2. Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se
encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario:
radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, teléfonos celulares, etc.

3. Es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento sólo
intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos
de JFET: de "canal N" y "de canal P".
En ambos tipos de JFET, la corriente ID de salida se controla
por medio de un voltaje entre la compuerta y el surtidor.
El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de
material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de
material tipo p situadas a ambos lados.
Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan
drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).
La polarización de un JFET exige que las uniones
p-n estén inversamente polarizadas.
En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de
drenador debe ser mayor que la de la fuente para
que exista un flujo de corriente a través de canal.
Además, la puerta debe tener una tensión más
negativa que la fuente para que la unión p-n se
encuentre polarizado inversamente.

4. Curvas características del Transistor de Efecto de Campo.
Son solo dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los
transistores JFET. En primer lugar, en la representación ID v/s VGS para un VDS dado, se
aprecia claramente el paso de la región de corte a la región de saturación. En la
práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica, puesto que en el primero,
VGS positiva hace crecer rápidamente a IG.

6. Para que un transistor de efecto de campo funcione no
es necesario suministrar corriente al terminal de
puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se
puede aislar totalmente la estructura de la puerta de la
del canal. Con esta disposición se consigue eliminar
prácticamente la corriente de fuga que aparecía en
dicho terminal en los transistores JFET. En la siguiente
figura se puede apreciar la estructura de un MOSFET
de canal N.
Debido a que la puerta está aislada del canal, se
puede aplicar una tensión positiva de polarización
al mismo. De esta manera, se consigue hacer
trabajar al MOSFET en enriquecimiento.
Este componente, puede funcionar tanto en la
forma de empobrecimiento como de
enriquecimiento, como puede observarse en la
siguiente figura.

7.  En la siguiente figura, se muestra el ejemplo de una familia de curvas de drenador de un
MOSFET de empobrecimiento de canal N.
 Obsérvese cómo en esta curva aparecen tanto
tensiones negativas de VGS (trabajo en modo de
empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo
de enriquecimiento).
De esta familia de curvas se puede obtener la curva
de transconductancia, que nos indica la relación que
existe entre VGS e ID. Ésta posee la forma que se
muestra en la siguiente curva abajo a la derecha.
Obsérvese cómo esta curva aparece dibujada en
los dos cuadrantes del eje de tensiones. Esto es
debido a que el MOSFET puede operar tanto con
tensiones positivas como negativas. Por esta
razón, la corriente IDSS, correspondiente a la
intersección de la curva con el eje ID, ya no es la de
saturación.

9. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor
conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se
apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se
"ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor". Se basa en
efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las
puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas)
y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shock ley,
1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.

10. •La base de la ganancia de corriente de un transistor de contacto
común es de alrededor de 2 a 3, mientras que la de un de un
transistor de unión bipolar es típicamente entre 0,98 y 0,998.
•Resistencia negativa diferencial.
•Cuando se utiliza en el modo saturado en la lógica digital, se
enganchan en el on-estado, por lo que es necesario eliminar el
poder por un breve periodo de tiempo en cada ciclo de la máquina
que se les devuelva el estado de desconexión.

11. Es uno de los dispositivos que son fruto de la
tecnología en semiconductores (basada en
uniones PN y dopaje) y es uno de los tipos de
transistores mas usados en la actualidad. Un
transistor posee tres terminales (base, colector
y emisor) las cuales se muestran en la
ilustración de la representación esquemática
de un transistor PNP y NPN respectivamente.
Un transistor BJT puede eventualmente trabajar en tres regiones, las cuales son:
Región activa, región de saturación y región de ruptura; Cuando un transistor BJT
trabaja en región activa, quiere decir que está trabajando como amplificador de una
señal (Corriente o voltaje), esta región de funcionamiento se caracteriza porque la
corriente de base es muy pequeña en comparación a la de colector y emisor (que son
parecidas), y porque el voltaje colector base no puede exceder los 0.4 o -0.4V
(dependiendo si es PNP o NPN).

12.  Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones de semiconductores dopados.
Se puede utilizar una pequeña corriente en la región central o base, para controlar una
corriente mayor que fluye entre las regiones extremas (emisor y colector). El dispositivo
puede ser caracterizado como un amplificador de corriente, el cual tiene muchas
aplicaciones en la amplificación y la conmutación.

13. UNION BIPOLAR bc337

14. Es un transistor sensible a la luz, normalmente
a los infrarrojos. La luz incide sobre la región
de base, generando portadores en ella. Esta
carga de base lleva el transistor al estado de
conducción. El fototransistor es más sensible
que el fotodiodo por el efecto
de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con
la diferencia que el primero puede trabajar de la
siguiente manera:
1. Como transistor normal con la corriente de
base Ib (modo común).
2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en
este elemento hace las veces de corriente de
base. Ip (modo de iluminación).
3. Puede utilizarse de las dos en formas
simultáneamente, aunque el fototransistor se utiliza
principalmente con el pin de la base sin conectar.

15.  El fototransistor no es muy diferente a un transistor normal, es decir, está compuesto por el
mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas:
colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera
diferencia evidente es en su cápsula, que posee una ventana o es totalmente transparente,
para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca
el efecto fotoeléctrico.
Teniendo las mismas características de un transistor normal, es posible regular su corriente de
colector por medio de la corriente de base. Y también, dentro de sus características de elemento
optoelectrónicos, el fototransistor conduce más o menos corriente de colector cuando incide más o
menos luz sobre sus junturas.

17. FUENTES DE INFORMACIÓN:
1. http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
2. http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pagina_jfet/JFet.htm
3. http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/MOSFET.html
4. http://electro-cev.blogia.com/2010/090702-transistor-de-contacto-puntual.php
5. http://centrodeartigos.com/articulos-noticias-consejos/article_140873.html
6. http://gambox-bjt.blogspot.com/2009/09/teoria.html
7. http://es.wikipedia.org/wiki/Fototransistor
8. http://www.ecured.cu/index.php/Fototransistor