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DIODO
EL DIODO ZENER
• Es un diodo de cromo1 que se ha construido
para que funcione en las zonas de rupturas,
recibe ese nombre por su inventor, el Dr.
Clarence Melvin Zener. El diodo Zener es la
parte esencial de los reguladores de tensión casi
constantes con independencia de que se
presenten grandes variaciones de la tensión de
red, de la resistencia de carga y temperatura.
• Son mal llamados a veces diodos de avalancha,
pues presentan comportamientos similares a
estos, pero los mecanismos involucrados son
diferentes.
Características
• Si a un diodo Zener se le aplica una corriente
eléctrica del ánodo al cátodo (polarización
directa) toma las características de un diodo
rectificador básico, pero si se le suministra
corriente eléctrica de cátodo a ánodo
(polarización inversa), el diodo solo dejara pasar
una tensión constante.
• En conclusión: el diodo Zener debe ser
polarizado al revés para que adopte su
característica de regulador de tensión.
• Su símbolo es como el de un diodo normal pero
tiene dos terminales a los lados. Este diodo se
comporta como un diodo convencional en
condiciones de alta corriente porque cuando
recibe demasiada corriente se quema.
EFECTO GUNN
• El efecto Gunn es un instrumento eficaz
para la generación de oscilaciones en el
rango de las microondas en los materiales
semiconductores.
• El efecto Gunn es una propiedad del
cuerpo de los semiconductores y no
depende de la unión misma, ni de los
contactos, tampoco depende de los
valores de voltaje y corriente y no es
afectado por campos magnéticos.
• Cuando se aplica un pequeño voltaje
continuo a través de una plaquita delgada
de Arseniuro de Galio (GaAs), ésta
presenta características de resistencia
negativa. Todo esto bajo la condición de
que el voltaje en la plaquita sea mayor a
los 3.3 voltios / cm.
• Ahora, si esta plaquita es conectada a
un circuito sintonizado (generalmente
una cavidad resonante), se producirán
oscilaciones y todo el conjunto se
puede utilizar como oscilador.
• Este efecto Gunn sólo se da en
materiales tipo N (material con exceso
de electrones) y las oscilaciones se dan
sólo cuando existe un campo eléctrico.
• Estas oscilaciones corresponden
aproximadamente al tiempo que los
electrones necesitan para atravesar una
plaquita de material tipo N cuando se
aplica el voltaje en continua.
El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los pocos
materiales semiconductores que en una muestra con
dopado tipo N, tiene una banda de energía vacía más
alta que la más elevada de las que se encuentran
ocupadas parcial o totalmente.
Funcionamiento de resistencia positiva:
Cuando se aplica un voltaje a la plaquita (tipo N) de
Arseniuro de Galio (GaAs), los electrones, que el
material tiene en exceso, circulan y producen una
corriente al terminal positivo.
Si se aumenta la tensión, la velocidad de la corriente
aumenta. Comportamiento típico y el gráfico
tensión-corriente es similar al que dicta la ley de
Ohm.
Funcionamiento de resistencia negativa:
Si a plaquita anterior se le sigue aumentando el
voltaje, se les comunica a los electrones una mayor
energía, pero en lugar de moverse más rápido, los
electrones saltan a una banda de energía más
elevada, que normalmente esta vacía, disminuyen su
velocidad y por ende la corriente.
De esta manera una elevación del voltaje en este
elemento causa una disminución de la corriente.
Eventualmente, el voltaje en la plaquita se hace
suficiente para extraer electrones de la banda de
mayor energía y menor movilidad, por lo que la
corriente aumentará de nuevo con el voltaje.
La característica voltaje contra corriente se parece
mucho a la del diodo Tunnel.
La aplicación más común es la del oscilador Gunn
Diodo capacitivo (varicap)
• Ver el símbolo del diodo varactor o varicap en el
gráfico de la derecha
• Todos los diodos cuando están polarizados en
sentido opuesto tienen una capacitancia que
aparece entre sus terminales.
• Los diodos varactores o varicap han sido
diseñados de manera que su funcionamiento
sea similar al de un capacitor y tengan una
característica capacitancia-tensión dentro de
límites razonables.
• En el gráfico inferior se muestran las similitudes
entre un diodo y un capacitor.
• Debido a la recombinación de los portadores en
el diodo, una zona de agotamiento se forma en
la juntura.
• Esta zona de agotamiento actúa como un
dieléctrico (aislante), ya que no hay ninguna
carga y flujo de corriente.
• Las áreas exteriores a la zona de agotamiento si
tienen portadores de carga (área
semiconductor). Se puede visualizar sin
dificultad la formación de un capacitor en el
diodo (dos materiales semiconductores
deparados por un aislante).
• La amplitud de la zona de agotamiento se puede
ampliar incrementando la tensión inversa
aplicada al diodo con una fuente externa. Esto
causa que se aumente la separación (aislante) y
separa más las áreas semiconductoras. Este
último disminuye la capacitancia.
• Entonces la capacitancia es función de la tensión
aplicada al diodo.
• - Si la tensión aplicada al diodo aumenta la
capacitancia disminuye
• - Si la tensión disminuye la capacitancia
aumenta
Diodo Schottky
A diferencia del diodo semiconductor normal que
tiene una unión P–N, el diodo schottky tiene una
unión Metal-N.
Diodo Schottky - Electrónica Unicrom
Estos diodos se caracterizan por su velocidad de
conmutación, una baja caída de voltaje cuando están
polarizados en directo (típicamente de 0.25 a 0.4
voltios).
El diodo Schottky está más cerca del diodo ideal que
el diodo semiconductor común pero tiene algunas
características que hacen imposible su utilización en
aplicaciones de potencia.
Estas son: El diodo Schottky tiene poca capacidad de
conducción de corriente en directo (en sentido de la
flecha).
• Esta característica no permiten que sea utilizado
como diodo rectificador. Hay procesos de
rectificación (por ejemplo fuentes de
alimentación) en que la cantidad de corriente
que tienen que conducir en sentido directo es
bastante grande.
• - El diodo Schottky no acepta grandes voltajes
que lo polaricen inversamente (VCRR).
• El proceso de rectificación antes mensionado
también requiere que la tensión inversa que
tiene que soportar el diodo sea grande.
• Símbolo del diodo Schottky - Electrónica
Unicrom
• Símbolo del diodo Schottky
• Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran
cantidad de aplicaciones en circuitos de alta
velocidad como en computadoras.
• En estas aplicaciones se necesitan grandes
velocidades de conmutación y su poca caída de
voltaje en directo causa poco gasto de energía.
• El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky,
se llama así en honor del físico alemán Walter H.
Schottky.
DIODO PIN
• Su nombre deriva de su formación P(material P),
I(zona intrínseca)y N(material N)
• Los diodos PIN se emplean principalmente
como
• resistencias variables por voltaje y los diodos
Gunn e IMPATT como osciladores. También se
disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA, etc.
• Son dispositivos desarrollados para trabajar a
frecuencias muy elevadas, donde la
capacidad de respuesta de los diodos
comunes está limitada por su tiempo de
tránsito, es decir el tiempo que tardan los
portadores de carga en atravesar la unión
PN. Los más conocidos son los diodos Gunn,
PIN e IMPATT.
Webiografia
• http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Zener
• http://www.unicrom.com/Tut_Diodo_Gunn.asp
• http://www.unicrom.com/Tut_diodo_varactor.asp
• http://www.unicrom.com/Tut_shottky_tunnel.asp
• https://sites.google.com/site/electronica4bys/tipos-de-diodos

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  • 2. EL DIODO ZENER • Es un diodo de cromo1 que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de tensión casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensión de red, de la resistencia de carga y temperatura. • Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos similares a estos, pero los mecanismos involucrados son diferentes.
  • 3. Características • Si a un diodo Zener se le aplica una corriente eléctrica del ánodo al cátodo (polarización directa) toma las características de un diodo rectificador básico, pero si se le suministra corriente eléctrica de cátodo a ánodo (polarización inversa), el diodo solo dejara pasar una tensión constante. • En conclusión: el diodo Zener debe ser polarizado al revés para que adopte su característica de regulador de tensión. • Su símbolo es como el de un diodo normal pero tiene dos terminales a los lados. Este diodo se comporta como un diodo convencional en condiciones de alta corriente porque cuando recibe demasiada corriente se quema.
  • 4. EFECTO GUNN • El efecto Gunn es un instrumento eficaz para la generación de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales semiconductores. • El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unión misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnéticos. • Cuando se aplica un pequeño voltaje continuo a través de una plaquita delgada de Arseniuro de Galio (GaAs), ésta presenta características de resistencia negativa. Todo esto bajo la condición de que el voltaje en la plaquita sea mayor a los 3.3 voltios / cm.
  • 5. • Ahora, si esta plaquita es conectada a un circuito sintonizado (generalmente una cavidad resonante), se producirán oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como oscilador. • Este efecto Gunn sólo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las oscilaciones se dan sólo cuando existe un campo eléctrico. • Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica el voltaje en continua.
  • 6. El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los pocos materiales semiconductores que en una muestra con dopado tipo N, tiene una banda de energía vacía más alta que la más elevada de las que se encuentran ocupadas parcial o totalmente. Funcionamiento de resistencia positiva: Cuando se aplica un voltaje a la plaquita (tipo N) de Arseniuro de Galio (GaAs), los electrones, que el material tiene en exceso, circulan y producen una corriente al terminal positivo. Si se aumenta la tensión, la velocidad de la corriente aumenta. Comportamiento típico y el gráfico tensión-corriente es similar al que dicta la ley de Ohm. Funcionamiento de resistencia negativa: Si a plaquita anterior se le sigue aumentando el voltaje, se les comunica a los electrones una mayor energía, pero en lugar de moverse más rápido, los electrones saltan a una banda de energía más elevada, que normalmente esta vacía, disminuyen su velocidad y por ende la corriente. De esta manera una elevación del voltaje en este elemento causa una disminución de la corriente. Eventualmente, el voltaje en la plaquita se hace suficiente para extraer electrones de la banda de mayor energía y menor movilidad, por lo que la corriente aumentará de nuevo con el voltaje. La característica voltaje contra corriente se parece mucho a la del diodo Tunnel. La aplicación más común es la del oscilador Gunn
  • 7. Diodo capacitivo (varicap) • Ver el símbolo del diodo varactor o varicap en el gráfico de la derecha • Todos los diodos cuando están polarizados en sentido opuesto tienen una capacitancia que aparece entre sus terminales. • Los diodos varactores o varicap han sido diseñados de manera que su funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una característica capacitancia-tensión dentro de límites razonables. • En el gráfico inferior se muestran las similitudes entre un diodo y un capacitor. • Debido a la recombinación de los portadores en el diodo, una zona de agotamiento se forma en la juntura. • Esta zona de agotamiento actúa como un dieléctrico (aislante), ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente.
  • 8. • Las áreas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (área semiconductor). Se puede visualizar sin dificultad la formación de un capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante). • La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensión inversa aplicada al diodo con una fuente externa. Esto causa que se aumente la separación (aislante) y separa más las áreas semiconductoras. Este último disminuye la capacitancia. • Entonces la capacitancia es función de la tensión aplicada al diodo. • - Si la tensión aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye • - Si la tensión disminuye la capacitancia aumenta
  • 9. Diodo Schottky A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unión P–N, el diodo schottky tiene una unión Metal-N. Diodo Schottky - Electrónica Unicrom Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutación, una baja caída de voltaje cuando están polarizados en directo (típicamente de 0.25 a 0.4 voltios). El diodo Schottky está más cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor común pero tiene algunas características que hacen imposible su utilización en aplicaciones de potencia. Estas son: El diodo Schottky tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido de la flecha).
  • 10. • Esta característica no permiten que sea utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de rectificación (por ejemplo fuentes de alimentación) en que la cantidad de corriente que tienen que conducir en sentido directo es bastante grande. • - El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR). • El proceso de rectificación antes mensionado también requiere que la tensión inversa que tiene que soportar el diodo sea grande. • Símbolo del diodo Schottky - Electrónica Unicrom • Símbolo del diodo Schottky • Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad como en computadoras. • En estas aplicaciones se necesitan grandes velocidades de conmutación y su poca caída de voltaje en directo causa poco gasto de energía. • El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, se llama así en honor del físico alemán Walter H. Schottky.
  • 11. DIODO PIN • Su nombre deriva de su formación P(material P), I(zona intrínseca)y N(material N) • Los diodos PIN se emplean principalmente como • resistencias variables por voltaje y los diodos Gunn e IMPATT como osciladores. También se disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA, etc. • Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy elevadas, donde la capacidad de respuesta de los diodos comunes está limitada por su tiempo de tránsito, es decir el tiempo que tardan los portadores de carga en atravesar la unión PN. Los más conocidos son los diodos Gunn, PIN e IMPATT.
  • 12. Webiografia • http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Zener • http://www.unicrom.com/Tut_Diodo_Gunn.asp • http://www.unicrom.com/Tut_diodo_varactor.asp • http://www.unicrom.com/Tut_shottky_tunnel.asp • https://sites.google.com/site/electronica4bys/tipos-de-diodos