Obtenção do silício: processos metalúrgico e eletrônico

Obtenção do Silício ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Tópicos ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Introdução ,[object Object],[object Object],[object Object]

Aplicações ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Obtenção – G. Metalúrgico ,[object Object],[object Object],[object Object]

G. Metalúrgico < 0,001 Bl, Be, Ag < 0,002 Pb, Sn < 0,005 Cu < 0,02 Hg, Sb < 0,05 Ba, P, As, Cd, Ca 0,022 a 0,039 Ti 0,017 a 0,038 V 0,013 a 0,019 Nl 0,018 a 0,062 Cr 0,018 a 0,038 Mn < 0,002 B 0,16 a 0,20 Al 0,35 a 0,51 Fe CONTEÚDO (%) IMPUREZAS

G. Eletrônico ,[object Object],[object Object],Silício Grau Metalúrgico SiO 2 + 2C -> Si + 2CO Forno de redução a arco Triclorosilana (TCS) Si + 3HCl -> SiHCl 3 + H 2 Reator de leito fuidizado Purificação da TCS SiHCl 3 (l) -> SiHCl 3 (g) Colunas de destilação Deposição do Silício Grau Eletrônico SiHCl 3 + H 2 -> Si + 3HCl Reator tipo U (CVD)

Triclorosilana ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Deposição de S. Policristalino ,[object Object],[object Object],[object Object]

Bibliografia ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

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