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TRANSISTORES

  fabricantes
Principales fabricantes de transistores
http://www.abb.com/

http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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semiconductors.de/en/ubk_semiconductors/homepage/homepage_1.html

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Concepto de transistores
•   El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos
    capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p
    y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo
    transistor pnp.

•    EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es
    la equivalente al CATODO en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.

•   BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la
    equivalente a la REJILLA cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.

•   COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor
    es la equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
TIPO DE TRANSISTORES
                                Fototransistor
Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a
los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando
portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de
conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el
efecto de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que
el primero puede trabajar de 2 formas:

Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace
las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación).
Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el
fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin
conectar.
FOTOTRANSISTOR
TRANSISTOR UNIUNION
• El transistor uniunión es un tipo de tiristor que contiene
  dos zonas semiconductoras.
• Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno
  (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra
  semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la
  que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún
  punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del
  parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de
  resistencias o factor intrínseco.
Transistor IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo semiconductor que
generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electronica de
potencia.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores
efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación del
transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del
IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como
las del BJT
TRANSISTOR JFET
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos electrónicos de reducido
tamaño, gran versatilidad y facilidad de control.

Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a ellos fue posible la construcción
de receptores de radio portátiles llamados comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par de
segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con
tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso podían funcionar a
pilas, debido al gran consumo que tenían.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)

Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas,
modulación por anchura de impulsos PWM)

Detección de radiación luminosa (fototransistores)

Los Transistores de unión (uno de los tipos más básicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que
dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.
JFET
Transistores objetivo de campo
MOSFET
• Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son
  dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear
  una canal de conducción.

• Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de
  los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS.

• Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y
  MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de
  acumulación (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los
  segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán
  descritos los MOS de acumulación también conocidos como de
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• La figura 1.14 indica los diferentes símbolos utilizados para describir los
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Transistores

  • 2. Principales fabricantes de transistores http://www.abb.com/ http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/ http://www.bosch- semiconductors.de/en/ubk_semiconductors/homepage/homepage_1.html http://www.toshiba-components.com/ http://www.advancedsemiconductor.com/ http://www.aeroflex.com/} http://www.alphaind.com/ http://www.skyworksinc.com/Products_AATI.aspx
  • 3. Concepto de transistores • El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp. • EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas. • BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas. • COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
  • 4. TIPO DE TRANSISTORES Fototransistor Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor. Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas: Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común). Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación). Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.
  • 6. TRANSISTOR UNIUNION • El transistor uniunión es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. • Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.
  • 7. Transistor IGBT El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electronica de potencia. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT
  • 8. TRANSISTOR JFET Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control. Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles llamados comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían. Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran: Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación) Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia) Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM) Detección de radiación luminosa (fototransistores) Los Transistores de unión (uno de los tipos más básicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.
  • 10. MOSFET • Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción. • Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS. • Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los MOS de acumulación también conocidos como de enriquecimiento. • La figura 1.14 indica los diferentes símbolos utilizados para describir los transistores MOS.