1. – Introducción
– Semiconductores extrínsecos: tipo
p y tipo n.
-Semiconductores Intrínsecos.

2.  Objetivo
Calcular la densidad de portadores en semiconductores puros y poco
dopados
 Motivo
Poder determinaran los comportamientos característicos
tensión/corriente de los dispositivos.
 Esquema
Densidad de Estados Densidad de
x de
portadores
Probabilidad de ocupación
 Concepto: Equilibrio térmico
Es el estado en que un proceso es acompañado por otro, igual y
opuesto (estado dinámico), mientras que el sistema se mantiene a la
misma temperatura, sin intercambios de energía con el exterior.

3.  Los semiconductores extrínsecos se forman añadiendo
pequeñas cantidades de impurezas
 a los semiconductores puros. El objetivo es modificar su
comportamiento eléctrico al alterar la
 densidad de portadores de carga libres.
 Estas impurezas se llaman dopantes. Así, podemos
hablar de semiconductores dopados.
 En función del tipo de dopante, obtendremos
semiconductores dopados tipo p o tipo n.
 Para el silicio, son dopantes de tipo n los elementos de
la columna V, y tipo p los de la III.

4.  Tipo n:
En general, los elementos de la columna V convierten al Si en
tipo n. Estos elementos tienen cinco electrones de valencia en
su última capa y se les llama impurezas dadoras.
 Tipo p:
En general, los elementos de la columna III convierten al Si en
tipo p. Estos elementos tienen tres electrones de valencia en
su última capa y se les llama impurezas aceptoras.

5.  Concepto: un semiconductor intrínseco es un semiconductor
puro, cuando se le aplica una tensión externa los electrones libres
fluyen hacia el terminal positivo de la batería y los huecos hacia el
terminal negativo de la batería.
semiconductor extrínseco: es aquel que se puede dopar parta tener
un exceso de electrones libres o un exceso de huecos. aquí
encontraremos dos tipos de unión en el que es la unión tipo p y la
unión tipo n.
sucede que los semiconductores intrínsecos actúan como un
aislante en el caso del silicio cuando es un cristal puro, ahora
cuando lo dopamos con impurezas se llega al material extrínseco y
en ese caso tendremos un material semiconductor por ejemplo un
diodo.