Formulación de hipótesis
Metodología de la investigación
Presenta
Sergio Antonio Garcia Estrada
Profesor
Dr. Carlos Adrián Calles Arriaga
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Maestría en Ingeniería

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Universidad Politécnica de Victoria
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FORMULACIÓN DE LA HIPÓTESIS
• 1) Idea inicial de lo que vamos a investigar
• 2) Revisión bibliográfica
• 3) Trabajar en el planteamiento del problema
• 4) Definir nuestros conceptos y formular preguntas
• 5) Generación de hipótesis

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Estudio en régimen DC y AC de diodos de
nanotubos de carbono para aplicaciones de alta
frecuencia
Científica, vol. 23, núm , pp- 91-98, Julio- Diciembre 2019
Instituto Politécnico Nacional, Escuela Superior de Ingeniería
Mecánica y Eléctrica
Unidad Zacatenco, Sección de Estudios de Posgrado e
Investigación
Autores:Hidelberto Macedo-Zamudio, Aníbal Pacheco-Sánchez,
Luis Manuel Rodríguez-Méndez, Eloy Ramírez-García, Donato
Valdez-Pérez.

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Resumen
En este trabajo se analiza el rendimiento estático y dinámico de dos enfoques diferentes
de dopaje, químico y electrostático, en diodos Schottky de nanotubos de carbono (CNT)
con contactos de geometría bidimensional de diodos de silicio, por medio de simulación
numérica y modelado compacto. Para el análisis estático se obtienen las principales
figuras de mérito de los dispositivos simulados, como el factor de rectificación, tiempo
de almacenamiento, voltaje de umbral y capacitancia de diodo, y son comparadas con
datos disponibles en la literatura. Para el análisis dinámico se estima la frecuencia de
corte en la región de polarización directa [1]. Todo esto despúes de realizar el dopaje
correspondiente en los nanotubos de carbono.

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En el estudio se realiza un estudio en régimen DC y AC de diodos de nanotubos de
carbono para aplicaciones de alta frecuencia.
Se consideran diferentes tipos de dopado de nanotubos de carbono para conocer como
dependiendo del dopado afecta química y físicamente el comportamiento de los diodos
en los dos distintos regímenes eléctricos.
Se espera que las propiedades del diodo tales como:
• Factor de rectificación
• Capacitancia parasita
• Voltaje de umbral
• Tiempo de almacenamiento

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Pregunta de investigación
¿Tendrá el mismo efecto dopar un CNT Schottky de forma química
que de forma electrostática para su uso en aplicaciones de alta
frecuencia?

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Hipótesis
El dopado químico le da propiedades químicas, mecánicas y eléctricas
al material que el dopado electrostático debido a que afecta en
mayor nivel a la microestructura del material

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Resultados

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Resultados

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Conclusiones
El dopaje electrostático logra un buen desempeño respecto al factor de rectificación y
corriente de estado encendido , aunque compromete el tiempo de almacenamiento.
Además de ausencia de contactos adicionales para inducir modulación en el perfil de
bandas del dispositivo, el dopaje químico logra un factor de rectificación y tiempo de
almacenamiento mejorados sin aumentar la capacitancia parásita, respecto al anterior. Por
lo tanto es más adecuado para aplicaciones HF, logrando frecuencias de corte bastante
altas, dadas por la poca carga acumulada en el canal y la baja capacitancia parásita.
Por lo tanto, es mejor el dopaje químico sobre un nanotubo de carbono que la aplicación
de un dopaje electrostático.

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Referencias
[1] Aníbal Pacheco-Sánchez, Eloy Ramírez-García, Donato Valdez-Pérez, Luis
Manuel Rodríguez-Méndez, Hidelberto Macedo-Zamudio. (2019) Estudio en
régimen DC y AC de diodos de nanotubos de carbono para aplicaciones de alta
frecuencia. Científica, vol. 23, núm. 2, pp. 91-98, julio-diciembre 2019, ISSN
2594-2921, IPN