2. MEMORIAS
RAM
Memorias de
acceso
directo
Son
memorias de
lectura/escrit
ura
RAM:
Randon
access
Memory
Son volátiles

3. RAM
Cargan las
instrucciones del
procesador y otras
unidades de computo.
En dispositivos como
las consolas de
videojuegos, la RAM
va soldada
directamente sobre la
placa principal.
Se compone de
circuitos integrados
soldados sobre un
circuito impreso
independiente,
Se clasifican en dos
categorías: Ram
estática, Ram
dinámica

4. En 1969 fueron lanzadas una de
las primeras memorias por intel
Usada por primera vez en el año
de 1942 y 1952.
Fue la memoria de núcleo
magnético-
RAM
FPM-RAM (Fast Page Mode RAM).
En los años 80 se hicieron una
mejoras.
EDO-RAM (Extended Data Output
RAM)
BEDO-RAM (Burst Extended Data
Output RAM)

5. FPM-RAM (Fast Page
Mode RAM)
EDO-RAM (Extended
Data Output RAM)
BEDO-RAM (Burst
Extended Data Output
RAM)
Usado en
procesadores como el
Intel 486,3
Lanzada en 1995 y
con tiempos de
accesos de 40 o 30 ns
Fue presentada en
1997.
Se implantó un modo
Fue una mejora de su
direccionamiento en
antecesora FPM-RAM
el que el controlador
de memoria envía una
sola dirección y recibe
a cambio esa y varias
consecutivas
Nunca salió al
mercado, dado que
Intel y otros
fabricantes se
decidieron por
esquemas de
memoria sincrónicos
Se fabricaban con
tiempos de acceso de
70 ó 60 ns
Usaba generadores
internos de
direcciones
fueron muy populares
en sistemas basados
en el 486 y los primeros
Pentium
Fue la evolución de la
EDO RAM y
competidora de la
SDRAM.

6. 
Este tipo de
memoria conocida
como SRAM, se
compone de celdas
conformadas por
plip-flops
construidos
generalmente con
transistores.

7. Memoria
síncrona
tiempos de
acceso de
entre 25 y 10
ns
Fue utilizada
en los
Pentium II y
en los
Pentium III
Se presentan
en módulos
DIMM de 168
contactos.

12. Las memorias DDR 2
son una mejora de
las memorias DDR
(Double Data Rate)
permiten que los
búferes de
entrada/salida
trabajen al doble
de la frecuencia del
núcleo
Se presentan en
módulos DIMM de
240 contactos.

16. Las memorias
DDR 3 son una
mejora de las
memorias DDR
2
los DIMMs son
físicamente
incompatibles
Mejora en
Niveles de
bajo voltaje
debido a una
ubicación
diferente de la
muesca
Los módulos DIMM
DDR 3 tienen 240 pines.

20. 
Los módulos de
memoria RAM son
tarjetas de circuito
impreso que tienen
soldados
integrados de
memoria DRAM
por una o ambas
caras.

21. 
los módulos
poseen un
integrado que
permiten la
identificación de
los mismos ante el
computador por
medio del
protocolo de
comunicación
SPD.

22. 
Formato usado en
computadores
antiguos. Tenían un
bus de datos de 16
ó 32 bits.

23. 
Usado en
computadores de
escritorio. Se
caracterizan por
tener un bus de
datos de 64 bits.

24. 
Usado en
computadores
portátiles. Formato
miniaturizado de
DIMM

25. 
Los sistemas con memoria
registrada permiten conectar
más módulos de memoria y de
una capacidad más alta, sin
que haya perturbaciones en las
señales del controlador de
memoria, permitiendo el
manejo de grandes cantidades
de memoria RAM.

26. Tienen celdas de memorias
no volátiles, es decir que la
información se conversan sin
energía
Se utiliza para almacenar la
información permanente y
tiene una velocidad de
15/MB

27. La información no se puede alterar
Y programa en el momento de
fabricacion.
El proceso de fabricación es
muy caro, pero se hacen
económicas.
Son ideales para almacenar
sistemas operativos, caracteres
y tablas de conversión.

28. Desarrollada a
fines de la
década del 70.
Para almacenar
información
comprimen
miles de fusibles.
No se puede
borrar o
almacenar otra
información
No se programa
en la
fabricación

29. Son memorias
prom que se
pueden
eliminar.
Dispones de
un panel de
vidrio que
deja entrar
rayos ultravioleta
Se reconstituyen los
fusibles quemados
utilizados para
almacenar
información.

30. son memorias
PROM borrables
se pueden borrar
mediante una
sencilla corriente
eléctrica.

32. Es derivada de la
memoria EEPROM permite
la lectura y escritura de
múltiples posiciones de la
memoria
Su velocidad es muy
superior a la de la
memoria EEPROM.
MEMORIAS
FLASH
sólo permiten un número
limitado de escrituras y
borrados, generalmente
entre 10.000 y un millón
sólo permiten un número
limitado de escrituras y
borrados, generalmente
entre 10.000 y un millón

34. 
En las memorias flash de tipo
NOR, cuando los electrones se
encuentran en FG (Floating
Gate), modifican
(prácticamente anulan) el
campo eléctrico que generaría
CG (control Gate) en caso de
estar activo. De esta forma,
dependiendo de si la celda
está a 1 ó a 0, el campo
eléctrico de la celda existe o
no. Entonces, cuando se lee la
celda poniendo un
determinado voltaje en CG,

35. 
Las memorias flash
basadas en puertas
lógicas NAND
funcionan de forma
ligeramente
diferente: usan un
túnel de inyección
para la escritura y
para el borrado un
túnel de ‘soltado’.

36. GRACIAS.