1. GOBIERNO DE MENDOZA - DIRECCION DE EDUCACION SUPERIOR
INSTITUTO DE EDUCACION SUPERIOR 9-012
SAN RAFAEL EN INFORMÁTICA
Carrera: Tecnicatura Superior en Telecomunicaciones
Asignatura: ELECTRONICA Docente: Prof. Ing. Alfredo G. Rivamar
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA1
PRACTICA Nº 2
El Diodo. Estudio del componente
Objetivos:
1.- Comprobar el estado de un diodo semiconductor e identificar el cátodo
(zona N) y el ánodo (zona P).
2.-Realizar un circuito eléctrico con un diodo y comprobar prácticamente
su comportamiento ante la tensión y su polaridad.
3.- Comprobar la curva característica Tensión-Corriente de un diodo.
Material necesario:
Esta práctica se realizará en equipos de 3 ó 4 alumnos por equipo. Cada
equipo de trabajo requiere el siguiente material:
• Un protoboard mediano.
• 1 fuente de alimentación.
• 1 resistencia de 1000 Ohms, 1/4 de watt.
• 1 potenciómetro de 1 K.
• 1 resistencia de 180 Ohms, 1/4 de watt.
• 1 diodo de silicio 1N4007.
• 1 diodo de germanio 1N34A.
• 1 multímetro.
1
http://www.datasheetcatalog.com/ (catálogo de componentes electrónicos)
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I-IDENTIFICACIÓN DE LOS TERMINALES DEL DIODO
Objetivos de la práctica
Comprobar el estado de un diodo semiconductor e identificar el cátodo (zona
N) y el ánodo (zona P).
Materiales necesarios
Un multímetro analógico, un diodo de Ge “1N34A”, un diodo de Si “1N4007”.
Consideraciones generales
1. Para la verificación del normal funcionamiento de un diodo se realiza una
prueba con un óhmetro, previa identificación de la polaridad de las puntas de
prueba. En sentido directo la resistencia media es del orden de 10 a 30 ; con
polarización inversa se pueden observar lecturas de 200 a 300 K para el
germanio y de varios M para el silicio. El óhmetro ha de proporcionar
suficiente intensidad para polarizar el diodo, siendo preferible la utilización de
multímetros analógicos.
2. En el diseño de circuitos habrá que seleccionar un tipo de diodo cuya tensión
máxima aplicable en sentido inverso (VRmáx) sea mayor (del orden de tres
veces) que la máxima que se espere aplicarle en su funcionamiento.
3. El circuito exterior debe limitar la intensidad IF, ya que ha de ser inferior a la IFmáx
indicada por el fabricante.
4. La potencia disipada por el componente es conveniente limitarla a la mitad
de la potencia nominal. Toda disipación de potencia genera calor, aumento
de temperatura, lo que provoca el aumento de la corriente inversa.
5. El diodo de germanio se utiliza en detección de bajas señales, el diodo de
silicio se utiliza en el resto de los casos.
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Para identificar los terminales de un diodo con el multímetro analógico, colocar
las puntas de prueba sobre sus extremos, de tal manera que la resistencia que
indique el instrumento sea baja (polarización directa).
El extremo del diodo conectado a la punta roja (por la que sale el negativo de la
pila interna del multímetro analógico) corresponde al cátodo o zona N, mientras
que el conectado a la punta negra (positivo de la pila interna) es el ánodo o
zona P.
P N
Ánodo (+) Cátodo (-)
PUNTA NEGRA PUNTA ROJA
Multímetro
Analógico
Comprobar en la práctica como coincide la zona que señaliza el cátodo en los
dos diodos propuestos: 1N34A y 1N4007.
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II-COMPORTAMIENTO DEL DIODO
Objetivos de la práctica
Realizar un circuito eléctrico con un diodo y comprobar en la práctica su
comportamiento ante la tensión y su polaridad.
Materiales necesarios
Un multímetro, un diodo de Ge “1N34A”, un diodo de Si 1N4007, una resistencia de
180 y una alimentación de c.c. de 5 V de tensión.
Desarrollo de la práctica
1º) Comportamiento del diodo polarizado directamente
Realizar el montaje del circuito eléctrico de la figura y rellenar los valores de las
dos tensiones y la intensidad que se indican en la tabla de la misma figura.
R1 D1
180 ohm
1N34A / 1N4007
BAT1
5 V
V1 (R1) V2 (diodo) IDC
1N34A
1N4007
Las comprobaciones se realizarán, primero, con el diodo 1N34A y, posteriormente,
con el de silicio 1N4007.
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2ª) Comportamiento del diodo polarizado inversamente
Montar el circuito de la figura (cambiar los polos de la alimentación) y rellenar los
valores de la tabla.
R1 D1
180 ohm
1N34A
BAT1
5V
V1 (R1) V2 (diodo) IDC
1N34A
1N4007
Observe las diferencias entre los valores obtenidos con el diodo de germanio y el
de silicio.
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III-CURVA CARACTERÍSTICA DE UN DIODO
Objetivos de la práctica
Obtener la curva I-V característica de un diodo.
Materiales necesarios
Un multímetro, un diodo de Si 1N4007 (D1), una resistencia de 1 K (R1), un
potenciómetro de 1 K (P1) y una alimentación de c.c. de 9 V de tensión.
Esquema del montaje
D1
1N4007
P1
BAT1 R1
9V 1k
1K
Desarrollo de la práctica
1º) Regular P1 para que Ve sea lo más próximo a 0 V; luego completar la tabla
siguiente:
Ve 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5
Id
VD1
VR1
Id: intensidad de corriente continua en el circuito.
VD1: tensión en los extremos del diodo.
VR1: tensión entre los bornes de la resistencia.
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2º) Cambiar los terminales del diodo (polarización inversa) y completar la tabla de
la figura:
Ve 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5
Ii
VD1
VR1
Id: intensidad de corriente continua en el circuito.
VD1: tensión en los extremos del diodo.
VR1: tensión entre los bornes de la resistencia.
3ª) Con los datos de las tablas anteriores construir la gráfica I-V del diodo (eje
vertical: I, eje horizontal: V).
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ANEXO I
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ANEXO II
Código de Colores de Resistores de Carbón
Los resistores o resistencias son dispositivos que se caracterizan por oponerse en
mayor o menor grado a la circulación de la intensidad de corriente eléctrica. En
estos dispositivos se cumple la ley de ohm:
V=I*R
Forma física de un resistor de carbón:
Donde vemos que consiste de un cilindro con dos terminales en sus extremos. Su
valor, expresado en Ohm, se representa mediante anillos de colores sobre su
cuerpo, leyéndose de izquierda a derecha y comenzando por el anillo más
cercano a un extremo. Existen básicamente dos tipos de código: el de 4 bandas y
el de 5 bandas, los que podemos ver a continuación:
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ANEXO III
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ANEXO IV
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