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José Luis de la Puente Ríos
TRANSISTORES DE UNIÓN
BIPOLAR (BJT)


 Los   transistores de unión bipolares, son
  dispositivos de estado sólido de tres terminales,
  núcleo de circuitos de conmutación y procesado
  de señal.


 Los  transistores son dispositivos activos con
  características altamente no lineales.
CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO
O DE UNION (JFET)

 La estructura básica de JFET está formado por
   un semiconductor de tipo “n”.
 Los JFET son utilizados en circuitos integrados
   normalmente se fabrica siguiendo la tecnología
   plana, según la cual el semiconductor está
   formado por una capa de carácter “n”
   depositada sobre un abstracto de silicio u otro
   semiconductor.
CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
METAL-ÓXIDO-SEMICONDUCTOR
MOSFET
es  un transistor utilizado para amplificar o
 conmutar señales electrónicas.
Es   el transistor más utilizado en la industria
 microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos
 o digitales, aunque el transistor de unión
 bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.
 Prácticamente      la    totalidad     de     los
 microprocesadores comerciales están basados
 en transistores MOSFET.
CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS
FOTOTRANSISTOR
           Es   importante decir que todos
            los transistores son sensibles a
            la luz, pero los fototransistores
            están        diseñados       para
            aprovechar esta característica.
            Existen transistores FET (de
            efecto de campo), que son muy
            sensibles a la luz, pero
            encontramos que la mayoría de
            los fototransistores consisten en
            una unión NPN con una región
            de base amplia y expuesta,
CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS
TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL

  Llamado    también transistor de punta de
   contacto, consta de una base de germanio,
   semiconductor para entonces mejor
   conocido que la combinación cobre-óxido
   de cobre, sobre la que se apoyan, muy
   juntas,   dos    puntas     metálicas que
   constituyen el emisor y el colector.
  La corriente de base es capaz de modular
   la resistencia que se "ve" en el colector, de
   ahí el nombre de "transfer resistor".
CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS
Transistores

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Transistores

  • 1. José Luis de la Puente Ríos
  • 2. TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR (BJT) Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido de tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal. Los transistores son dispositivos activos con características altamente no lineales.
  • 4. TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO O DE UNION (JFET) La estructura básica de JFET está formado por un semiconductor de tipo “n”. Los JFET son utilizados en circuitos integrados normalmente se fabrica siguiendo la tecnología plana, según la cual el semiconductor está formado por una capa de carácter “n” depositada sobre un abstracto de silicio u otro semiconductor.
  • 6. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL-ÓXIDO-SEMICONDUCTOR MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
  • 8. FOTOTRANSISTOR Es importante decir que todos los transistores son sensibles a la luz, pero los fototransistores están diseñados para aprovechar esta característica. Existen transistores FET (de efecto de campo), que son muy sensibles a la luz, pero encontramos que la mayoría de los fototransistores consisten en una unión NPN con una región de base amplia y expuesta,
  • 10. TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL Llamado también transistor de punta de contacto, consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor".