Un semiconductor intrínseco es un cristal puro de silicio o germanio sin impurezas. A temperatura ambiente, algunos electrones en la banda de valencia pueden absorber energía y saltar a la banda de conducción, dejando huecos. Esto hace que tanto los electrones como los huecos sean portadores de corriente eléctrica en el semiconductor cuando se aplica una diferencia de potencial.

2.  Se dice que un semiconductor es “intrinseco” cuando se
encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna
impureza, ni atomos de otro tipo dentro de su estructura.
 Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una
estructura tetraédrica similar a la del carbono
mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad. Cuando el
cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energía necesaria para
saltar a la banda de conducción dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las
energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12
eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
 Los electrones y los huecos reciben el nombre
de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de
portadores contribuyen al paso de la corriente eléctrica. Si
se somete el cristal a una diferencia de potencial se
producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al
movimiento de los electrones libres de la banda de
conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a
los huecos próximos (2), originando una corriente de
huecos con 4 capas ideales y en la dirección contraria al
campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior
a la de la banda de conducción.

3. Cristal Semiconductor
intrínseco:
A simple vista es imposible que
un semiconductor permita el
movimiento de electrones a
través de sus bandas de energía
Idealmente, a T=0ºK, el
semiconductor es un aislante
porque todos los e- están
formando enlaces.
Pero al crecer la temperatura,
algún enlace covalente se
puede romper y quedar libre
un e- para moverse en la
estructura cristalina.
El hecho de liberarse un e- deja un “hueco” (partícula ficticia positiva) en la
estructura cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor
encontramos el electrón libre (e-), pero también hay un segundo tipo de
portador: el hueco (h+).

6. En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas
en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus
propiedades eléctricas.
Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con
dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos.
Un semiconductor altamente dopado que actúa más como un conductor que como un semiconductor es
llamado degenerado.
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades
conductoras de un semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número de
átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es
bajo o ligero.
Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10.000 átomos) entonces se dice
que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para
material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

7. Tipo de Materiales Dopantes:
Tipo N
Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que
permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los
mismos. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que
"donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco,
como el Arsénico y el Fósforo.
De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica,
ya que el átomo introducido al semiconductor es neutro, pero
posee un electrón no ligado, a diferencia de los átomos que
conforman la estructura original, por lo que la energía necesaria
para separarlo del átomo será menor que la necesitada para
romper una ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor
original.
Finalmente, existirán más electrones que huecos, por lo que los
primeros serán los portadores mayoritarios y los últimos los
minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios será función
directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fósforo
(dopaje N). En el caso del Fósforo, se dona un electrón.

8. Tipo de Materiales Dopantes:
Tipo P
Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que
permiten la formación de huecos sin que aparezcan electrones
asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura.
Los átomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan"
o toman un electrón. Suelen ser de valencia tres, como
el Aluminio, el Indio o el Galio.
Nuevamente, el átomo introducido es neutro, por lo que no
modificará la neutralidad eléctrica del cristal, pero debido a que
solo tiene tres electrones en su última capa de valencia,
aparecerá una ligadura rota, que tenderá a tomar electrones de
los átomos próximos, generando finalmente más huecos que
electrones, por lo que los primeros serán los portadores
mayoritarios y los segundos los minoritarios.
Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores
mayoritarios será función directa de la cantidad de átomos de
impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P
dopaje). En el caso del boro le falta un electrón y, por tanto, es
donado un hueco de electrón.

9. http://ocw.usal.es/eduCommons/ensenanzas-
tecnicas/electronica/contenido/electronica/Tema1_SemiConduct.pdf
http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.html
https://docs.google.com/viewer?a=v&q=cache:fETr8RK0P0kJ:www.uv.es/candid
/docencia/ed_tema-
02.pdf+semiconductores+intrinsecos&hl=es&gl=pa&pid=bl&srcid=ADGEESjhm
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