46. 6.1.3 電荷耦合元件( CCD ) Figure 6.13. Cross section of a three-phase charge-coupled device. 4 ( a ) High voltage on ø 2 . ( b ) ø 3 pulsed to a higher voltage for charge transfer. 由一連串 MOS 二極體陣列構成,可做信號處理及影像感測。
47. 6.2 MOS 的基本原理 基本的 MOSFET 結構 加適當的閘極電壓使得閘極下方產生反轉層,形成通道,連接源極與汲極區。源極為載子的來源,經過通道流向汲極。 當基板為 p 型時,載子為電子,故電流由汲極流向源極 ; 當基板為 n 型時,載子為電洞,故電流由源極流向汲極。 L :通道長度 Z :通道寬度 d :氧化層厚度 r j :接面深度 閘極 源極 汲極