et al.] 1,63 eV Eksperimen: 3 eV [J. Pascual et al.] Ef PK min (Pita konduksi minimum): 0,825 PV max (Pita valensi minimum): -0,805 K. Yang, Y. Dai, and B. Huang, “Understanding hasil ≠ eksperimen  P-Doped TiO2 Photocatalytic Activity of S- and approksimasi DFT First-Principles,” J. under Visible Light from Phys. Chem., 111, pp. 18985-18994, 2007. Perubahan band gap & Perubahan posisi pita konduksi dan valensi K. Yang, Y. Dai, B. Huang, and hasil simulasi terhadap TiO2 murni S. Han, “Theoretical Study of N-Doped TiO2 Rutile Crystals,” J. Phys. Chem., 110, pp. 24011-24014, 2006.
  • 10. Band gap: 1,84 eV PK min: 0,1 PV max: -2,04 Band gap: 1,63 eV PK min: 0,825 Ef PV max: -0,805 2,14 eV 1,84 eV
  • 11. Band gap: 2,29 eV PK min: 1,75 PV max: -0,54 Band gap: 1,63 eV 1,76 eV PK min: 0,825 2,29 eV Ef PV max: -0,805 0,53 eV For rutile,the N 2p states extend about 0,4 eV into the band gap from the VB maximum. [Batzill et al.]
  • 12. Band gap: 2,49 eV PK min: 1,85 PV max: -0,64 Band gap: 1,63 eV 2,005 eV 1,64 eV PK min: 0,825 0,595 eV 2,49 eV 2,12 eV 1,08 eV Ef PV max: -0,805
  • 13. Band gap: 2,215 eV PK min: 0,11 PV max: -2,105 Band gap: 1,63 eV PK min: 0,825 Ef PV max: -0,805 1,05 eV 1,02 eV 2,215 eV 2,185 eV 0,88 eV
  • 14. Band gap: 2,47 eV PK min: 1,81 PV max: -0,66 1,91 eV Band gap: 1,63 eV 0,99 eV 2,47 eV PK min: 0,825 Ef PV max: -0,805 1,55 eV
  • 15. Δ Ek = PK min - PK min murni Δ Ev = PV min - PK min murni PITA KONDUKSI + - PITA KONDUKSI PITA KONDUKSI Δ Ek > 0 Δ Ek > 0 × Δ Ek < 0 0V V vs NHE Eg = 3 eV eV × PITA VALENSI Δ Ev < 1,67 1,23 V 1,67 V Δ Ev < 1,67 Δ Ev > 1,67 PITA VALENSI 3V - + PITA VALENSI TITANIUM DIOKSID FASA RUTILE
  • 16. + PITA KONDUKSI PITA KONDUKSI PITA KONDUKSI Eg = 1,63 eV × eV Eg < 1,63 Eg > 1,63 Δ Ev > 1,67 e+ h- Eg < 1,63 PITA VALENSI - e+ h- PITA VALENSI PITA VALENSI TITANIUM DIOKSID FASA RUTILE
  • 17. PK PK PK 2,12 + eV 1,91 eV 2,47 eV PK 1,84 eV 2,005 eV 1,64 eV PK PK 2,49 eV 1,63 eV 0,99 eV 2,29 eV 1,55 eV Fermi 0,595 eV 0 level e+ h- eV h+ e- 1,84 eV e+ h- 1,08 eV 1,05 eV h+ e- h+ e- e+ h- e+ h- PV 2,185 eV 1,02 eV PV PV PV N subtitusi O h+ e- N interstitial N interstitial MURNI + N subtitusi O 2,215 eV - 2,14 eV 0,88 eV e+ h- h+ e- PV PV O vacancy N interstitial + O vacancy
  • 18. Eg Δ ΔEv ΔEk (eV) Murni 1,63 0 0 0 Vacancy O 2,14 0.51 -1,24 -1,03 Doping N subtitusi O 2,29 0.66 0,27 0,93 Doping N interstitial 2,49 0.86 0,65 1,03 Doping N interstitial + 2,185 0.59 -1,30 -0,75 Vacancy O “In both cases the doping is Doping N interstitial + N accompanied by the appearance of 2,47 0.84 0,71 0,99 well localized N 2p states above subtitusi O the O 2p valence band but in rutile the shift of the top of the valence “N doping results in no band gap and towards lower energies leads narrowing, but instead N 2p states to an increase of the band gap form within the band gap close to transition.” [Valentin et al.] the valence band maximum.” [Batzill et al.]
  • 19.
  • 20. 20
  • 21. „Mereproduksi penelitian dengan memberi TiO2 fasa rutile dengan ketidakmurnian lain misalnya logam transisi 3d atau non-logam lain dan melakukan analisis mekanisme watersplitting „Melakukan penghitungan simulasi dengan metode yang lebih akurat seperti GGA+U atau LDA+U „Meneliti aspek lain dari fotokatalisis untuk proses watersplitting seperti sifat-sifat optik dan karakteristik proses pada permukaan

Hinweis der Redaktion

  1. Ab initio: Kalkulasi berdasarkan teori (besaran-besaran teoretik) tanpa melibatkan hasil eksperimenWatersplitting: Produksi hidrogen dari disosiasi molekul airFotokatalis: A photocatalyst is a substance that is able to produce, by absorption of light quanta,chemical transformations of the reaction participants, repeatedly coming with them into theintermediate chemical interactions and regenerating its chemical composition after eachcycle of such interactions.Photocatalysis is a change in the rate of chemical reactions or their generation under theaction of light in the presence of substances — called photocatalysts (already defined) –that absorb light quanta and are involved in the chemical transformations of the reactionparticipants.
  2. Hmm: Hidrogenbahan bakar OKdiproduksi dari bahan bakar fosilproduks sampinganhidrogen ga cleanditemukan produksi hidrogen dari disosiasi air dengan cahaya matahari (akira fujishima, kenichi honda, 1972)fotokatalisis: proses mempercepat reaksi dengan bantuan cahayabisa bikin produksi hidrogen lebih murah karena air dan matahari gratisnamunfotokatalis yang digunakan TiO2 hanya bisa merespon UV3% dari cahaya mataharitidak efisienwhy? It happenmar lihat teorinja
  3. Rekombinasi: natural, kecenderungan, emisi tergantung energiKalau di laser kan tereksitasi sampai jenuh, hubungannya? Kalau elektron dah abis materialnya jadi apa?perubahan fisik ga tahu, yang jelas ga bisa dipakeBentar, kalo elektron dari H2O pindah ke hole site, berarti ga ada elektron yang hilang kan?pas oksidasi yang hilang ionTekankan fungsi elektron dan hole untuk reduksi oksidasiVhat is vakum??? vacuum energy is a quantity we are not able to measure. It seems like a energy potential: the absolute value has no physical relevance, but the difference has a meaning: energy.In physics, the vacuum level refers to the energy of a free stationary electron that is outside of any material (it is in a perfect vacuum). It may be taken as infinitely far away from a solid or modified to be defined near a surfaceNHE adalah skala potensial reaksi elektrokimia redoks dengan standar 0 di reduksi hidrogen. semakin negatif, semakin cenderung tereduksi, semakin positif semakin cenderung oksidasi (perlu cek ke ganes)Oksidasi O2/H2O: 2H2O +4h+O2+4H+Potensial &gt; +1.23V pH=0 (+0.82 V pada pH = 7)Reduksi H+/H2 : 2H+ + 2e-  H2Potensial &lt; 0V pH=0 (-0.41 V pada pH = 7)2H2O + 4hv  2H2 + O2
  4. Lebih tegaskan mekanisme rekombinasi, peran elektron trap, dan hubungannya sama pita strukturTambah level fermi di sini dan jelaskan perannya.Makin negatif Permasalahan bisa disingkat keywordnya aja: ab initio fotokatalis tio2 dengan ketidakmurnian N untuk watersplitting
  5. Hati-hati.... GGA DFT kan dah jelas salah, koq masih dipake? (referensi pa...)Bisa disingkat
  6. Relaxation, keknya ga perlu, lama lagi ngejelasinnyaIngat, rutile 20% anatase 80% (degussa p25) is better than rutile alone or anatase alone, so the research on rutile part is needed.TiO2 polymorphInterstitail adalah
  7. jembatan berpikir yang menghubungkan grafik2 pada slide 3-4 dengan pita struktur elektronik dan DOS, terutama dalam hubungannya dengan elektron trap.Band structure~grafik tingkat energi pada ruang resiprokalDOSjumlahstate/satuan volume padasuatutingkatenergi. untuk mengetahui orbital pemberitingkat energidi atas fermi:akseptorelectron trapdi bawah fermi:donormemperbesar valensi
  8. Prepare to be asked about magnatizationJelasin referensi buat apa?
  9. O vac State under conduction, cross fermiAdd: value of band gap, VB post. &amp;CB post of pure.For comparation.Add arrow and value of band gap, scenario of excitation, dist. Between levels
  10. O vac State under conduction, cross fermiAdd: value of band gap, VB post. &amp;CB post of pure.For comparation.Add arrow and value of band gap, scenario of excitation, dist. Between levels
  11. O vac State under conduction, cross fermiAdd: value of band gap, VB post. &amp;CB post of pure.For comparation.Add arrow and value of band gap, scenario of excitation, dist. Between levels
  12. O vac State under conduction, cross fermiAdd: value of band gap, VB post. &amp;CB post of pure.For comparation.Add arrow and value of band gap, scenario of excitation, dist. Between levels
  13. O vac State under conduction, cross fermiAdd: value of band gap, VB post. &amp;CB post of pure.For comparation.Add arrow and value of band gap, scenario of excitation, dist. Between levels
  14. Lebih tegaskan mekanisme rekombinasi, peran elektron trap, dan hubungannya sama pita strukturTambah level fermi di sini dan jelaskan perannya.Makin negatif Permasalahan bisa disingkat keywordnya aja: ab initio fotokatalis tio2 dengan ketidakmurnian N untuk watersplitting
  15. Lebih tegaskan mekanisme rekombinasi, peran elektron trap, dan hubungannya sama pita strukturTambah level fermi di sini dan jelaskan perannya.Makin negatif Permasalahan bisa disingkat keywordnya aja: ab initio fotokatalis tio2 dengan ketidakmurnian N untuk watersplitting
  16. Lebih tegaskan mekanisme rekombinasi, peran elektron trap, dan hubungannya sama pita strukturTambah level fermi di sini dan jelaskan perannya.Makin negatif Permasalahan bisa disingkat keywordnya aja: ab initio fotokatalis tio2 dengan ketidakmurnian N untuk watersplitting
  17. Remember, band gap ~ valence to conductionAdd: negatif itu turun, positif itu naeyikApa itu Eg delta dll. Dan pengaruhnya apa ke penelitian
  18. The conservative result.State longer, if the result is fail, you are not fail, cite the reference about the unnarowing of teh band gap, experimental n computational.
  19. GGA+U? Refer to tujuan. Mungkin tambahannya~ tambah persentasi doping, pake selain TiO2
  20. Nuhun A!