Empfohlen
Weitere ähnliche Inhalte
Was ist angesagt?
Was ist angesagt? (20)
Mehr von MirNamik
Yarmkec mbm2014
- 2. Yarımkeçirici elementlər B, C,Si,P,S,Ge,As,Se,Sn,Sb,Te,İ - 12 element Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 3. Yarımkeçiricilər və onların əsas xüsusiyyətləri • Yarımkeçiricinin keçiriciliyinə xarici elektrik və maqnit sahələri, rentgen və radioaktiv şüalanmalar və s. təsir edir. • Yarımkeçiricinin müqaviməti temperaturdan kəskim asılıdır. • Yarımkeçiricilər elektrik xassələrinə görə metallar və dielektriklər arasında aralıq mövqe tutur. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 4. Yarımkeçiricilər və onların əsas xüsusiyyətləri Yarımkeçiricinin keçiriciliyi işıqlanmadan asılıdır. Yarımkeçiricilər D.Mendeleyev cədvəlində orta qrupun 12 elementi (B, C, Si, P, S, Cl, Ge, As, Se, Br, Sn, Sb, Te, I ), habelə bir sıra üzvü və qeyri üzvü birləşmələrdir. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 5. Yarımkeçiricilərin məxsusi keçiriciliyi Yarımkeçiricilərin quruluşu atomar kristal qəfəs quruluş formasındadır. 4 valentli Ge kristalının müstəvi kəsiyi belə görünür. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 6. Hər bir atom qonşuları ilə elektron əlaqəsindədir- valent elektron onlardan biri ola bilər Otaq temperaturunda metallarda hər atoma bir sərbəst elektron düşdüyü halda yarımkeçiricilərdə bu say bir neçə milyadr dəfə azdır. Metallarda temperaturun artması sərbəst elektronların sayına təsir etmədyi halda yarımkeçiricilərin sərbəst elektronlarının sayı temperatura çox həssasdır: temperatur artdıqca sərbəst elektronların sayı kəskin artır. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 7. Yarımkeçiricilərin xüsusi müqaviməti metallardan fərqli olaraq temperaturla tərs mütənasıbdır. Yarımkeçiricilərin xüsusi müqaviməti metallarla dielektriklərin müqavimətləri arasında aralıq yer tutur. Mütləq sıfra yaxın yarımkeçiricilərin müqaviməti çox böyükdür. Yarımkeçiricilərin keçiriciliyini artırmaq üçün onlara aşqarlayır - digər yarımkeçirici qatırlar. Qatılan yarımkeçiricinin valentindən asılı olaraq alınan aşqarlar iki cür olur. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 8. Ge ilə 5 valentli As qarışığı zamanı donor aşqarlar – n-tip aşqar – elektron keçiriciliyi yaranır. Ge ilə 3 valentli İn qarışığı zamanı akseptor aşqar – p-tip aşqar- deşik keçiriciliyi yaranır. P-tip aşqarlarda rabitələrdən biri boş qalır – deşik adlanır. n-tip aşqarlarda sərbəst elektronlar yaranır. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 9. Yarımkeçiricilərin aşqar keçiriciliyi. p-n keçidi P-n keçidi Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 10. Yarımkeçiricilərin aşqar keçiriciliyi. p-n keçidi Kimyəvi təmiz yarımkeçiricinin elektrik keçiriciliyi zəifdir. Yarımkeçiriciyə aşqar qatıldıqda elektrik keçiriciliyi kəskin artır. Yarımkeçiriciyə qatılan aşqardan asılı olaraq elektron (n), yaxud deşik (p) tip keçiricilik üstünlük təşkil edir. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 11. Yarımkeçiricilərin məxsusi keçiriciliyi Germanium 4 valentli elementdir. Elementin elektronları nüvə ilə zəif rabirədədir. Onlar germanium atomları arasında kovalent (cüt elektron) kimyəvi rabitə yaradır. Kimyəvi təmiz yarımkeçiricidə sərbəst elektronların hərəkəti ilə yaranan keçiricilik məxsusi elektron keçiriciliyi adlanır. Kimyəvi təmiz yarımkeçiricidə deşiklərin hərəkəti ilə yaranan keçiricilik məxsusi deşik keçiriciliyi adlanır. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 12. Yarımkeçiricilərin aşqar keçiriciliyi. p-n keçidi Qatılan aşqar atomunun valent elektronların sayı yarımkeçiricinin valent elektronlarının sayndan çox olarsa, o donor aşqar adlanır. Qatılan aşqar atomunun valent elektronların sayı yarımkeçiricinin valent elektronlarının sayndan az olarsa, bu aşqar akseptor aşqar adlanır. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 13. Yarımkeçiricilərin aşqar keçiriciliyi. p-n keçidi Donor aşqarlı yarımkeçirici Akseptor aşqarlı yarımkeçirici Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 16. p-n keçidi Iki müxtəlif növ keçiriciliyə malik yarımkeçirici kristalların toxunma sərhəddində yaranan birtərəfli keçid p-n keçidi adlanır. Təmas sərhəddində neytral zona yaranır: elektronlar deçiklərdə oturur. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 17. Yarımkeçirici diod. Yarımkeçirici diodun volt amper xarakteristikası Düz keçid Tərs keçid p-n keçidi bir tərəfli keçiriciliyə malikdir. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 18. P-n keçidi Elektrik cərəyanı p-n istiqamətdə keçir, n-p istiqamətdə demək olar ki keçmir. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 19. P-n keçidi Tərs keçid Düz keçid Düz keçid Tərs keçid Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 21. Bir periodlu düzləndiricinin sxemi Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 23. Yarımkeçirici cihazlar Termistorlar – yarımkeçiricilərin müqavimətinin temperatur əhəmiyyətli asılılığına əsaslanmışdır. Fotorezistorlar – yarımkeçiricilərin müqavimətinin işıqlanmaya həssaslığına əsaslanır. Işıq diodları - p-n keçidindən cərəyan keçərkən işıqlanır. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 24. Tranzistorlar Tranzistorların əsas vəzifəsi p-n keçidindən istifadə edərək elektrik rəqslərinin alınması və gücləndirilməsidir. 3 oblastdan ibarətdir: emittor, kollektor və müştərək olan hissə - bazadan ibarətdir. Je=Jk+Jb Tranzistor dövrəyə iki cərəyan mənbəyi ilə qoşulur. Emittor baza keçidi düz keçid, baza kollektor keçidi tərs keçid istiqamətdə qoşulur. Gücləndiriləcək siqnal emittor dövrəsinə verilir və gücləndirilmiş siqnal kollektor dpvrəsində alınır. Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 25. Tranzistorların növü Bipolyar tranzistorlar Lənkəran DövlətUniversiteti. MirNamik Bəşirov
- 27. Resursu hazırladı: Bəşirov Mirnamiq Mirəhmədağa oğlu- - fiz.-riy.e.n.,dosent, Lənkəran Dövlət Universiteti Mbashirov@mail.ru