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Eletrônica II

Transistores de Efeito de Campo

Introdução
 Os transistores bipolares são dispositivos controlados por corrente,
isto é, a corrente de coletor é controlada pela corrente de base.

 No caso do FET (Field-Effect Transistor ou Transistor de Efeito de
Campo) a corrente é controlada pela tensão ou pelo campo
elétrico.

 Vantagens do FET em relação ao transistor bipolar: altíssima
impedância de entrada além de ser um dispositivo de baixo ruído.

gustavo.tai@hotmail.com 2

Aspectos Construtivos do JFET
 O JFET é um dispositivo unipolar (o que significa apenas um tipo
de portador, elétron ou lacuna, é responsável pela corrente
controlada).

 Fisicamente, podem ser encontrados dois tipos de JFET: JFET-
Canal N e JFET Canal-P.

 Simbologia:


Terminais:

 Fonte (source)

 Dreno (drain)

 Porta (gate): faz o controle
da passagem dos elétrons.


Construção do JFET

 A figura acima mostra um JFET de canal N.
 O aspecto construtivo mostrado na figura é utilizado apenas para
fins didáticos.
 Na prática, é extremamente complicado o processo de dopagem
nos dois lados do substrato.

Funcionamento do JFET

 O objetivo é controlar a corrente iD que
circula entre a fonte e o dreno. Isto pode
ser feito aplicando-se uma tensão na porta.

 Com o potencial de porta igual a zero (VG=0
ou VGS=0), aplicando-se uma tensão entre o
dreno e a fonte (VD ou VDS), surge uma
corrente iD, como indica a figura.


Funcionamento
 A dopagem da região da porta é muito maior do
que a do canal, desta forma a região de depleção
(região de carga espacial) será muito maior do lado
do canal.
Parâmetros encontrados:
 IDSS - corrente máxima que o JFET pode produzir, na
qual ocorre o estrangulamento do canal quando V GS=0.
 VPO – tensão máxima de saturação ou de
estrangulamento (pinch-off).
 VP – tensão na qual ocorre o corte do dispositivo.
 BVDSS – tensão de ruptura do dispositivo para VGS = 0.


Funcionamento Consideremos inicialmente VDS=0 e
apliquemos uma tensão VGS com a
polaridade indicada na figura e que
polariza reversamente a junção PN.

Inicialmente o canal estará todo aberto e
entre e dreno e fonte existirá um canal
com uma determinada resistência.

Como a tensão aplicada na resistência é
zero a corrente resultante será zero (ID=0).


Funcionamento
Se a tensão de porta for aumentada,
aumenta a polarização reversa o que faz
a região de carga espacial avançar mais
no canal até fechá-lo totalmente.

A tensão de porta que provoca o
fechamento total do canal é chamada de
tensão de pinçamento (pinch-off em
inglês), VPO, sendo uma quantidade
negativa no caso de canal N e positiva
para o canal P.


Funcionamento Agora consideremos VGS=0 e apliquemos uma
tensão entre dreno e fonte com a polaridade
indicada na figura .
O que acontece com a corrente quando VDS
varia?
Inicialmente com o VDS pequeno o canal
praticamente não se altera e dentro de certos
limites o dispositivo se comporta como uma
resistência.
À medida que VDS aumenta, a corrente de
dreno aumenta provocando uma queda de
tensão ao longo do canal que faz com que o
estreitamento não seja uniforme.


Na figura a corrente de dreno provoca entre o
ponto A e a fonte uma tensão VA e entre o
ponto B e a fonte uma tensão VB estando claro
que VA>VB.

Estas tensões são aplicadas na junção de
forma reversa e no ponto onde a tensão
reversa é maior a região de carga espacial
avança mais no canal,isto é, o estreitamento é
maior próximo do dreno.

IDSS = corrente de curto circuito entre dreno e fonte
ou drain-source shorted current e corresponde à
corrente máxima de dreno que o JFET pode
produzir.

O estreitamento é máximo quando a tensão de
dreno for igual à tensão de pinçamento em modulo.

Se a tensão de dreno aumentar mais ainda, as
regiões de carga espacial não se tocam, ao invés
disso o estreitamento aumenta ao longo do canal
conforme figura e a corrente de dreno se mantém
aproximadamente constante em IDSS, isto é, o
dispositivo passa a se comportar como uma fonte de
corrente constante.

Na pratica existe um pequeno aumento em ID
quando VDS aumenta além de VP.
Se a tensão de dreno aumentar mais ainda, eventualmente será atingida uma
tensão que provocará a ruptura da junção, destruindo o dispositivo. Esta tensão é
designada por BVDSS

Aumento da Camada de Depleção e Estreitamento do Canal

 A partir de um certo valor de VDS ocorre o estrangulamento do canal
(estreitamento máximo), fazendo com que a corrente iD permaneça
praticamente constante.

 Essa tensão é chamada de tensão de estrangulamento ou pinch off (VPO) e
corresponde à tensão máxima de saturação do JFET.

 A corrente de dreno para VGS=0, no seu ponto máximo, é denominada
corrente de curto circuito entre dreno e fonte ou drain-source shorted
current (IDSS) e corresponde à corrente máxima de dreno que o JFET pode
produzir.
 Mostramos abaixo a curva característica de dreno.


Curvas de Dreno
 Com uma pequena tensão entre dreno e fonte VDS, a região N
funciona como uma resistência e a corrente iD aumenta
linearmente conforme VDS aumenta.

 Conforme VDS aumenta, aparece uma tensão entre a fonte e a
região de porta (VGS), polarizando reversamente essa junção.

 Isso faz com que a camada de depleção aumente, estreitando o
canal, o que aumenta a resistência na região N, fazendo com que
diminua a taxa de crescimento de iD.

 Aplicando-se entre porta e fonte uma tensão de polarização reversa
(VGS1<0), haverá um aumento na camada de depleção, fazendo com que
o estrangulamento do canal ocorra para valores menores de V DS e ID. O
mesmo ocorre para outros valores negativos de VGS.


 Para cada valor de VGS, obtém-se uma curva característica de dreno, até
que ele atinja a tensão de corte = VP, na qual iD é praticamente zero.
 Para qualquer FET a tensão de corte VP é igual, em módulo, à tensão de
estrangulamento do canal (VPO).
VP = VPO
A corrente através da porta (iG) é muito pequena e desprezível, garantindo
uma altíssima impedância de entrada (ZE).
Essa resistência pode ser calculada através da tensão máxima V GS que
causa o corte do JFET (com VDS=0) e da corrente de porta de corte IGSS
(gate-source shorted current).
ZE = VGS(VDS=0)
gustavo.tai@hotmail.com IGSS 17

Exemplo:
 No JFET BF245, para –VGS = 20V, com VDS = 0, tem-se IGSS = 5nA.
Calcule ZE.

Relembrando: ZE = VGS(VDS=0)
IGSS

 ZE = 20 / 5x10-9 = 4GΩ

Há uma grande semelhança entre as curvas do JFET e a curva
característica de saída do transistor bipolar, tendo, inclusive, as mesmas
regiões: corte, saturação, ativa e de ruptura.
Parâmetros encontrados:
IDSS - corrente máxima que o JFET pode
produzir, na qual ocorre o estrangulamento
do canal quando VGS=0.

VPO – tensão máxima de saturação ou de
estrangulamento (pinch-off).
VP – tensão na qual ocorre o corte do
dispositivo.
BVDSS – tensão de ruptura do dispositivo
para VGS = 0.

Exemplo de Curvas de Dreno
 Se a tensão de porta foi fixada em
VGS=0V, e a tensão de dreno for variada,
o gráfico da corrente de dreno em
função da tensão de dreno é obtido,
IDxVDS, tendo VGS como parâmetro.
 A figura mostra o circuito para obter as
curvas características de dreno.
 O gráfico no próximo slide mostra a
curva de dreno do JFET quando VGS=0 e
a tensão de dreno varia, para um JFET
(2N4393) canal N com VP= - 2,81V.

Se a tensão de
dreno aumentar
mais ainda,
eventualmente
será atingida
uma tensão,
BVDSS para a
qual a junção PN
sofrerá ruptura.


Exemplo de Curvas de Dreno
Inicialmente com VDS=0 a corrente de dreno ID também é zero.
Com VDS aumentando e inicialmente bem menor do que VP o comportamento é de
uma resistência, isto é, se a tensão de dreno dobrar de valor a corrente de dreno
também dobra de valor.
Dizemos que a região de operação é chamada de região ôhmica ou saturação (o
JFET se comporta como uma resistência controlada por VGS).
À medida que a tensão de dreno se aproxima da tensão de pinçamento (VPO) e o
canal se aproxima do estreitamento máximo, a curva começa a se inclinar
(resistência do dreno aumenta).
A corrente de dreno para VDS=VPO é denominada de IDSS, corrente na saturação.
Se a tensão de dreno aumentar além desse valor a variação da corrente de dreno
fica constante em IDSS.
Por exemplo para o transistor 2N4393 IDSS=30mA.

Se agora for aplicada uma tensão, de porta de digamos VGS = -1V, e o
procedimento é repetido, isto é, a tensão de dreno é variada a partir de
zero, será obtida uma curva semelhante à anterior porém com um valor
de corrente na saturação menor que IDSS.

O valor de VDS que provocará o pinçamento será menor, neste caso
aproximadamente 1,8V.

De uma forma geral o valor de VDS que provoca o pinçamento é dado
por:


O conjunto de curvas para os diferentes valores de VGS é chamado de curvas
características de dreno.

Curva de Transferência
 A curva de transferência ou de transcondutância mostra como i D varia em
função da tensão VGS aplicada à porta, conforme mostra a curva.
 Esta curva é obtida para o maior valor de VDS indicado na curva de dreno.
 Esta curva é um trecho de parábola que tem como equação:

gustavo.tai@hotmail.com

 Alguns fabricantes não fornecem a curva de transferência. Com
a equação anterior é possível obtê-la, esta equação é válida
para qualquer JFET.

 O JFET possui tolerâncias muito elevadas.
 Por isso os manuais fornecem as curvas típicas ou médias de
dreno e transferência, ou os valores máximos e mínimos para o
par IDSS e VP.

 Isso resultaria em duas parábolas, sendo uma para valores
máximos e outra para valores mínimos.

Exemplo de Curva Característica

28

 Com os dados mínimos e máximos de IDSS e VP e através da equação da
curva de transferência, as duas parábolas podem ser traçadas, como
mostradas a seguir:

Pontos da parábola mínima:
Para VGS = -0,3V ID = 0,32mA
Para VGS = -0,1V ID = 1,28mA

Pontos da parábola máxima:
Para VGS = -6V ID = 0,41mA 1,28

Para VGS = -3V ID = 2,54mA
Para VGS= -1V ID = 5mA

29

As curvas
Curva característica de Dreno
características de
transferência relacionam a
saída, corrente de dreno
(ID), com a entrada, tensão
de porta (VGS).
Essas curvas são
obtidas para um valor de
VDS, por exemplo VDS=5V.
O gráfico de IDxVGS é
chamado de curva
característica de
transferência, pois
transfere os valores de
entrada para a saída.

Curva Característica De Transferência

O gráfico
de IDxVGS é
chamado de
curva
característica
de
transferência
, pois
transfere os
valores de
entrada para
a saída.


 A equação que relaciona corrente de dreno com tensão de
porta é dada aproximadamente por:
onde IDSS é a corrente de dreno na saturação
para VGS=0 e VP a tensão de pinçamento.

Exemplo: Se VGS= -1V qual a corrente de dreno considerando o
transistor 2N4393?
Como Vp= -2,81V e IDSS=36mA então:

 Valor que pode ser obtido diretamente das curvas características.


Polarização do JFET
 Polarizar um JFET é determinar o seu ponto quiescente ou de operação
(IDQ, VGSQ e VDSQ).

 A potência dissipada pelo JFET polarizado é dada por:
PD = VDSQ . IDQ

Atenção na hora de polarizar um JFET:
 A tensão V deve ser menor que B ;
DD DVSS

 A potência dissipada pelo JFET deve ser menor que PDmáx, dada pelo
fabricante;
 A configuração fonte (source) comum é a mais utilizada para o JFET.
Assim os tipos de polarização estarão baseados nela.

Polarização com VGS Constante
 Impõe-se uma tensão VGSQ constante na porta através de VGG para obter
a corrente IDQ desejada.
 Dessa forma a junção está polarizada reversamente, por isso, VGSQ
= -VGG.
 Assim o resistor RG é utilizado apenas para definir a impedância de
entrada do circuito, não influenciando na polarização do JFET.
 Para polarizar o transistor basta calcular RD.
 Malha de saída:
RD.IDQ + VDSQ – VDD = 0
RD = (VDD – VDSQ) / IDQ
34

Exemplo:
A) Polarizar o JFET BF245A no seguinte ponto quiescente: IDQ = 1mA, VDSQ
= 15V e VGSQ = -1V.

RD = (VDD – VDSQ) / IDQ = (25 – 15) / 1x10-3
RD = 10 KΩ

B) Analisar as variações do ponto quiescente
em função das tolerâncias do transistor.

Traça-se a reta de VGS constante (VGSQ = -1V) sobre a curva de
transferência deste transistor e tem-se:

Reta com VGS constante (VGSQ = -1V)
 O ponto quiescente Q poderá se
localizar em qualquer posição
entre Q1 e Q2.
 A variação de IDQ vai de 0 a 5mA.
 Este tipo de polarização
apresenta dois inconvenientes:
1º) Necessita de duas fontes de
alimentação;
2º) Seu ponto quiescente pode ter
variações brutais com VGS
constante.

DATASHEET DO BF 245
Localização dos Terminais


DATASHEET DO BF 245


CURVAS FORNECIDAS PELO DATASHEET DA PHILIPS

40


41

Autopolarização
 Utiliza apenas uma fonte de alimentação, eliminando-se VGG.
 Isto é feito utilizando-se um resistor RS em série com a fonte JFET, para
gerar uma tensão reversa na junção porta-fonte.
 O resistor RS produz uma realimentação negativa.
 Se a corrente de dreno iD aumenta, a tensão sobre RS também aumenta.
 Isto faz aumentar a tensão reversa porta-fonte (VGS) estreitando o canal,
reduzindo novamente a corrente iD.

42

Autopolarização
 Existem duas formas de determinar os valores dos resistores de polarização (RS
e RD): pela reta de carga traçada sobre as curvas de dreno e pela reta de
autopolarização traçada sobre a curva de transferência.
 É mais interessante utilizar a curva de transferência para definir a polarização,
pois os manuais sempre fornecem pelo menos os parâmetros IDSS e VP que a
definem.

Determinação da Reta de Autopolarização
É traçada sobre a curva de transferência, podemos obtê-la da malha de
entrada.
-VGS = RS.ID – RG.IG
IG é praticamente nula devido à alta impedância de entrada, tem-se:
-VGS = RS.ID

Reta de Autopolarização

 Um ponto da reta de
autopolarização é a origem
o outro deve encontrar a
curva de transferência.


Análise das Tolerâncias do JFET
 O ponto quiescente pode estar
localizado em qualquer posição
entre Q1 e Q2.

 A variação possível de IDQ na
autopolarização é menor que
com VGS constante e este circuito
é mais estável.


Determinação dos Resistores de Polarização
 Da equação da reta de autopolarização, obtém-se:
RS = - VGSQ/ IDQ
 Da malha de saída, obtém-se:
VDD = RD.IDQ + VDSQ + RS.IDQ

RD = (VDD- VDSQ + VGSQ) / IDQ

O valor de VDSQ é fixado por RD .


Exemplo:
Dada a curva de transferência do JFET BF245A (PDmáx = 300mW), determinar os valores de
RS e RD do circuito de autopolarização para IDQ = 1mA e VDSQ = 15V.

47

 1º Ponto: Q 2º Ponto: Origem
 Do ponto Q da reta de autopolarização, obtém-se: VGSQ = -1V
 Cálculo de RS e RD:
RS = -VGSQ / IDQ = -(-1) / 1x10-3 RS = 1KΩ
RD = (VDD – VDSQ + VGSQ) / IDQ = (25 – 15 – 1) /1x10-3 = 9KΩ

 Potência dissipada pelo JFET (deve ser menor que PDmax):
PD = VDSQ.IDQ = 15. 1x10-3 = 15mW.

Polarizando o JFET Sem a Curva de Transferência
 Para isso utiliza-se os valores mínimos de IDSS e VP, fornecidos pelos
manuais.
 Os dois pontos (IDSS, -VP) e a origem definem a reta de autopolarização.
 Com os parâmetros (IDSSmax, -VPmax) e (IDSSmín, -VPmín), calculam-se dois valores
para o resistor RS, sendo um para a parábola máxima e outro para a
mínima:
RSmax = -VPmax / IDSSmax RSmín = -VPmín / IDSSmín

 Um valor intermediário entre RSmín e RSmax garante um ponto quiescente
próximo ao da parábola correspondente à dos parâmetros típicos do
JFET.

Exemplo:
Para o JFET BF245A, o manual do fabricante fornece os seguintes parâmetros:


Polarização por Divisão de Tensão na Porta
 Este tipo de polarização é uma mistura dos dois processos anteriores.
 A tensão VGG em RG2 e a tensão em RS, impõem VGS na porta do JFET,
sendo que VGG deve ser menor que VRS para garantir polarização reversa
entre porta e fonte.

 Como a corrente iG é praticamente zero, VGG pode ser calculada por:

VGG = RG2 .VDD
RG1 + RG2 (divisor de tensão)

51

 A tensão VGS fica definida pela diferença entre a tensão VRS e VGG:

-VGS = RS.ID – VGG

 1º Ponto: para ID = 0 VGS = VGG
 2º Ponto: para VGS = 0 ID = VGG / RS

 Verifica-se que a reta é deslocada de zero para VGG na abscissa (eixo
horizontal), diminuindo sua inclinação.

 Em relação aos processos de polarização anteriores, este processo tem
uma variação ainda menor de IDQ.

Reta de Autopolarização e Variações do Ponto Q

 Malha de entrada:
RS = (VGG – VGSQ) / IDQ

 Malha de Saída
RD = VDD – VDSQ – RS
IDQ

Exemplo:
 Determinar os valores de RG1, RG2, RS e RD do circuito de autopolarização do JFET
BF245A (PDmax = 300mW), para o ponto quiescente: IDQ = 1mA, VGSQ = -1V e
VDSQ = 15V.
Como VGG deve ser menor que VGSQ, será utilizado: VGG = 0,5V.
Para encontrar RG1 e RG2 devemos arbitrar um
deles, neste caso RG2 = 10KΩ.

Relembrando:
IG
VGG = __RG2___. VDDRS.IDQ – VGG + VGS = 0
RG1 + RG2 RD.IDQ + VDSQ + RS.IDQ – VDD =0
Resp: RG1= 490KΩ, RS = 1,5KΩ, RD = 8,5KΩ.

Chave Analógica
 Iremos polarizar o JFET para funcionar nas
regiões de corte e saturação, como uma chave DC.

 Quando VG < VP, o JFET encontra-se na região de corte, isto é ID =0 e VS
≡ 0. É como se ele funcionasse como uma chave aberta.
 Quando VG = 0, para um valor adequado de R, a corrente ID pode levar o
JFET a operar na região de saturação. É como se ele funcionasse
como uma chave fechada, VS ≡ VDD.

Na região de saturação, a curva de dreno tem uma
inclinação que define a resistência entre dreno e fonte
para sinais DC, denominada RDS(on), calculada por:
RDS(on) = VDS(sat) / IDSsat

R pode variar entre unidades a centenas de Ohm.
DS(on)

Ao
lado é mostrado o circuito equivalente para o
JFET funcionando como chave DC.
Quando a chave está fechada, a tensão VDD divide-se
entre RDS(on) e R.
Para minimizar o efeito de RDS(on) utiliza-se R>> RDS(on).

Amplificador Fonte Comum
 A configuração fonte comum é a mais utilizada para o JFET, atuando como
amplificador de pequenos sinais (baixa potência) e baixa frequência.

 Os capacitores C1 e C2 têm a finalidade de acoplar o sinal AC, respectivamente,
do gerador de entrada à porta e do dreno à carga de saída.
 O capacitor CS serve para desacoplar o sinal AC da fonte, desviando-o para o
terra.

Modelo Simplificado do JFET
 Este modelo é válido para valores de pico a pico de iD correspondentes a no
máximo 10% de IDQ e para frequências menores que a frequência de corte
superior natural do JFET.

 O parâmetro gfs é denominado condutância de transferência ou,
simplesmente, transcondutância, e reflete o quanto a corrente de saída iD está
sendo controlada pela tensão de entrada VGS.

 Portanto, gfs pode ser obtida por:


Modelo Simplificado do JFET
 Os manuais fornecem o valor máximo de gfs, simbolizado por gfso, isto é,
quando VGS=0, porém seu valor pode ser calculado por:

 Mas, para a análise do amplificador, o que interessa é o gfs para o
ponto quiescente do JFET. Este valor pode ser calculado em função de
gfso e por uma das expressões abaixo:


Modelo Simplificado do Amplificador
 O amplificador, para sinais AC pode ser representado pelo modelo do JFET
acrescido dos resistores de polarização vistos pelo gerador de entrada,
mostrado abaixo.

 Determinação dos principais parâmetros do amplificador:
Impedância de Entrada Total – ZET
Como ZE é muitíssimo alta, tem-se:
ZET = RG1 / / RG2

Modelo Simplificado do Amplificador
Impedância de Saída Total vista pela Carga – ZST
ZST = RD
Ganho de Tensão Total sem Carga – A´vT
Ignorando a presença da carga RL, a tensão na saída é VL = -gfs.VGS.RD.
Dividindo-se a tensão de saída pela tensão de entrada, tem-se:

Circuito equivalente final:


Exemplo:
Para o amplificador a seguir, calcular
a tensão na carga e o ganho de tensão
total AvT (considerando a carga). Dados:
IDSS =8mA, VP= -2V, IDQ= 2mA, VGSQ= -1V.


Exemplo:


DATASHEET DO BF 245
Localização dos Terminais


DATASHEET DO BF 245



67


68

Exercícios JFET

Dados os principais
parâmetros do JFET
BF256C na tabela:

1)Calcule os valores para desenhar as parábolas máxima e mínima e desenhe a curva de
transferência do BF 256C com base nos valores máximos calculados.
2) Polarize o BF 256C com VGS constante para VDD = 25V, IDQ = 5mA e VDSQ = 10V.
3) Polarize o BF256C pelo processo de autopolarização para VDD = 25V, IDQ = 5mA, VDSQ =
10V e adote –VGSQ = 2,4V.
4)Polarize o BF256C pelo processo de divisor de tensão na porta para VDD = 25V, IDQ = 5mA,
VDSQ = 10V, –VGSQ = 2,4V, VGG = 2V e adote RG2 = 1MΩ .
5)Implemente uma chave analógica que funcione de forma inversa à da apresentação
apresentada, ou seja, VG = 0 → VS ≡ 0 e para VG < VP → VS ≡ VE.

Exercícios JFET
1) Calcule os valores para desenhar as parábolas máxima
e mínima e desenhe a curva de transferência do BF 256C
com base nos valores máximos calculados.
Parábola mínima:
Com VGS= -0,4V ID = 0,44mA

Parábola máxima:
Com VGS= -7V ID = 0,28mA
70

Exercícios JFET
2) Polarize o BF 256C com VGS constante para VDD = 25V, IDQ = 5mA e VDSQ = 10V.
RD.IDQ + VDSQ – VDD = 0 RD = (VDD – VDSQ) / IDQ

RD = (25 -10) / 5m = 3KΩ

3) Polarize o BF256C pelo processo de autopolarização para VDD = 25V, IDQ= 5mA,
VDSQ = 10V e adote –VGSQ = 2,4V.
Como IG≡0 (ZE muito alta) -VGS = RS.ID RD = (VDD - VDSQ + VGSQ) / IDQ

RS = 2,4 / 5m = 480Ω

RD = (25 – 10 – 2,4) / 5m = 2,52KΩ

Exercícios JFET
4) Polarize o BF256C pelo processo de divisor de tensão na porta para VDD = 25V,
IDQ = 5mA, VDSQ = 10V, –VGSQ = 2,4V, VGG = 2V e adote RG2 = 1MΩ.
VGG = __RG2___. VDD -VGS = RS.ID – VGG
RG1 + RG2 (divisor de tensão)
Da malha de saída temos: RD = VDD – VDSQ – RS
IDQ

RS = 4,4 / 5 = 880Ω RG1 = (25M – 2M) / 2 = 11,5MΩ

RD = [ (25 – 10) / 5m] - 880Ω = 2,12KΩ


Exercícios JFET
5) Implemente uma chave analógica que funcione de forma inversa à da
apresentada, ou seja, VG = 0 →VS ≡ 0 e para VG < VP → VS ≡ VE.


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