BEDEC Proyecto y obra , novedades 2024 - Xavier Folch
Transistores
1. UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
INGENIERÍA DE SISTEMAS E INFORMÁTICA
ASIGNATURA: FISICA ELECTRÓNICA
FICHA TÉCNICA DE CINCO TRANSISTORES
ALUMNO:
IVAN PANIURA RAMOS
2. FICHA TÉCNICA DEL TRANSISTOR NPN 2N2222
Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos más
sencillos. El nombre diodo rectificador” procede de su aplicación, la cual consiste
en separar los ciclos positivos de una señal de corriente alterna.
Durante la fabricación de los diodos rectificadores, se consideran tres factores: la
frecuencia máxima en que realizan correctamente su función, la corriente máxima
en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa
máximas que soportarán.
4. FICHA TÉCNICA DEL TRANSISTOR JFET 2S
El JFET (Junction Field-Effect Transistor), en español transistor de efecto de campo de
juntura o unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores
eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser
transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones
eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según
este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica
definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
Al aplicar una tensión positiva VGS entre puerta y
fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas
en las que el paso de electrones (corriente ID) queda
cortado, llamadas zonas de exclusión. Cuando esta
VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de
exclusión se extienden hasta tal punto que el paso de
electrones ID entre fuente y drenador queda
completamente cortado. A ese valor de VGS se le
denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y
n se invierten, y las VGS y Vp son negativas,
cortándose la corriente para tensiones menores que
Vp.
5. En las hojas de características de los fabricantes de FETs encontrarás los siguientes
parámetros (los más importantes): VGS y VGD.- son las tensiones inversas máximas
soportables por la unión PN. IG.- corriente máxima que puede circular por la unión puerta
- surtidor cuando se polariza directamente. PD.- potencia total disipable por el
componente. IDSS.- Corriente de saturación cuando VGS=0. IGSS.- Corriente que circula
por el circuito de puerta cuando la unión puerta - surtidor se encuentra polarizado en
sentido inverso.
7. FICHA TÉCNICA DEL TRANSISTOR MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en
inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor
utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más
utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o
digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro
tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están
basados en transistores MOSFET.
Aunque el MOSFET es un dispositivo de
cuatro terminales llamadas surtidor (S),
drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B),
el sustrato generalmente está conectado
internamente a la terminal del surtidor, y por
este motivo se pueden encontrar
dispositivos de tres terminales similares a
otros transistores de efecto de campo.
8. Existen distintos símbolos que se utilizan para representar el transistor MOSFET.
El diseño básico consiste en una línea recta para dibujar el canal, con líneas que
salen del canal en ángulo recto y luego hacia afuera del dibujo de forma paralela
al canal, para dibujar el surtidor y el drenador. En algunos casos, se utiliza una
línea segmentada en tres partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y
una línea sólida para el canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra línea es
dibujada en forma paralela al canal para destacar la compuerta.
Símbolos de circuito:
9. Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creación de un canal entre el
drenador y el surtidor, al aplicar una tensión en la compuerta. La tensión de la
compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma
una región de inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que tenía el
sustrato originalmente. El término enriquecimiento hace referencia al incremento
de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de
carga en la región correspondiente al canal. El canal puede formarse con un
incremento en la concentración de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o
huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se
construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un
transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p. Los
MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo,
que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la
compuerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de carga
y una disminución respectiva de la conductividad.
Funcionamiento:
12. FICHA TÉCNICA DEL FOTOTRANSISTOR TDE
Los fototransistores son sensibles a la
radiación electromagnética en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto
su flujo de corriente puede ser regulado por
medio de la luz incidente. Un fototransistor
es, en esencia, lo mismo que un transistor
normal, sólo que puede trabajar de 2
maneras diferentes:
• Como un transistor normal con la
corriente de base (IB) (modo común).
• Como fototransistor, cuando la luz que
incide en este elemento hace las veces
de corriente de base. (IP) (modo de
iluminación).
Los fototransistores no son muy
diferentes de un transistor normal, es
decir, están compuestos por el mismo
material semiconductor, tienen dos
junturas y las mismas tres conexiones
externas: colector, base y emisor. Por
supuesto, siendo un elemento sensible a la
luz, la primera diferencia evidente es en
su cápsula, que posee una ventana o es
totalmente transparente, para dejar que la
luz ingrese hasta las junturas de la pastilla
semiconductora y produzca el efecto
fotoeléctrico.
Teniendo las mismas características de un transistor normal, es posible regular su
corriente de colector por medio de la corriente de base. Y también, dentro de sus
características de elemento opto electrónico, el fototransistor conduce más o menos
corriente de colector cuando incide más o menos luz sobre sus junturas.
13. En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexión de base como sin ella y tanto
en cápsulas plásticas como metálicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente.
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos, etc. Para
comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. También se
pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de
proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando
interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del haz de luz por un objeto.
Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión.
Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor, basta agregar a un transistor común
un fotodiodo, conectando en el colector del transistor el cátodo del fotodiodo y el ánodo a la
base. SÌMBOLO ELECTRÓNICO
15. FICHA TÉCNICA DEL TRANSISTOR BJT 2N4
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en
electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como
la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en
un solo cristal semiconductor, separados por una región muy
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
• Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente
dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que
esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
• Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
• Colector, de extensión mucho mayor.
17. FICHA TÉCNICA DEL TRANSISTOR DE POTENC
El 2N3055 es un transistor NPN de potencia
diseñado para aplicaciones de propósito general.
Fue introducido en la década de 1960 por la
firma estadounidense RCA usando el proceso
hometaxial para transistores de potencia, que
luego paso a una base epitaxial en la década de
1970. Su numeración sigue el estándar JEDEC.
Es un transistor de potencia muy utilizado en
una gran variedad de aplicaciones.
Especificaciones:
Las características exactas del transistor
dependen del fabricante, aunque las
características típicas del dispositivo pueden ser
las siguientes: