Explicación de los distintos tipos de memorias usadas en una computadora.

1. MEMORIAS

5. Los módulos se introducen en las ranuras o slots que hay reservadas para ellos en la placa base. En los equipos portátiles se utiliza otro módulo de memoria, la Small Outline DIMM o DIMM de perfil pequeño, con 72 pines.

8. En la Ram se copian programas que coordinan el funcionamiento de la PC. La primera parte de la Ram esta reservada para guardar las instrucciones de los dispositivos electrónicos. En este lugar no se puede guardar nada ya que lo utiliza el sistema para saber como manejar los dispositivos.

12. Si ejecutamos un programa en principio, lo cerramos y luego los volvemos a ejecutar, la memoria caché nos guarda la ubicación (dirección) en el disco, cuando lo ejecuté, y lo que hicimos con el programa. Es mucho más rápida cuando ya usamos un programa. Para que este sistema sea eficiente, la caché debe ser más rápida que el propio dispositivo, aunque con una capacidad menor de almacenamiento.

15. Cache L2 interno y externo La primeras memoria caché estaban ubicadas en el mother luego se construyeron en el procesador, pero no dentro del dado del procesador por lo que es mas lento que el caché L1, mientras que el externo lo encontramos en la mother. La computadoras que tienen las tres tecnologías de caché van a ser mas rápidas. Cache L3 Algunos micro soportan un nivel de caché más , el L3 , que esta localizado en la mother ,EL AMD 6k-3 soporta este caché.

18. El estándar para una computadora actual se sitúa entre los 256 MB para una gama media y a partir de 512MB para una gama alta .

19. Cuando ocurre el proceso de acceso a la RAM, cada "flasheo o strobing" toma una cantidad de tiempo preestablecida de la siguiente manera: LATENCIA EN UNA MEMORIA tCL: (t = time, CL = CAS Latency, CAS = Column Address Strobe) Latencia del flasheo a la dirección de la columna. Esto quiere decir, el número de ciclos de reloj que se requieren para tener acceso a una columna específica de datos en la RAM.

20. tRCD: (t = time, RCD = RAS to CAS Delay, RAS = Row Address Strobe) Demora que toma el flasheo, de la dirección de la fila a la dirección de la columna. Esto quiere decir, el número de ciclos de reloj que se requieren para tener acceso entre una dirección de fila datos y una dirección de columna de datos en la RAM.

21. tRP (t = time, RP = RAS precharge, RAS = Row Address Strobe) Tiempo de precarga de la dirección de la fila. Esto quiere decir, el número de ciclos de reloj que se necesitan para cerrar una fila de datos en la memoria y abrir una nueva fila de datos en la RAM.

22. tRAS (t= time, RAS = Row Address Strobe) Tiempo de acceso a la dirección de la fila. Esto quiere decir el número de ciclos de reloj que se necesitan para tener acceso a una fila específica de datos dentro de la RAM.

23. Los términos que describimos anteriormente nos demuestran la forma en que se miden los tiempos de acceso a la memoria, esto quiere decir, que con los términos anteriores ya podemos descifrar cuánto tiempo toma cada uno de los procesos necesarios para tener acceso, por medio de flasheos, a direcciones específicas de datos que se encuentran adentro de la RAM.

24. Ahora que ya conocemos los cuatro términos que nos describen las latencias o ciclos de reloj en la nomenclatura específica de las memorias, vamos a tomar un ejemplo para describir cada uno de ellos. Memoria DDR2 800 PC6400 5-5-5-15 En la nomenclatura anterior podemos definir lo siguiente: Es una memoria SDRAM tipo DDR2, con una velocidad de reloj efectiva a 800MHZ y con un ancho de banda de 6.4GBps (6,400MBps). Así mismo, los números "5-5-5-15", en su respectivo orden significan: tCL de 5, tRCD de 5, tRP de 5 y tRAS de 15.

26. Sync SRAM Todas las sincronizaciones se inician por el tiempo de subida/bajada del reloj. La dirección, dato almacenado y otras señales de control se asocian a las señales del reloj. Es la siguiente generación, capaz de sincronizarse con el procesador y con un tiempo de acceso entre 12 y 8,5 nanosegundos. Muy utilizada en sistemas con bus a 66 MHz

28. A estos módulos se los denominaron SIMM FPM DRAM y pueden tener 30 o 72 pines y se la utiliza en los Pentium I. Lo que se logro con esta tecnología fue agilizar el proceso de lectura. Estas memorias ya no se utilizan mas.

30. Memoria EEPROM: (electrical erasable PROM) Igual a la anterior pero el borrado se realiza eléctricamente. Memoria Flash: Tipo especial de EEPROM que puede ser borrada y reprogramada dentro de una computadora. Los EEPROM necesitan un dispositivo especial llamado lector de PROM.

33. Tenían la posibilidad de localizar un dato mientras transferían otro, diferente a las anteriores memorias que mientras transfería un dato se bloqueaban. Estas EDO SIMM eran de 72 pines

35. Estos módulos de 168 Pines son conocidos como DIMM SDRAM PC 66 y 100, 133, obviamente si instalo una de 133, en un mother de 100 va a funcionar a 100Mhz.

37. Memoria almacenada en un tipo de encapsulado rectangular con dos filas de pines de conexión a cada lado. Pero rara vez se encuentran en presentaciones de mas de 40 patas, por esta razón han sido reemplazadas por encapsulados SMD(Surface Mounted Device)

39. Los de 72 vienen en versiones de 4, 8, 16, 32 . Su principal desventaja: trabajan en pares.

41. Las DIMM EDO, DRAM. SDRAM trabajan de 66 a 83 MHz, el PC100 a 100 MHz y el PC133 a 133 MHz Estos MHz se refieren a la velocidad del bus de datos de la tarjeta madre. El DIMM EDO trabaja a 45 ns, DRAM y SDRAM a 15 ns, PC100 a 10 ns y PC133 a 7 ns.

43. Sus módulos se denominan Rimm de 141 pines y con un ancho de 16 bits, para llenar un banco de memoria de 64 bits hay que instalar 4 memorias. Es posible que estas memoria sean retiradas de mercado por ser tan costosas.

45. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de: 300MHz (PC-600) 356 MHz (PC-700) 400 MHz (PC-800) 533 MHz (PC-1066)

48. Tiene una ventaja más, trabaja en sincronía con el bus del mother si este acelera la memoria también. Su desventaja es que son muy caras. Se conoce como DIMM DDR SDRAM PC 1600 Y PC 2100.

50. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 GB.(2005) DDR2

52. Memorias DDR3 1375 MHz Las memorias vienen por ahora en módulos de 512 MB y 1 GB, aunque se venden en packs de 1 y 2 GB (dos módulos de 512 y dos de 1 GB respectivamente).

53. Los DIMM S DDR3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.

54. Tecnología de 80 nanómetros usada en el diseño del DDR3 que permite más bajas corrientes de operación y voltajes (1,5 V, comparado con los 1,8 del DDR2 ó los 2,5 del DDR). DDR3

58. Hay que tener en cuenta que, que cada vez que haya que acceder a una información guardada en esta zona virtual, el sistema deberá reemplazar una parte de la RAM con una parte residente en el disco para poder tener acceso a ella.

60. Chip de memoria. Es donde se almacenan los datos; se compone de dos transistores llamados compuerta flotante y compuerta de control. Dentro hay millones de estas celdas que se conectan entre sí, por medio de un circuito de cables.

62. 5.Oscilador de cristal 6.LED 7.Interruptor de seguridad contra escrituras 8.Espacio disponible para un segundo chip de memoria flash.

65. Tabla formatos de Memorias Nombre Sigla Dimensiones DRM PC Card PCMCIA 85.6 × 54 × 3.3 mm Ninguna CompactFlash I CF-I 43 × 36 × 3.3 mm Ninguna CompactFlash II CF-II 43 × 36 × 5.5 mm Ninguna SmartMedia SM / SMC 45 × 37 × 0.76 mm Ninguna Memory Stick MS 50.0 × 21.5 × 2.8 mm MagicGate Memory Stick Duo MSD 31.0 × 20.0 × 1.6 mm MagicGate Memory Stick Micro M2 M2 15.0 × 12.5 × 1.2 mm MagicGate Multimedia Card MMC 32 × 24 × 1.5 mm Ninguna Reduced Size Multimedia Card RS-MMC 16 × 24 × 1.5 mm Ninguna MMCmicro Card MMCmicro 12 × 14 × 1.1 mm Ninguna Secure Digital Card SD 32 × 24 × 2.1 mm CPRM miniSD Card miniSD 21.5 × 20 × 1.4 mm CPRM microSD Card microSD 11 × 15 × 1 mm CPRM xD-Picture Card xD 20 × 25 × 1.7 mm Ninguna Intelligent Stick iStick 24 x 18 x 2.8 mm Ninguna µ card µcard 32 x 24 x 1 mm Desconocida