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MemoriasMemorias
Ing. Martín BeccaríaIng. Martín Beccaría
Unidad Nº4 MemoriasUnidad Nº4 Memorias
MemoriaMemoria
Dispositivo destinado al almacenamiento de información formado porDispositivo destinado al almacenamiento de información formado por
biestables agrupados en “posiciones” las cuales pueden ser leídas y/obiestables agrupados en “posiciones” las cuales pueden ser leídas y/o
escritas.escritas.
Aclaración de conceptosAclaración de conceptos
ROM:ROM: Read Only Memory , memoria de solo lectura, hace referencia aRead Only Memory , memoria de solo lectura, hace referencia a
la volatilidad de los datos, las memorias que son ROM son no volátiles.la volatilidad de los datos, las memorias que son ROM son no volátiles.
RAM:RAM: Random Acces Memory , memoria de acceso aleatorio, haceRandom Acces Memory , memoria de acceso aleatorio, hace
referencia a la forma de acceso a las distintas posiciones de memoria.referencia a la forma de acceso a las distintas posiciones de memoria.
En las memorias que son RAM se puede acceder en forma aleatoria aEn las memorias que son RAM se puede acceder en forma aleatoria a
cualquier posición de memoria y el tiempo de acceso es idéntico paracualquier posición de memoria y el tiempo de acceso es idéntico para
cualesquiera de las posiciones. En contraposición con las memorias decualesquiera de las posiciones. En contraposición con las memorias de
acceso secuencial donde las posiciones de memoria deben ser accedidasacceso secuencial donde las posiciones de memoria deben ser accedidas
en una secuencia determinada y por ende el tiempo de acceso a lasen una secuencia determinada y por ende el tiempo de acceso a las
distintas posiciones de memoria varia.distintas posiciones de memoria varia.
ParticularidadParticularidad: una memoria ROM puede ser de acceso aleatorio: una memoria ROM puede ser de acceso aleatorio
(RAM).(RAM).
Memorias (Memorias (Jerga InformáticaJerga Informática))
Memoria RAM :Memoria RAM : se refiere a la parte de la memoria principal es dese refiere a la parte de la memoria principal es de
acceso aleatorio y de lectura – escritura, es la memoria dondeacceso aleatorio y de lectura – escritura, es la memoria donde
residen los datos y programas que se están ejecutando.residen los datos y programas que se están ejecutando.
Memoria ROM:Memoria ROM: se refiere a la parte de la memoria principal que esse refiere a la parte de la memoria principal que es
de solo lectura y es en donde se halla el programa BIOS.de solo lectura y es en donde se halla el programa BIOS.
*BIOS: Basic Input Output System*BIOS: Basic Input Output System
Características claves de las MemoriasCaracterísticas claves de las Memorias
Ubicación:Ubicación:
CPUCPU
Interna (principal)Interna (principal)
Externa (secundaria)Externa (secundaria)
Método de Acceso:Método de Acceso:
SecuencialSecuencial
AleatorioAleatorio
DirectoDirecto
AsociativoAsociativo
Volatilidad:Volatilidad:
VolátilVolátil
No VolátilNo Volátil
Capacidad:Capacidad:
Tamaño de palabraTamaño de palabra
Número de palabrasNúmero de palabras
Prestaciones:Prestaciones:
Tiempo de accesoTiempo de acceso
Tiempo de cicloTiempo de ciclo
Velocidad deVelocidad de
transferenciatransferencia
Unidad deUnidad de
Transferencia:Transferencia:
PalabraPalabra
BloqueBloque
Soporte físico:Soporte físico:
SemiconductorSemiconductor
MagnéticoMagnético
ÓpticoÓptico
Principales parámetros:Principales parámetros:
Capacidad:Capacidad:
Es la cantidad de información que puede almacenar la memoria, seEs la cantidad de información que puede almacenar la memoria, se
expresa en Bytes ( o en sus mútiplos) , la capacidad estaráexpresa en Bytes ( o en sus mútiplos) , la capacidad estará
determinada por la cantidad de posiciones de memoria ( Número dedeterminada por la cantidad de posiciones de memoria ( Número de
palabras) y el ancho o tamaño de palabra ( 8, 16, 32, 64, 128 bits).palabras) y el ancho o tamaño de palabra ( 8, 16, 32, 64, 128 bits).
En general si:En general si:
N = número de palabrasN = número de palabras
A = cantidad de líneas de direcciónA = cantidad de líneas de dirección
Se debe cumplir que 2Se debe cumplir que 2AA
= N= N
Unidades:Unidades:
Byte (B)Byte (B) KiloByteKiloByte
(KB)(KB)
MegaByteMegaByte
(MB)(MB)
GigaByteGigaByte
(GB)(GB)
TeraByteTeraByte
(TB)(TB)
PetaBytePetaByte
(PB)(PB)
8 bits8 bits 1024 B1024 B 1024 KB1024 KB 1024 MB1024 MB 1024 GB1024 GB 1024 TB1024 TB
221010
BytesBytes 222020
BytesBytes 223030
BytesBytes 224040
BytesBytes 225050
BytesBytes
Principales parámetros en las Memorias:Principales parámetros en las Memorias:
Tiempo de acceso:Tiempo de acceso:
Es el tiempo que tarda en realizarse una operación de lecturaEs el tiempo que tarda en realizarse una operación de lectura
o escritura, es decir tiempo que transcurre desde que seo escritura, es decir tiempo que transcurre desde que se
presenta una dirección de memoria y la posterior orden depresenta una dirección de memoria y la posterior orden de
lectura o escrituralectura o escritura hastahasta que el dato está disponible para suque el dato está disponible para su
lectura o bien ya fue memorizado.lectura o bien ya fue memorizado.
Tiempo de ciclo de memoria:Tiempo de ciclo de memoria:
Es el tiempo de acceso + un cierto tiempo extra necesarioEs el tiempo de acceso + un cierto tiempo extra necesario
para la memoria este lista para otra operación de lectura opara la memoria este lista para otra operación de lectura o
escritura.escritura.
Velocidad de transferencia:Velocidad de transferencia:
Es la velocidad a la que se pueden transferir datos a ó desdeEs la velocidad a la que se pueden transferir datos a ó desde
la memoria. Coincide con el inverso del Tiempo de ciclo dela memoria. Coincide con el inverso del Tiempo de ciclo de
memoria.memoria.
Direccionamiento de Memoria:Direccionamiento de Memoria:
Es el proceso por el cual se “elije” la posición de memoria queEs el proceso por el cual se “elije” la posición de memoria que
será escrita o leída. Para ello el up coloca en el bus deserá escrita o leída. Para ello el up coloca en el bus de
direcciones la dirección real ( o fìsica) de la posición adirecciones la dirección real ( o fìsica) de la posición a
acceder, luego se da la orden de lectura o escritura y luego deacceder, luego se da la orden de lectura o escritura y luego de
transcurrido el tiempo de acceso el dato estará disponibletranscurrido el tiempo de acceso el dato estará disponible
para su lectura o será memorizado.para su lectura o será memorizado.
Lectura de Memoria:Lectura de Memoria:
Primero se direcciona la posición a acceder y luego se da laPrimero se direcciona la posición a acceder y luego se da la
orden de lectura , transcurrido el tiempo de acceso el datoorden de lectura , transcurrido el tiempo de acceso el dato
estará disponible en el bus de datos para su lectura.estará disponible en el bus de datos para su lectura.
Escritura de Memoria:Escritura de Memoria:
Primero se direcciona la posición a acceder y luego se da laPrimero se direcciona la posición a acceder y luego se da la
orden de escritura , transcurrido el tiempo de acceso el datoorden de escritura , transcurrido el tiempo de acceso el dato
quedará memorizado.quedará memorizado.
Memorias ROMMemorias ROM
Son memorias de solo lectura (Read Only Memory) y su principalSon memorias de solo lectura (Read Only Memory) y su principal
característica es que son No volátiles.característica es que son No volátiles.
Se utilizan principalmente en donde se requiere que los datosSe utilizan principalmente en donde se requiere que los datos
permanezcan una vez que se quito la energía y no es admisible el tiempopermanezcan una vez que se quito la energía y no es admisible el tiempo
de espera que supondría cargar los datos desde memoria externa,de espera que supondría cargar los datos desde memoria externa,
principales usos:principales usos:
--Memoria de micro instruccionesMemoria de micro instrucciones
--BiosBios
Tipo deTipo de
memoriamemoria
ClaseClase BorradoBorrado Mecanismo deMecanismo de
escrituraescritura
Volatili-dadVolatili-dad
ROMROM Solo LecturaSolo Lectura No posibleNo posible En la fabricaciónEn la fabricación
““Datos cableados”Datos cableados”
No volátilNo volátil
PROMPROM Eléctricamente,Eléctricamente,
después de ladespués de la
fabricación con unfabricación con un
dispositivodispositivo
especial.especial.
Clasificación y CaracterísticasClasificación y Características
Tipo de MemoriaTipo de Memoria VentajasVentajas DesventajasDesventajas
ROMROM •Alta densidadAlta densidad
•Mejor para grandesMejor para grandes
producciones ya q suproducciones ya q su
gran costo fijo degran costo fijo de
escritura se veescritura se ve
amortizado.amortizado.
•Gran costo fijo deGran costo fijo de
escritura para una oescritura para una o
muchas, fabricar pocasmuchas, fabricar pocas
cantidades es costoso.cantidades es costoso.
•Un fallo en el cableadoUn fallo en el cableado
de datos y hay qde datos y hay q
desechar la memoriadesechar la memoria
PROMPROM •Mas flexibilidad, seMas flexibilidad, se
pueden fabricar y luegopueden fabricar y luego
grabar el programa, agrabar el programa, a
cada unidad se le puedecada unidad se le puede
grabar un programagrabar un programa
distintodistinto
•Menos DensidadMenos Densidad
•Un fallo en la grabaciónUn fallo en la grabación
hay q desechar lahay q desechar la
memoriamemoria
ROM y PROM ventajas y desventajasROM y PROM ventajas y desventajas
Opción a las ROM: memorias de “Sobre todo Lectura”Opción a las ROM: memorias de “Sobre todo Lectura”
Se utilizan cuando es necesario actualizar el contenido que almacenan, ejemplo laSe utilizan cuando es necesario actualizar el contenido que almacenan, ejemplo la
actualización del firmware de un controlador.actualización del firmware de un controlador.
En estas memorias las operaciones de lectura son mucha más frecuentes yEn estas memorias las operaciones de lectura son mucha más frecuentes y
rápidas que las de escritura.rápidas que las de escritura.
Tipo deTipo de
MemoriaMemoria
ClaseClase BorradoBorrado
Mecanis-Mecanis-
momo
DeDe
EscrituraEscritura
Volati-Volati-
lidadlidad
Ventajas-DesventajasVentajas-Desventajas
EPROMEPROM
ErasablePErasableP
ROMROM
SobreSobre
todotodo
lecturalectura
Luz ultravioletaLuz ultravioleta
LentoLento
(chip completo)(chip completo)
Eléctrica-Eléctrica-
mentemente
NoNo
volátilvolátil
-Borrado completo - lento-Borrado completo - lento
-Mas costosa que PROM-Mas costosa que PROM
EEPROMEEPROM
ElectricallElectricall
yy
ErasableErasable
PROMPROM
EléctricamenteEléctricamente
(por bytes)(por bytes)
-Solo se actualiza el byte-Solo se actualiza el byte
deseadodeseado
-Menos densa y más cara q-Menos densa y más cara q
EPROMEPROM
FlashFlash
EEPROMEEPROM
+ rápida+ rápida
EléctricamenteEléctricamente
+rapido+rapido
(por bloques)(por bloques)
- Rápida reprogramación- Rápida reprogramación
- +Densa q EEPROM- +Densa q EEPROM
- No se puede borrar a- No se puede borrar a
nivel bytenivel byte
ROM BIOSROM BIOS
Es una memoria ROM que contiene un programa (firmware) llamadoEs una memoria ROM que contiene un programa (firmware) llamado
BIOS (Basic Input Output System) este es el primer programa queBIOS (Basic Input Output System) este es el primer programa que
ejecuta el procesador al energizarse la PC y que tiene las siguientesejecuta el procesador al energizarse la PC y que tiene las siguientes
funciones:funciones:
 Verificar el funcionamiento del hardware POST (Power On Self Test)Verificar el funcionamiento del hardware POST (Power On Self Test)
 Traer del disco a memoria principal el S.O. (Bootear)Traer del disco a memoria principal el S.O. (Bootear)
 Almacena rutinas que se usan permanentemente para realizarAlmacena rutinas que se usan permanentemente para realizar
operaciones de E/Soperaciones de E/S
 Correr si el usuario lo solicita un programa interfaz que permiteCorrer si el usuario lo solicita un programa interfaz que permite
configurar distintos aspectos del hardware, esta interfaz se denominaconfigurar distintos aspectos del hardware, esta interfaz se denomina
“SETUP”. Las configuraciones del SETUP se guardan en una pequeña“SETUP”. Las configuraciones del SETUP se guardan en una pequeña
memoria RAM de tecnología CMOS (complementary metal oxidememoria RAM de tecnología CMOS (complementary metal oxide
semiconductor)semiconductor)
Ubicación de la ROM BIOSUbicación de la ROM BIOS
Es físicamente un chip incorporado en la placa base de tamañoEs físicamente un chip incorporado en la placa base de tamaño
512KB. (el tamaño puede variar dependiendo el ordenador)512KB. (el tamaño puede variar dependiendo el ordenador)
Tecnología actual de la ROM BIOSTecnología actual de la ROM BIOS
Actualmente la tecnología de estas memorias es del tipo FLASHActualmente la tecnología de estas memorias es del tipo FLASH
EEPROM , lo que permite que las mismas puedan actualizarse “inEEPROM , lo que permite que las mismas puedan actualizarse “in
situ” a través de la web del fabricante de la placa base, corriendositu” a través de la web del fabricante de la placa base, corriendo
aplicaciones diseñadas a tal efecto.aplicaciones diseñadas a tal efecto.
RAM CMOSRAM CMOS
Los cambios que el usuario realiza en el SETUP deben serLos cambios que el usuario realiza en el SETUP deben ser
almacenados en algún lugar, donde puedan permanecer una vez quealmacenados en algún lugar, donde puedan permanecer una vez que
se apague el sistema, para esto se utiliza esta pequeña memoriase apague el sistema, para esto se utiliza esta pequeña memoria
RAM de 64 Bytes que contendrá las configuraciones sobre discosRAM de 64 Bytes que contendrá las configuraciones sobre discos
instalados, orden de booteo y demás parámetros que el usuarioinstalados, orden de booteo y demás parámetros que el usuario
configure.configure.
También esta memoria contiene los datos de fecha y hora delTambién esta memoria contiene los datos de fecha y hora del
sistema.sistema.
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energize, la misma está alimentada por una pila que puede durarenergize, la misma está alimentada por una pila que puede durar
varios años.varios años.
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La memoria RAM principal es la memoria donde se hallan losLa memoria RAM principal es la memoria donde se hallan los
programas y datos con los que el ordenador esta trabajando,programas y datos con los que el ordenador esta trabajando,
por lo que su tamaño y performance tienen un impacto directopor lo que su tamaño y performance tienen un impacto directo
en la performance general del sistema. En términos generalesen la performance general del sistema. En términos generales
podemos decir que mientras mas grande y rápida sea lapodemos decir que mientras mas grande y rápida sea la
memoria RAM del sistema tanto mejor será su desempeño.memoria RAM del sistema tanto mejor será su desempeño.
Random Acces Memory , memoria de acceso aleatorio, haceRandom Acces Memory , memoria de acceso aleatorio, hace
referencia a la forma de acceso a las distintas posiciones dereferencia a la forma de acceso a las distintas posiciones de
memoria. En las memorias que son RAM se puede acceder enmemoria. En las memorias que son RAM se puede acceder en
forma aleatoria a cualquier posición de memoria y el tiempo deforma aleatoria a cualquier posición de memoria y el tiempo de
acceso es idéntico para cualesquiera de las posiciones.acceso es idéntico para cualesquiera de las posiciones.
Es volátil, cuando se desenergiza se pierden los datos.Es volátil, cuando se desenergiza se pierden los datos.
Clasificación de las Memorias RAMClasificación de las Memorias RAM
SRAMSRAM ((Static RAM)Static RAM) DRAMDRAM ((Dynamic RAM)Dynamic RAM)
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Son más rápidas , por eso seSon más rápidas , por eso se
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Son mas lentas, pero la relaciónSon mas lentas, pero la relación
velocidad/costo/capacidad las hacevelocidad/costo/capacidad las hace
deseables para usarlas como la partedeseables para usarlas como la parte
de memoria principal que almacena lade memoria principal que almacena la
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No requieren refresco de datosNo requieren refresco de datos Requieren refresco, pero en memoriasRequieren refresco, pero en memorias
grandes el costo de esta circuiteriagrandes el costo de esta circuiteria
extra se ve compensado por el menorextra se ve compensado por el menor
costo de la celda básicacosto de la celda básica
Organización interna de una memoria DRAMOrganización interna de una memoria DRAM
Memorias SDRAM (DRAM Sincrónica)Memorias SDRAM (DRAM Sincrónica)
 En una DRAM asicrónica el procesador direcciona la memoria y daEn una DRAM asicrónica el procesador direcciona la memoria y da
la orden de lectura o escritura, pero para poder llevar a cabo lala orden de lectura o escritura, pero para poder llevar a cabo la
operación debe esperar el Tiempo de acceso de la memoria, y enoperación debe esperar el Tiempo de acceso de la memoria, y en
ese tiempo queda osioso relantizando el sistema.ese tiempo queda osioso relantizando el sistema.
 En la memoria SDRAM se incluye una señal de Clock queEn la memoria SDRAM se incluye una señal de Clock que
sincroniza todo el sistema, entonces el microprocesador direccionasincroniza todo el sistema, entonces el microprocesador direcciona
la memoria y da la orden lectura o escritura, esta información esla memoria y da la orden lectura o escritura, esta información es
retenida por la SDRAM y al cabo de un numero determinado deretenida por la SDRAM y al cabo de un numero determinado de
ciclos de reloj (latencia) la SDRAM responderá. Pero mientrasciclos de reloj (latencia) la SDRAM responderá. Pero mientras
tanto el procesador estuvo liberado para realizar otras tareastanto el procesador estuvo liberado para realizar otras tareas
acelerando así el funcionamiento del sistema.acelerando así el funcionamiento del sistema.
 Ráfagas: La SDRAM emplea este modo para acelerar suRáfagas: La SDRAM emplea este modo para acelerar su
funcionamiento y consta de acceder (leer o escribir) en unafuncionamiento y consta de acceder (leer o escribir) en una
secuencia (ráfaga) a los bits de una fila ahorrándose los tiempossecuencia (ráfaga) a los bits de una fila ahorrándose los tiempos
de establecimiento de dirección y precarga de filas y columnasde establecimiento de dirección y precarga de filas y columnas
que solo se darán para la primera celda accesada.que solo se darán para la primera celda accesada.
Memorias SDRAM tipo DDR (Double Data Rate)Memorias SDRAM tipo DDR (Double Data Rate)
 Double Data Rate hace referencia a que estas memorias puedenDouble Data Rate hace referencia a que estas memorias pueden
transmitir dos bloques de datos por cada ciclo de reloj (1 bloque entransmitir dos bloques de datos por cada ciclo de reloj (1 bloque en
flanco ascendente y otro en el descendente) , a diferencia de lasflanco ascendente y otro en el descendente) , a diferencia de las
SDRAM SDR que solo transmiten un bloque de datos por ciclo deSDRAM SDR que solo transmiten un bloque de datos por ciclo de
reloj.reloj.
 Con el anterior punto es claro que para la misma frecuencia deCon el anterior punto es claro que para la misma frecuencia de
reloj una DDR transmitirá el doble de datos que una SDR, esto nosreloj una DDR transmitirá el doble de datos que una SDR, esto nos
da una frecuencia de reloj “virtual o efectiva” que es el doble de lada una frecuencia de reloj “virtual o efectiva” que es el doble de la
real.real.
Las DDR son etiquetadasLas DDR son etiquetadas
con esta frecuencia de relojcon esta frecuencia de reloj
virtual por ej en memoriavirtual por ej en memoria
DDR2-400 trabaja enDDR2-400 trabaja en
realidad a 200MHZ.realidad a 200MHZ.
La posibilidad de transmitirLa posibilidad de transmitir
datos en ambos flancos de relojdatos en ambos flancos de reloj
complejiza el diseño, pero escomplejiza el diseño, pero es
más factible y economico quemás factible y economico que
simplemente aumentar la frec desimplemente aumentar la frec de
reloj, ya que a medida que estareloj, ya que a medida que esta
aumenta la electrónica se haceaumenta la electrónica se hace
mas costosa.mas costosa.
Nomenclaturas DDRNomenclaturas DDR
Nomenclatura chipsNomenclatura chips Nomenclatura MódulosNomenclatura Módulos
DDRx-yyyyDDRx-yyyy
x:x: generación de DDR: 1,2 o 3generación de DDR: 1,2 o 3
yyyy:yyyy: frecuencia virtual (doble defrecuencia virtual (doble de
la real)la real)
PCx-zzzzPCx-zzzz
x:x: generación de DDR: 1,2, o 3generación de DDR: 1,2, o 3
zzzz:zzzz: máx. tasa teórica demáx. tasa teórica de
transferencia de datos (bytes/seg)transferencia de datos (bytes/seg)
= (frec. reloj efectiva x ancho= (frec. reloj efectiva x ancho
palabra) /8palabra) /8
Ancho palabra=64bits.Ancho palabra=64bits.
EjemploEjemplo
DDR2-600DDR2-600
Frecuencia real: 300MHZFrecuencia real: 300MHZ
EjemploEjemplo
zzzz= (600Mhz x 64) /8zzzz= (600Mhz x 64) /8
->transmite máximo 4800 MB/seg->transmite máximo 4800 MB/seg
PC2-4800PC2-4800
LatenciaLatencia
Latencia es el período de tiempo que utiliza la memoria para realizarLatencia es el período de tiempo que utiliza la memoria para realizar
una operación determinada.una operación determinada.
Hay varios tipos de latencia de los cuales una es el de uso másHay varios tipos de latencia de los cuales una es el de uso más
común e importante CAS Lantency.común e importante CAS Lantency.
Mientras menor se la latencia mas rápida será la memoria (para unaMientras menor se la latencia mas rápida será la memoria (para una
misma frecuencia de reloj)misma frecuencia de reloj)
Las latencias son del orden de nanosegundos (mil millonésima parteLas latencias son del orden de nanosegundos (mil millonésima parte
de 1 seg = 1 x 10de 1 seg = 1 x 10-9-9
seg)seg)
CAS LatencyCAS Latency
Es la cantidad de ciclos de relojEs la cantidad de ciclos de reloj
que transcurren entre una ordenque transcurren entre una orden
de lectura y la obtención del dato ade lectura y la obtención del dato a
la salida.la salida.
Para dos memorias de la mismaPara dos memorias de la misma
frecuencia la de menor latenciafrecuencia la de menor latencia
será más rápida.será más rápida.
Comparación de LatenciasComparación de Latencias
Normalmente lasNormalmente las DDR3 tienen latencias mayores que las DDR2 yDDR3 tienen latencias mayores que las DDR2 y
DDR, pero esto no quiere decir que sean mas lentas , ya que laDDR, pero esto no quiere decir que sean mas lentas , ya que la
frecuencia efectiva de reloj es mayor.frecuencia efectiva de reloj es mayor.
EJ: DDR-800 CL 5 vs DDR3-1333 CL7EJ: DDR-800 CL 5 vs DDR3-1333 CL7
Frecuencia realFrecuencia real DDR800DDR800 = 400MHZ -> T= 1/400Mhz = 2,5nseg= 400MHZ -> T= 1/400Mhz = 2,5nseg
Tiempo en obtener dato= T x CL = 2,5nseg x 5 = 12,5nsegTiempo en obtener dato= T x CL = 2,5nseg x 5 = 12,5nseg
Frecuencia realFrecuencia real DDR3-1333DDR3-1333 = 666,5Mhz -> T= 1/666,5Mhz=1,5nseg= 666,5Mhz -> T= 1/666,5Mhz=1,5nseg
Teimpo en obtener el dato= T x CL = 1,5nseg x 7 = 10,5nsegTeimpo en obtener el dato= T x CL = 1,5nseg x 7 = 10,5nseg
DDR3 wins !!!DDR3 wins !!!
Identificación del CAS Latency (CL) en un módulo DDRIdentificación del CAS Latency (CL) en un módulo DDR
Las latencias se especifican en los módulos memoria de la mismaLas latencias se especifican en los módulos memoria de la misma
forma por numeros separados por guiones donde el primero es elforma por numeros separados por guiones donde el primero es el
CLCL::
Voltajes de las diferentes tecnologíasVoltajes de las diferentes tecnologías
 La disminución del voltaje de trabajo trae aparejado una reducciónLa disminución del voltaje de trabajo trae aparejado una reducción
en el consumo de energía.en el consumo de energía.
DDRDDR DDR2DDR2 DDR3DDR3
2.5V2.5V 1.8V1.8V 1.5V1.5V
Formatos de los módulos de MemoriaFormatos de los módulos de Memoria
DDR :DDR : DIMMDIMM 184 pines184 pines
(Dual in line Memory(Dual in line Memory
Module)Module)
DIMM quiere decir queDIMM quiere decir que
tiene contactostiene contactos
independientes a ambosindependientes a ambos
lados de la placalados de la placa
DDR2 y 3 :DDR2 y 3 : DIMMDIMM 240240
pinespines
Diferencia en los chips de memoriaDiferencia en los chips de memoria
DDR :DDR : tiene chips deltiene chips del
tipo TSOPtipo TSOP
DDR2 y 3 :DDR2 y 3 : tiene chipstiene chips
del tipo BGAdel tipo BGA

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Memorias

  • 2. Unidad Nº4 MemoriasUnidad Nº4 Memorias MemoriaMemoria Dispositivo destinado al almacenamiento de información formado porDispositivo destinado al almacenamiento de información formado por biestables agrupados en “posiciones” las cuales pueden ser leídas y/obiestables agrupados en “posiciones” las cuales pueden ser leídas y/o escritas.escritas. Aclaración de conceptosAclaración de conceptos ROM:ROM: Read Only Memory , memoria de solo lectura, hace referencia aRead Only Memory , memoria de solo lectura, hace referencia a la volatilidad de los datos, las memorias que son ROM son no volátiles.la volatilidad de los datos, las memorias que son ROM son no volátiles. RAM:RAM: Random Acces Memory , memoria de acceso aleatorio, haceRandom Acces Memory , memoria de acceso aleatorio, hace referencia a la forma de acceso a las distintas posiciones de memoria.referencia a la forma de acceso a las distintas posiciones de memoria. En las memorias que son RAM se puede acceder en forma aleatoria aEn las memorias que son RAM se puede acceder en forma aleatoria a cualquier posición de memoria y el tiempo de acceso es idéntico paracualquier posición de memoria y el tiempo de acceso es idéntico para cualesquiera de las posiciones. En contraposición con las memorias decualesquiera de las posiciones. En contraposición con las memorias de acceso secuencial donde las posiciones de memoria deben ser accedidasacceso secuencial donde las posiciones de memoria deben ser accedidas en una secuencia determinada y por ende el tiempo de acceso a lasen una secuencia determinada y por ende el tiempo de acceso a las distintas posiciones de memoria varia.distintas posiciones de memoria varia. ParticularidadParticularidad: una memoria ROM puede ser de acceso aleatorio: una memoria ROM puede ser de acceso aleatorio (RAM).(RAM).
  • 3. Memorias (Memorias (Jerga InformáticaJerga Informática)) Memoria RAM :Memoria RAM : se refiere a la parte de la memoria principal es dese refiere a la parte de la memoria principal es de acceso aleatorio y de lectura – escritura, es la memoria dondeacceso aleatorio y de lectura – escritura, es la memoria donde residen los datos y programas que se están ejecutando.residen los datos y programas que se están ejecutando. Memoria ROM:Memoria ROM: se refiere a la parte de la memoria principal que esse refiere a la parte de la memoria principal que es de solo lectura y es en donde se halla el programa BIOS.de solo lectura y es en donde se halla el programa BIOS. *BIOS: Basic Input Output System*BIOS: Basic Input Output System
  • 4. Características claves de las MemoriasCaracterísticas claves de las Memorias Ubicación:Ubicación: CPUCPU Interna (principal)Interna (principal) Externa (secundaria)Externa (secundaria) Método de Acceso:Método de Acceso: SecuencialSecuencial AleatorioAleatorio DirectoDirecto AsociativoAsociativo Volatilidad:Volatilidad: VolátilVolátil No VolátilNo Volátil Capacidad:Capacidad: Tamaño de palabraTamaño de palabra Número de palabrasNúmero de palabras Prestaciones:Prestaciones: Tiempo de accesoTiempo de acceso Tiempo de cicloTiempo de ciclo Velocidad deVelocidad de transferenciatransferencia Unidad deUnidad de Transferencia:Transferencia: PalabraPalabra BloqueBloque Soporte físico:Soporte físico: SemiconductorSemiconductor MagnéticoMagnético ÓpticoÓptico
  • 5. Principales parámetros:Principales parámetros: Capacidad:Capacidad: Es la cantidad de información que puede almacenar la memoria, seEs la cantidad de información que puede almacenar la memoria, se expresa en Bytes ( o en sus mútiplos) , la capacidad estaráexpresa en Bytes ( o en sus mútiplos) , la capacidad estará determinada por la cantidad de posiciones de memoria ( Número dedeterminada por la cantidad de posiciones de memoria ( Número de palabras) y el ancho o tamaño de palabra ( 8, 16, 32, 64, 128 bits).palabras) y el ancho o tamaño de palabra ( 8, 16, 32, 64, 128 bits). En general si:En general si: N = número de palabrasN = número de palabras A = cantidad de líneas de direcciónA = cantidad de líneas de dirección Se debe cumplir que 2Se debe cumplir que 2AA = N= N Unidades:Unidades: Byte (B)Byte (B) KiloByteKiloByte (KB)(KB) MegaByteMegaByte (MB)(MB) GigaByteGigaByte (GB)(GB) TeraByteTeraByte (TB)(TB) PetaBytePetaByte (PB)(PB) 8 bits8 bits 1024 B1024 B 1024 KB1024 KB 1024 MB1024 MB 1024 GB1024 GB 1024 TB1024 TB 221010 BytesBytes 222020 BytesBytes 223030 BytesBytes 224040 BytesBytes 225050 BytesBytes
  • 6. Principales parámetros en las Memorias:Principales parámetros en las Memorias: Tiempo de acceso:Tiempo de acceso: Es el tiempo que tarda en realizarse una operación de lecturaEs el tiempo que tarda en realizarse una operación de lectura o escritura, es decir tiempo que transcurre desde que seo escritura, es decir tiempo que transcurre desde que se presenta una dirección de memoria y la posterior orden depresenta una dirección de memoria y la posterior orden de lectura o escrituralectura o escritura hastahasta que el dato está disponible para suque el dato está disponible para su lectura o bien ya fue memorizado.lectura o bien ya fue memorizado. Tiempo de ciclo de memoria:Tiempo de ciclo de memoria: Es el tiempo de acceso + un cierto tiempo extra necesarioEs el tiempo de acceso + un cierto tiempo extra necesario para la memoria este lista para otra operación de lectura opara la memoria este lista para otra operación de lectura o escritura.escritura. Velocidad de transferencia:Velocidad de transferencia: Es la velocidad a la que se pueden transferir datos a ó desdeEs la velocidad a la que se pueden transferir datos a ó desde la memoria. Coincide con el inverso del Tiempo de ciclo dela memoria. Coincide con el inverso del Tiempo de ciclo de memoria.memoria.
  • 7. Direccionamiento de Memoria:Direccionamiento de Memoria: Es el proceso por el cual se “elije” la posición de memoria queEs el proceso por el cual se “elije” la posición de memoria que será escrita o leída. Para ello el up coloca en el bus deserá escrita o leída. Para ello el up coloca en el bus de direcciones la dirección real ( o fìsica) de la posición adirecciones la dirección real ( o fìsica) de la posición a acceder, luego se da la orden de lectura o escritura y luego deacceder, luego se da la orden de lectura o escritura y luego de transcurrido el tiempo de acceso el dato estará disponibletranscurrido el tiempo de acceso el dato estará disponible para su lectura o será memorizado.para su lectura o será memorizado. Lectura de Memoria:Lectura de Memoria: Primero se direcciona la posición a acceder y luego se da laPrimero se direcciona la posición a acceder y luego se da la orden de lectura , transcurrido el tiempo de acceso el datoorden de lectura , transcurrido el tiempo de acceso el dato estará disponible en el bus de datos para su lectura.estará disponible en el bus de datos para su lectura. Escritura de Memoria:Escritura de Memoria: Primero se direcciona la posición a acceder y luego se da laPrimero se direcciona la posición a acceder y luego se da la orden de escritura , transcurrido el tiempo de acceso el datoorden de escritura , transcurrido el tiempo de acceso el dato quedará memorizado.quedará memorizado.
  • 8. Memorias ROMMemorias ROM Son memorias de solo lectura (Read Only Memory) y su principalSon memorias de solo lectura (Read Only Memory) y su principal característica es que son No volátiles.característica es que son No volátiles. Se utilizan principalmente en donde se requiere que los datosSe utilizan principalmente en donde se requiere que los datos permanezcan una vez que se quito la energía y no es admisible el tiempopermanezcan una vez que se quito la energía y no es admisible el tiempo de espera que supondría cargar los datos desde memoria externa,de espera que supondría cargar los datos desde memoria externa, principales usos:principales usos: --Memoria de micro instruccionesMemoria de micro instrucciones --BiosBios Tipo deTipo de memoriamemoria ClaseClase BorradoBorrado Mecanismo deMecanismo de escrituraescritura Volatili-dadVolatili-dad ROMROM Solo LecturaSolo Lectura No posibleNo posible En la fabricaciónEn la fabricación ““Datos cableados”Datos cableados” No volátilNo volátil PROMPROM Eléctricamente,Eléctricamente, después de ladespués de la fabricación con unfabricación con un dispositivodispositivo especial.especial. Clasificación y CaracterísticasClasificación y Características
  • 9. Tipo de MemoriaTipo de Memoria VentajasVentajas DesventajasDesventajas ROMROM •Alta densidadAlta densidad •Mejor para grandesMejor para grandes producciones ya q suproducciones ya q su gran costo fijo degran costo fijo de escritura se veescritura se ve amortizado.amortizado. •Gran costo fijo deGran costo fijo de escritura para una oescritura para una o muchas, fabricar pocasmuchas, fabricar pocas cantidades es costoso.cantidades es costoso. •Un fallo en el cableadoUn fallo en el cableado de datos y hay qde datos y hay q desechar la memoriadesechar la memoria PROMPROM •Mas flexibilidad, seMas flexibilidad, se pueden fabricar y luegopueden fabricar y luego grabar el programa, agrabar el programa, a cada unidad se le puedecada unidad se le puede grabar un programagrabar un programa distintodistinto •Menos DensidadMenos Densidad •Un fallo en la grabaciónUn fallo en la grabación hay q desechar lahay q desechar la memoriamemoria ROM y PROM ventajas y desventajasROM y PROM ventajas y desventajas
  • 10. Opción a las ROM: memorias de “Sobre todo Lectura”Opción a las ROM: memorias de “Sobre todo Lectura” Se utilizan cuando es necesario actualizar el contenido que almacenan, ejemplo laSe utilizan cuando es necesario actualizar el contenido que almacenan, ejemplo la actualización del firmware de un controlador.actualización del firmware de un controlador. En estas memorias las operaciones de lectura son mucha más frecuentes yEn estas memorias las operaciones de lectura son mucha más frecuentes y rápidas que las de escritura.rápidas que las de escritura. Tipo deTipo de MemoriaMemoria ClaseClase BorradoBorrado Mecanis-Mecanis- momo DeDe EscrituraEscritura Volati-Volati- lidadlidad Ventajas-DesventajasVentajas-Desventajas EPROMEPROM ErasablePErasableP ROMROM SobreSobre todotodo lecturalectura Luz ultravioletaLuz ultravioleta LentoLento (chip completo)(chip completo) Eléctrica-Eléctrica- mentemente NoNo volátilvolátil -Borrado completo - lento-Borrado completo - lento -Mas costosa que PROM-Mas costosa que PROM EEPROMEEPROM ElectricallElectricall yy ErasableErasable PROMPROM EléctricamenteEléctricamente (por bytes)(por bytes) -Solo se actualiza el byte-Solo se actualiza el byte deseadodeseado -Menos densa y más cara q-Menos densa y más cara q EPROMEPROM FlashFlash EEPROMEEPROM + rápida+ rápida EléctricamenteEléctricamente +rapido+rapido (por bloques)(por bloques) - Rápida reprogramación- Rápida reprogramación - +Densa q EEPROM- +Densa q EEPROM - No se puede borrar a- No se puede borrar a nivel bytenivel byte
  • 11. ROM BIOSROM BIOS Es una memoria ROM que contiene un programa (firmware) llamadoEs una memoria ROM que contiene un programa (firmware) llamado BIOS (Basic Input Output System) este es el primer programa queBIOS (Basic Input Output System) este es el primer programa que ejecuta el procesador al energizarse la PC y que tiene las siguientesejecuta el procesador al energizarse la PC y que tiene las siguientes funciones:funciones:  Verificar el funcionamiento del hardware POST (Power On Self Test)Verificar el funcionamiento del hardware POST (Power On Self Test)  Traer del disco a memoria principal el S.O. (Bootear)Traer del disco a memoria principal el S.O. (Bootear)  Almacena rutinas que se usan permanentemente para realizarAlmacena rutinas que se usan permanentemente para realizar operaciones de E/Soperaciones de E/S  Correr si el usuario lo solicita un programa interfaz que permiteCorrer si el usuario lo solicita un programa interfaz que permite configurar distintos aspectos del hardware, esta interfaz se denominaconfigurar distintos aspectos del hardware, esta interfaz se denomina “SETUP”. Las configuraciones del SETUP se guardan en una pequeña“SETUP”. Las configuraciones del SETUP se guardan en una pequeña memoria RAM de tecnología CMOS (complementary metal oxidememoria RAM de tecnología CMOS (complementary metal oxide semiconductor)semiconductor) Ubicación de la ROM BIOSUbicación de la ROM BIOS Es físicamente un chip incorporado en la placa base de tamañoEs físicamente un chip incorporado en la placa base de tamaño 512KB. (el tamaño puede variar dependiendo el ordenador)512KB. (el tamaño puede variar dependiendo el ordenador)
  • 12. Tecnología actual de la ROM BIOSTecnología actual de la ROM BIOS Actualmente la tecnología de estas memorias es del tipo FLASHActualmente la tecnología de estas memorias es del tipo FLASH EEPROM , lo que permite que las mismas puedan actualizarse “inEEPROM , lo que permite que las mismas puedan actualizarse “in situ” a través de la web del fabricante de la placa base, corriendositu” a través de la web del fabricante de la placa base, corriendo aplicaciones diseñadas a tal efecto.aplicaciones diseñadas a tal efecto. RAM CMOSRAM CMOS Los cambios que el usuario realiza en el SETUP deben serLos cambios que el usuario realiza en el SETUP deben ser almacenados en algún lugar, donde puedan permanecer una vez quealmacenados en algún lugar, donde puedan permanecer una vez que se apague el sistema, para esto se utiliza esta pequeña memoriase apague el sistema, para esto se utiliza esta pequeña memoria RAM de 64 Bytes que contendrá las configuraciones sobre discosRAM de 64 Bytes que contendrá las configuraciones sobre discos instalados, orden de booteo y demás parámetros que el usuarioinstalados, orden de booteo y demás parámetros que el usuario configure.configure. También esta memoria contiene los datos de fecha y hora delTambién esta memoria contiene los datos de fecha y hora del sistema.sistema. Para que esta memoria no pierda los datos cuando el sistema se des-Para que esta memoria no pierda los datos cuando el sistema se des- energize, la misma está alimentada por una pila que puede durarenergize, la misma está alimentada por una pila que puede durar varios años.varios años.
  • 13. Memorias RAMMemorias RAM La memoria RAM principal es la memoria donde se hallan losLa memoria RAM principal es la memoria donde se hallan los programas y datos con los que el ordenador esta trabajando,programas y datos con los que el ordenador esta trabajando, por lo que su tamaño y performance tienen un impacto directopor lo que su tamaño y performance tienen un impacto directo en la performance general del sistema. En términos generalesen la performance general del sistema. En términos generales podemos decir que mientras mas grande y rápida sea lapodemos decir que mientras mas grande y rápida sea la memoria RAM del sistema tanto mejor será su desempeño.memoria RAM del sistema tanto mejor será su desempeño. Random Acces Memory , memoria de acceso aleatorio, haceRandom Acces Memory , memoria de acceso aleatorio, hace referencia a la forma de acceso a las distintas posiciones dereferencia a la forma de acceso a las distintas posiciones de memoria. En las memorias que son RAM se puede acceder enmemoria. En las memorias que son RAM se puede acceder en forma aleatoria a cualquier posición de memoria y el tiempo deforma aleatoria a cualquier posición de memoria y el tiempo de acceso es idéntico para cualesquiera de las posiciones.acceso es idéntico para cualesquiera de las posiciones. Es volátil, cuando se desenergiza se pierden los datos.Es volátil, cuando se desenergiza se pierden los datos.
  • 14. Clasificación de las Memorias RAMClasificación de las Memorias RAM SRAMSRAM ((Static RAM)Static RAM) DRAMDRAM ((Dynamic RAM)Dynamic RAM) Celda más compleja, menosCelda más compleja, menos densidad, mas costo.densidad, mas costo. Celda más simple, mas densidad,Celda más simple, mas densidad, menos costo.menos costo. Son más rápidas , por eso seSon más rápidas , por eso se usan como caché.usan como caché. Son mas lentas, pero la relaciónSon mas lentas, pero la relación velocidad/costo/capacidad las hacevelocidad/costo/capacidad las hace deseables para usarlas como la partedeseables para usarlas como la parte de memoria principal que almacena lade memoria principal que almacena la mayor cantidad de información.mayor cantidad de información. No requieren refresco de datosNo requieren refresco de datos Requieren refresco, pero en memoriasRequieren refresco, pero en memorias grandes el costo de esta circuiteriagrandes el costo de esta circuiteria extra se ve compensado por el menorextra se ve compensado por el menor costo de la celda básicacosto de la celda básica
  • 15. Organización interna de una memoria DRAMOrganización interna de una memoria DRAM
  • 16. Memorias SDRAM (DRAM Sincrónica)Memorias SDRAM (DRAM Sincrónica)  En una DRAM asicrónica el procesador direcciona la memoria y daEn una DRAM asicrónica el procesador direcciona la memoria y da la orden de lectura o escritura, pero para poder llevar a cabo lala orden de lectura o escritura, pero para poder llevar a cabo la operación debe esperar el Tiempo de acceso de la memoria, y enoperación debe esperar el Tiempo de acceso de la memoria, y en ese tiempo queda osioso relantizando el sistema.ese tiempo queda osioso relantizando el sistema.  En la memoria SDRAM se incluye una señal de Clock queEn la memoria SDRAM se incluye una señal de Clock que sincroniza todo el sistema, entonces el microprocesador direccionasincroniza todo el sistema, entonces el microprocesador direcciona la memoria y da la orden lectura o escritura, esta información esla memoria y da la orden lectura o escritura, esta información es retenida por la SDRAM y al cabo de un numero determinado deretenida por la SDRAM y al cabo de un numero determinado de ciclos de reloj (latencia) la SDRAM responderá. Pero mientrasciclos de reloj (latencia) la SDRAM responderá. Pero mientras tanto el procesador estuvo liberado para realizar otras tareastanto el procesador estuvo liberado para realizar otras tareas acelerando así el funcionamiento del sistema.acelerando así el funcionamiento del sistema.  Ráfagas: La SDRAM emplea este modo para acelerar suRáfagas: La SDRAM emplea este modo para acelerar su funcionamiento y consta de acceder (leer o escribir) en unafuncionamiento y consta de acceder (leer o escribir) en una secuencia (ráfaga) a los bits de una fila ahorrándose los tiempossecuencia (ráfaga) a los bits de una fila ahorrándose los tiempos de establecimiento de dirección y precarga de filas y columnasde establecimiento de dirección y precarga de filas y columnas que solo se darán para la primera celda accesada.que solo se darán para la primera celda accesada.
  • 17. Memorias SDRAM tipo DDR (Double Data Rate)Memorias SDRAM tipo DDR (Double Data Rate)  Double Data Rate hace referencia a que estas memorias puedenDouble Data Rate hace referencia a que estas memorias pueden transmitir dos bloques de datos por cada ciclo de reloj (1 bloque entransmitir dos bloques de datos por cada ciclo de reloj (1 bloque en flanco ascendente y otro en el descendente) , a diferencia de lasflanco ascendente y otro en el descendente) , a diferencia de las SDRAM SDR que solo transmiten un bloque de datos por ciclo deSDRAM SDR que solo transmiten un bloque de datos por ciclo de reloj.reloj.  Con el anterior punto es claro que para la misma frecuencia deCon el anterior punto es claro que para la misma frecuencia de reloj una DDR transmitirá el doble de datos que una SDR, esto nosreloj una DDR transmitirá el doble de datos que una SDR, esto nos da una frecuencia de reloj “virtual o efectiva” que es el doble de lada una frecuencia de reloj “virtual o efectiva” que es el doble de la real.real. Las DDR son etiquetadasLas DDR son etiquetadas con esta frecuencia de relojcon esta frecuencia de reloj virtual por ej en memoriavirtual por ej en memoria DDR2-400 trabaja enDDR2-400 trabaja en realidad a 200MHZ.realidad a 200MHZ. La posibilidad de transmitirLa posibilidad de transmitir datos en ambos flancos de relojdatos en ambos flancos de reloj complejiza el diseño, pero escomplejiza el diseño, pero es más factible y economico quemás factible y economico que simplemente aumentar la frec desimplemente aumentar la frec de reloj, ya que a medida que estareloj, ya que a medida que esta aumenta la electrónica se haceaumenta la electrónica se hace mas costosa.mas costosa.
  • 18. Nomenclaturas DDRNomenclaturas DDR Nomenclatura chipsNomenclatura chips Nomenclatura MódulosNomenclatura Módulos DDRx-yyyyDDRx-yyyy x:x: generación de DDR: 1,2 o 3generación de DDR: 1,2 o 3 yyyy:yyyy: frecuencia virtual (doble defrecuencia virtual (doble de la real)la real) PCx-zzzzPCx-zzzz x:x: generación de DDR: 1,2, o 3generación de DDR: 1,2, o 3 zzzz:zzzz: máx. tasa teórica demáx. tasa teórica de transferencia de datos (bytes/seg)transferencia de datos (bytes/seg) = (frec. reloj efectiva x ancho= (frec. reloj efectiva x ancho palabra) /8palabra) /8 Ancho palabra=64bits.Ancho palabra=64bits. EjemploEjemplo DDR2-600DDR2-600 Frecuencia real: 300MHZFrecuencia real: 300MHZ EjemploEjemplo zzzz= (600Mhz x 64) /8zzzz= (600Mhz x 64) /8 ->transmite máximo 4800 MB/seg->transmite máximo 4800 MB/seg PC2-4800PC2-4800
  • 19. LatenciaLatencia Latencia es el período de tiempo que utiliza la memoria para realizarLatencia es el período de tiempo que utiliza la memoria para realizar una operación determinada.una operación determinada. Hay varios tipos de latencia de los cuales una es el de uso másHay varios tipos de latencia de los cuales una es el de uso más común e importante CAS Lantency.común e importante CAS Lantency. Mientras menor se la latencia mas rápida será la memoria (para unaMientras menor se la latencia mas rápida será la memoria (para una misma frecuencia de reloj)misma frecuencia de reloj) Las latencias son del orden de nanosegundos (mil millonésima parteLas latencias son del orden de nanosegundos (mil millonésima parte de 1 seg = 1 x 10de 1 seg = 1 x 10-9-9 seg)seg) CAS LatencyCAS Latency Es la cantidad de ciclos de relojEs la cantidad de ciclos de reloj que transcurren entre una ordenque transcurren entre una orden de lectura y la obtención del dato ade lectura y la obtención del dato a la salida.la salida. Para dos memorias de la mismaPara dos memorias de la misma frecuencia la de menor latenciafrecuencia la de menor latencia será más rápida.será más rápida.
  • 20. Comparación de LatenciasComparación de Latencias Normalmente lasNormalmente las DDR3 tienen latencias mayores que las DDR2 yDDR3 tienen latencias mayores que las DDR2 y DDR, pero esto no quiere decir que sean mas lentas , ya que laDDR, pero esto no quiere decir que sean mas lentas , ya que la frecuencia efectiva de reloj es mayor.frecuencia efectiva de reloj es mayor. EJ: DDR-800 CL 5 vs DDR3-1333 CL7EJ: DDR-800 CL 5 vs DDR3-1333 CL7 Frecuencia realFrecuencia real DDR800DDR800 = 400MHZ -> T= 1/400Mhz = 2,5nseg= 400MHZ -> T= 1/400Mhz = 2,5nseg Tiempo en obtener dato= T x CL = 2,5nseg x 5 = 12,5nsegTiempo en obtener dato= T x CL = 2,5nseg x 5 = 12,5nseg Frecuencia realFrecuencia real DDR3-1333DDR3-1333 = 666,5Mhz -> T= 1/666,5Mhz=1,5nseg= 666,5Mhz -> T= 1/666,5Mhz=1,5nseg Teimpo en obtener el dato= T x CL = 1,5nseg x 7 = 10,5nsegTeimpo en obtener el dato= T x CL = 1,5nseg x 7 = 10,5nseg DDR3 wins !!!DDR3 wins !!!
  • 21. Identificación del CAS Latency (CL) en un módulo DDRIdentificación del CAS Latency (CL) en un módulo DDR Las latencias se especifican en los módulos memoria de la mismaLas latencias se especifican en los módulos memoria de la misma forma por numeros separados por guiones donde el primero es elforma por numeros separados por guiones donde el primero es el CLCL::
  • 22. Voltajes de las diferentes tecnologíasVoltajes de las diferentes tecnologías  La disminución del voltaje de trabajo trae aparejado una reducciónLa disminución del voltaje de trabajo trae aparejado una reducción en el consumo de energía.en el consumo de energía. DDRDDR DDR2DDR2 DDR3DDR3 2.5V2.5V 1.8V1.8V 1.5V1.5V
  • 23. Formatos de los módulos de MemoriaFormatos de los módulos de Memoria DDR :DDR : DIMMDIMM 184 pines184 pines (Dual in line Memory(Dual in line Memory Module)Module) DIMM quiere decir queDIMM quiere decir que tiene contactostiene contactos independientes a ambosindependientes a ambos lados de la placalados de la placa DDR2 y 3 :DDR2 y 3 : DIMMDIMM 240240 pinespines
  • 24. Diferencia en los chips de memoriaDiferencia en los chips de memoria DDR :DDR : tiene chips deltiene chips del tipo TSOPtipo TSOP DDR2 y 3 :DDR2 y 3 : tiene chipstiene chips del tipo BGAdel tipo BGA