IGBTモデリングサービスに必要な電気的特性

1. IGBTモデリングサービス
に必要な電気的特性
2015年2月19日
ビー・テクノロジー
1Copyright (C) Siam Bee Technologies 2015
事例：三菱電機のIGBTのデータシート

2. IGBT本体のスパイスモデルについて
等価回路モデル(MOSFET+BJT型)
81
83
RG
3.2
DBE
DE
DDS
DO
0
R1
100MEG
R2
10MEG
CGD
250n
D1
DGD
1
2
+
-
+
-
S1S
VON = 0V
VOFF = -100mV
ROFF = 1e12
RON = 1m
+
-
+
-
S2S
VON = 0V
VOFF = -100mV
ROFF = 1e12
RON = 1m
82828282
M1
MFIN
E
G
RE
44.4u
CGE
165n
Q1
QOUT
C
RC
400u
C1
85
VC
0Vdc
IN+
IN-
OUT+
OUT-
E1
1*(-0.83913+0.70067*LOG10(I(VC)))
EVALUE
C2
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3. IGBTのスパイスモデルについて
再現性のある電気的特性
再現性のある電気的特性 必要な特性図
IGBT
伝達特性 Vge vs. Ic
飽和特性 Vce(sat) vs.Ic
測定条件：Vge
ゲートチャージ特性 Qge,Qgc,Qg,Vcc,Ic
スイッチング特性 Tf値
測定条件：Ic, Vcc
FWD
順方向特性 Vce vs. Ie
逆回復特性 【IFIR法の場合】
Trr値,IF,IR,RL
【電流減少率法の場合】
Trr値,IF,Vcc,Ic
【IFIR法の場合】：スタンダードモデル及びプロフェッショナルモデル
【電流減少率法の場合】：スペシャルモデル
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4. IGBTのスパイスモデルについて
再現性のある電気的特性
4
【事例】
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5. IGBTのスパイスモデルについて
再現性のある電気的特性
5
【IGBT】 伝達特性
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6. IGBTのスパイスモデルについて
再現性のある電気的特性
6
【IGBT】 飽和特性
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7. IGBTのスパイスモデルについて
再現性のある電気的特性
7
【IGBT】 ゲートチャージ特性
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8. IGBTのスパイスモデルについて
再現性のある電気的特性
8
【IGBT】 スイッチング特性(tf)
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9. IGBTのスパイスモデルについて
再現性のある電気的特性
9
【FWD】 順方向特性
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10. IGBTのスパイスモデルについて
再現性のある電気的特性
10
【FWD】 逆回復特性
[電流減少率法モデルの場合]
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11. IGBTのスパイスモデルについて
再現性のある電気的特性
11
【FWD】 逆回復特性
[IFIR法モデルの場合]
データシートには記載が無いので、測定の必要がある
Trrの値
測定条件 値
IF(順方向電流) [A]
IR(逆方向電流) [A]
RL(負荷抵抗) [Ω]
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