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Transistor de unión bipolarTransistor de unión bipolar
 ElEl transistor de unión bipolartransistor de unión bipolar (del inglés(del inglés BipolarBipolar
Junction TransistorJunction Transistor, o sus siglas, o sus siglas BJTBJT) es un dispositivo) es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en dos unioneselectrónico de estado sólido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el pasoPN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso
de la corriente a través de sus terminales. Lade la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conduccióndenominación de bipolar se debe a que la conducción
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores detiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electronesdos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número denegativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entreaplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre
ellos su impedancia de entrada bastante baja.ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unión bipolar está formado por dosUn transistor de unión bipolar está formado por dos
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separados por una región muy estrecha. De esta maneraseparados por una región muy estrecha. De esta manera
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ColectorColector, de extensión mucho mayor., de extensión mucho mayor.
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resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente
se los encuentra prácticamente en todos los enseres
domésticos de uso diario: radios, televisores,
grabadoras, reproductores de audio y vídeo, hornos
de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de
refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
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fluorescentes, equipos de rayos X, Mp3, celulares,
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Un transistor de unión bipolar consiste en tres
regiones semiconductoras dopadas: la región del
emisor, la región de la base y la región del colector.
Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y
tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. Cada región del semiconductor está
conectada a un Terminal, denominado emisor (E),
base (B) o colector (C), según corresponda.
Tipos de Transistor de Unión Bipolar
NPN
El símbolo de un transistor NPN. es uno de los
dos tipos de transistores bipolares, en los
cuales las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor. La mayoría
de los transistores bipolares usados hoy en día
son NPN, debido a que la movilidad del
electrón es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operación.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está
en la Terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el
PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes
regiones del transistor. Pocos transistores usados
hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda
mucho mejor desempeño en la mayoría de las
circunstancias. La flecha en el transistor PNP está
en el Terminal del emisor y apunta en la dirección
en que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo está en funcionamiento activo.
Funcionamiento
En una configuración normal, la unión emisor-
base se polariza en directa y la unión base-
colector en inversa. Debido a la agitación
térmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial
emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prácticamente todos los portadores que
llegaron son impulsados por el campo
eléctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado
como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la unión
base-emisor está polarizada en directa y la
unión base-colector está polarizada en
inversa.
En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva
es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados térmicamente y el campo eléctrico
repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a
los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región
de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde
la región de alta concentración cercana al emisor hasta la
región de baja concentración cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores minoritarios
debido a que la base está dopada con material P, los cuales
generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base.
Control de tensión, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada
por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la
tensión base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relación tensión-corriente de la unión base-emisor, la cual es la
curva tensión-corriente exponencial usual de una unión PN (es
decir, un diodo).
En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es
utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa
que la corriente de colector es aproximadamente β veces la
corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseñados
asumiendo que la tensión base-emisor es aproximadamente
constante, y que la corriente de colector es β veces la corriente
de la base. No obstante, para diseñar circuitos utilizando BJT
con precisión y confiabilidad, se requiere el uso de modelos
matemáticos del transistor.
Región activa:
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en
la región de corte entonces está en una región intermedia, la
región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de
corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la
más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador de señal.
Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en
modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en
modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor
intercambian roles. Debido a que la mayoría de los TBJ son
diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo
activo, el parámetro beta en modo inverso es drásticamente
menor al presente en modo activo.
Región de corte: Un transistor
esta en corte cuando:
corrientedecolector =
corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el
colector y el emisor del transistor
es el voltaje de alimentación del
circuito. (como no hay corriente
circulando, no hay caída de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando
la corriente de base = 0 (Ib =0)
Región de saturación: Un transistor está
saturado cuando:
corrientedecolector = corrientedeemisor =
corriente máxima,(Ic = Ie = Máxima)
En este caso la magnitud de la corriente
depende del voltaje de alimentación del
circuito y de las resistencias conectadas en
el colector o el emisor o en ambos, ver ley
de Ohm. Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir
una corriente de colector β veces más
grande. (recordar que Ic = β * Ib)
El punto Q es el punto
en donde el transistor
opera sin recortar la
señal y amplifica el simi
ciclo positivo y negativo,
la desventaja es que
para centra la recta de
carga el circuito
consume el 50% de la
potencia sin estar
trabajando o en estado
de reposo
En los transistores existen tres tipos de
configuraciones las cuales son:
•Configuración emisor común
•Configuración colector común
•Configuración base común
Configuración emisor común.
Esta configuración se denomina así porque el
emisor es común para la entrada como para la
salida, también se la llama emisor conectado a
tierra.
En esta configuración existen tres tipos de
polarizaciones del transistor
Polarización por base
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normalmente la fuente de poder
de la base, es la misma aplicada
al colector , en este caso los
resistores de la base Rb y
colectro Rc se conectan al lado
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Clase transistor

  • 2. Transistor de unión bipolarTransistor de unión bipolar  ElEl transistor de unión bipolartransistor de unión bipolar (del inglés(del inglés BipolarBipolar Junction TransistorJunction Transistor, o sus siglas, o sus siglas BJTBJT) es un dispositivo) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos unioneselectrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el pasoPN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Lade la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conduccióndenominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores detiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electronesdos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número denegativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entreaplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.ellos su impedancia de entrada bastante baja.
  • 3. Un transistor de unión bipolar está formado por dosUn transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta maneraseparados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:quedan formadas tres regiones: EmisorEmisor, que se diferencia de las otras dos por estar, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal.fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta Terminal funciona comoSu nombre se debe a que esta Terminal funciona como emisoremisor de portadores de carga.de portadores de carga. BaseBase, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.del colector. ColectorColector, de extensión mucho mayor., de extensión mucho mayor.
  • 4. El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, Mp3, celulares, etc.
  • 5. Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un Terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
  • 6. Tipos de Transistor de Unión Bipolar NPN El símbolo de un transistor NPN. es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la Terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
  • 7. El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias. La flecha en el transistor PNP está en el Terminal del emisor y apunta en la dirección en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
  • 8. Funcionamiento En una configuración normal, la unión emisor- base se polariza en directa y la unión base- colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa.
  • 9. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base.
  • 10. Control de tensión, carga y corriente La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensión base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relación tensión-corriente de la unión base-emisor, la cual es la curva tensión-corriente exponencial usual de una unión PN (es decir, un diodo). En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente β veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseñados asumiendo que la tensión base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es β veces la corriente de la base. No obstante, para diseñar circuitos utilizando BJT con precisión y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemáticos del transistor.
  • 11. Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal. Región inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los TBJ son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo activo.
  • 12. Región de corte: Un transistor esta en corte cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
  • 13. Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = corriente máxima,(Ic = Ie = Máxima) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (recordar que Ic = β * Ib)
  • 14. El punto Q es el punto en donde el transistor opera sin recortar la señal y amplifica el simi ciclo positivo y negativo, la desventaja es que para centra la recta de carga el circuito consume el 50% de la potencia sin estar trabajando o en estado de reposo
  • 15. En los transistores existen tres tipos de configuraciones las cuales son: •Configuración emisor común •Configuración colector común •Configuración base común Configuración emisor común. Esta configuración se denomina así porque el emisor es común para la entrada como para la salida, también se la llama emisor conectado a tierra. En esta configuración existen tres tipos de polarizaciones del transistor Polarización por base Polarización por retroalimentación del colector Polarizacion por división de tensión
  • 16. POLARIZACION POR BASE. Conocida como polarizacion fija, normalmente la fuente de poder de la base, es la misma aplicada al colector , en este caso los resistores de la base Rb y colectro Rc se conectan al lado positivo de la fuente, esta es la forma mas difícil de polarizar un transistor por que el punto Q esta inestable por eso casi no se utiliza en circuitos lineales, su aplicación principal es la de interruptor electronico.
  • 17. ANALISIS DC ANALISIS AC SIN RL CON RL
  • 18. ANALISIS DC ANALI SIS AC SIN RL CON RL