1) Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica depende de factores como la temperatura o el campo eléctrico aplicado, comportándose como conductores o aislantes. 2) Los semiconductores puros se pueden dopar añadiendo pequeñas cantidades de impurezas que modifican la densidad de portadores, dando lugar a los semiconductores extrínsecos tipo n y tipo p. 3) El dopaje tipo n se logra con impurezas pentavalentes que aportan electrones libres, mientras que el tipo p se ob
1. Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético,
la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se
encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican
en la tabla adjunta.
Elemento Grupos Electrones en
la última capa Cd 12 2 e- Al, Ga, B, In 13 3 e- Si, C, Ge 14 4 e- P, As, Sb 15 5 e- Se,
Te, (S) 16 6 e-
2. Calcular la densidad de portadores en semiconductores puros y poco dopados
Motivo:
Poder determinaran los comportamientos característicos tensión/corriente de los
dispositivos
Esquema
⎫
⎪
×
⎬ ⇒ Densidad de portadores
Probabilidad de ocupación ⎪
⎭
Densidad de estados
Concepto: Equilibrio térmico
Es el estado en que un proceso es acompañado por otro, igual y opuesto (estado
dinámico),
mientras que el sistema se mantiene a la misma temperatura, sin intercambios de
energía
con el exterior.
3. Un Semiconductor tipo N :se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al
semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se añade el material dopante aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor.
Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a
entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia
atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o
antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro
enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres",
el número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los
portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de
valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el
semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una
carga eléctrica neta final de cero.
Un Semiconductor tipo P :se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al
semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor.
Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un
electrón son conocidos como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un átomo tetravalente
(típicamente del grupo 14 de la tabla periódica) se le une un átomo con tres electrones de valencia, tales como los del
grupo 13 de la tabla periódica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio,
entonces ese átomo tendrá tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrará en condición de aceptar un
electrón libre.
Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo
situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un
número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones.
Así, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los
materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un
semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
4. Ahora bien, si aumentamos la temperatura, aumentará por consiguiente la energía cinética de
vibración de los átomos de la red, y algunos electrones de valencia pueden absorber de los
átomos vecinos la energía suficiente para liberarse del enlace y moverse a través del cristal
como electrones libres. Su energía pertenecerá a la banda de conducción, y cuanto más
elevada sea la temperatura más electrones de conducción habrá, aunque ya a temperatura
ambiente podemos decir que el semiconductor actúa como conductor.
Si un electrón de valencia se convierte en electrón de conducción deja una posición vacante, y
si aplicamos un campo eléctrico al semiconductor, este “hueco” puede ser ocupado por otro
electrón de valencia, que deja a su vez otro hueco. Este efecto es el de una carga +e
moviéndose en dirección del campo eléctrico. A este proceso le llamamos „generación térmica
de pares electrón-hueco‟.
6. Los semiconductores extrínsecos se forman añadiendo pequeñas cantidades de impurezas
a los semiconductores puros. El objetivo es modificar su comportamiento eléctrico al alterar
la
densidad de portadores de carga libres.
Estas impurezas se llaman dopantes. Así, podemos hablar de semiconductores dopados.
En función del tipo de dopante, obtendremos semiconductores dopados tipo p o tipo n.
Para el silicio, son dopantes de tipo n los elementos de la columna V, y tipo p los de la III
7. Para otros usos de este término, véase Dopaje (desambiguarían).
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un
semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus
propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los
semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor
altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un
semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1
cada 100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos
más átomos (en el orden de 1 cada 10.000 átomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este
dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.
8. Tipo N:
Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que permiten la aparición de electrones
sin huecos asociados a los mismos. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o
entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsénico y el Fósforo. De esta forma, no
se ha des balanceado la neutralidad eléctrica, ya que el átomo introducido al semiconductor es
neutro, pero posee un electrón no ligado, a diferencia de los átomos que conforman la estructura
original, por lo que la energía necesaria para separarlo del átomo será menor que la necesitada para
romper una ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor original). Finalmente, existirán más
electrones que huecos, por lo que los primeros serán los portadores mayoritarios y los últimos los
minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios será función directa de la cantidad de átomos
de impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fósforo (dopaje N). En el caso del Fósforo, se
dona un electrón.
Dopaje de tipo N
9. Tipo P:
Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la formación de huecos
sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura.
Los átomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón. Suelen
ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el átomo introducido
es neutro, por lo que no modificará la neutralidad eléctrica del cristal, pero debido a que
solo tiene tres electrones en su última capa de valencia, aparecerá una ligadura rota, que
tenderá a tomar electrones de los átomos próximos, generando finalmente más huecos que
electrones, por lo que los primeros serán los portadores mayoritarios y los segundos los
minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores mayoritarios será
función directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le
falta un electrón y, por tanto, es donado un hueco de electrón.
10. SEMICONDUCTOR DOPADO
Si aplicamos una tensión al cristal de silicio, el positivo de la pila intentará atraer los electrones y el negativo los huecos
favoreciendo así la aparición de una corriente a través del circuito
Sentido del movimiento de un electrón y un hueco en el silicio
Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeño valor, pues son pocos los electrones que podemos arrancar de los
enlaces entre los átomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posibilidades:
Aplicar una tensión de valor superior
Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior
La primera solución no es factible pues, aún aumentando mucho el valor de la tensión aplicada, la corriente que aparece no es de
suficiente valor. La solución elegida es la segunda.
En este segundo caso se dice que el semiconductor está "dopado".
El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros elementos. A estos últimos se les conoce con el
nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrínseco aparecen dos
clases de semiconductores.
Semiconductor tipo P
Semiconductor tipo N
11. El Dopado de Semiconductores:
La adición de un pequeño porcentaje de átomos extraños en la red cristalina regular de silicio o
germanio, produce unos cambios espectaculares en sus propiedades eléctricas, dando lugar a los
semiconductores de tipo n y tipo p.
Impurezas pentavalentes Los átomos de impurezas con 5 electrones de valencia, producen
semiconductores de tipo n, por la contribución de electrones extras.
Impurezas trivalentes Los átomos de impurezas con 3 electrones de valencia, producen
semiconductores de tipo
o p, por la producción de un "hueco" o deficiencia de electrón.
12. Los átomo de valencia 5 tienen un electrón de más, así con una temperatura no muy
elevada (a temperatura ambiente por ejemplo), el 5º electrón se hace electrón libre. Esto
es, como solo se pueden tener 8 electrones en la órbita de valencia, el átomo pentavalente
suelta un electrón que será libre.
Siguen dándose las reacciones anteriores. Si metemos 1000 átomos de impurezas
tendremos 1000 electrones más los que se hagan libres por generación térmica (muy
pocos).
A estas impurezas se les llama "Impurezas Donadoras". El número de electrones libres se
llama n (electrones libres/m3).