Clasificación de las memorias en informática

FUNDAMENTOS DE HARDWARE

Esther Estévez Solanas

 La memoria en informática, se refiere a la parte de los
componentes que conforman un ordenador. Son dispositivos
que retienen datos informáticos durante algún intervalo de
tiempo. Las memorias proporcionan una de las principales
funciones de la computación moderna, la retención o
almacenamiento de información.
 Una primera clasificación, distingue entre dos grandes grupos de
Memorias:

 Memorias Centrales (RAM y ROM)

 Memorias Auxiliares, que a su vez se dividen en:
o Ópticas: DVD y CD

o Magnéticas (disco rígido, pendrivers, Reproductores, tarjetas…)

 En la actualidad, memoria suele referirse a una forma
de almacenamiento de estado sólido conocido como
memoria RAM (memoria de acceso aleatorio), y otras
veces se refiere a otras formas de almacenamiento
rápido pero temporal. De forma similar, se refiere a
formas de almacenamiento masivo como discos
ópticos y tipos de almacenamiento magnético como
discos duros y otros tipos de almacenamiento más
lentos que las memorias RAM, pero de naturaleza más
permanente. Estas distinciones contemporáneas son
de ayuda porque son fundamentales para la
arquitectura de ordenadores en general.
 Además, se refleja una diferencia técnica importante y
significativa entre memoria y dispositivos de
almacenamiento masivo, que se ha ido diluyendo por
el uso histórico de los términos "almacenamiento
primario" (a veces "almacenamiento principal"), para
memorias de acceso aleatorio, y "almacenamiento
secundario" para dispositivos de almacenamiento
masivo.

 La memoria principal (MP), o central, es una unidad dividida en
celdas que se identifican mediante una dirección. Está formada
por bloques de circuitos integrados o chips capaces de
almacenar información digital, es decir, valores binarios; a
dichos bloques tiene acceso el microprocesador del ordenador.
 La MP se comunica con el microprocesador de la CPU mediante el
bus de direcciones. El ancho de este bus determina la capacidad
que posea el microprocesador para el direccionamiento de
direcciones en memoria.
 Suele llamarse "memoria interna" a la MP, porque a diferencia de
los dispositivos de memoria secundaria, la MP no puede
extraerse tan fácilmente por usuarios no técnicos.
 La MP es el núcleo del sub-sistema de memoria de un
ordenador, y posee una menor capacidad de almacenamiento
que la memoria secundaria, pero una velocidad millones de
veces superior.

1.2.- MEMORIA ROM:
 La memoria de solo lectura, ROM (Read-only memory),
es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y
dispositivos electrónicos, que permite solo la lectura de la
información y no su escritura, independientemente de la
presencia o no de una fuente de energía.
 Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de
manera fácil. Se utiliza principalmente para contener el firmware (programa
estrechamente ligado a hardware específico, que no requiere actualizaciones
frecuentes) u otro contenido vital para el funcionamiento del dispositivo, como
los programas que arrancan el ordenador y realizan los diagnósticos.
 En su sentido más estricto, se refiere solo a máscara ROM -en inglés, MROM-
(el más antiguo tipo de estado sólido ROM), que se fabrica con los datos
almacenados de forma permanente, y cuyo contenido no puede ser modificado
de ninguna forma. Sin embargo, las ROM más modernas, como EPROM y Flash
EEPROM, se pueden borrar y volver a programar varias veces. La razón de que
se las continúe llamando así es que el proceso de reprogramación en general es
poco frecuente, lento y, a menudo, no permite la escritura en lugares aleatorios
de la memoria. A pesar de la simplicidad de la ROM, los dispositivos
reprogramables son más flexibles y económicos, por lo cual las antiguas
máscaras ROM no se suelen encontrar en hardware producido a partir de 2007.

La memoria de acceso aleatorio, RAM
(random-access memory) es la memoria
desde donde el procesador recibe las
instrucciones y guarda los resultados.

 Se usa como memoria de trabajo para el sistema operativo, los
programas y la mayoría del software.
 En ella se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y
otras unidades de cómputo.
 Se denominan "de acceso aleatorio" porque se puede leer o escribir en
una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier
posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la
información de la manera más rápida posible.
 Durante el encendido del computador, la rutina POST verifica que los
módulos de memoria RAM estén conectados de manera correcta. En el
caso que no existan o no se detecten los módulos, la mayoría de tarjetas
madres emiten una serie de pitidos que indican la ausencia de memoria
principal.
 Terminado ese proceso, la memoria BIOS puede realizar un test básico
sobre la memoria RAM indicando fallos mayores en la misma.

DRAM:

 DynamicRandom Access Memory: es un tipo de memoria dinámica de
acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria
RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema.
 Se denomina dinámica, porque para mantener almacenado un dato, se
requiere revisarlo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco.
 Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran
densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la
actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades
de acceso medidos en millones de bit por segundo.
 Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la
memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es
una de las memorias más usadas en la actualidad.

SRAM: StaticRandom Access Memory

 Memoria Estática de Acceso Aleatorio, es un tipo de memoria basada
en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz
de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de
circuito de refresco.
 Sin embargo, son memorias volátiles, es decir pierden la información
si se les interrumpe la alimentación eléctrica.

FPM-RAM: Fast Page Mode RAM:

 Inspirado en técnicas como el "BurstMode" usado en procesadores como
el Intel 486,3 se implantó un modo de direccionamiento en el que el
controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y
varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones.
 Esto supone un ahorro de tiempo en operaciones repetitivas, cuando se
quiere acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si
quisiésemos visitar todas las casas en una calle: después de la primera
vez no seria necesario decir el número de la calle, bastaría con seguir la
misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron
muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.

EDO-RAM: Extended Data Output RAM

 Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns, supuso una
mejora sobre su antecesora la FPM.
 La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero
direcciona la columna que va a utilizar mientras que se lee la
información de la columna anterior, dando como resultado una
eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búfer de salida
hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.

BEDO-RAM: Burst Extended Data Output RAM

 Es la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, presentada
en 1997.
 Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones
y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de
manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO.
 Nunca salió al mercado, pues Intel y otros fabricantes se decidieron por
esquemas de memoria sincrónicos que aunque tenían mucho del
direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como
señales de reloj.

 La tecnología de memoria actual usa una señal
de sincronización para realizar las funciones de
lectura-escritura de manera que siempre esta
sincronizada con un reloj del bus de memoria, a
diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO
que eran asíncronas.
 Hace más de una década toda la industria se
decantó por las tecnologías síncronas, porque
permiten construir integrados que funcionen a
una frecuencia superior a 66 MHz.


 SDR SDRAM:
Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10
ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos.
Fue utilizada en los Pentium II y III, y en los AMDK6, AMD
Athlon K7 y Duron.
Está extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas,
y que la denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de
la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió
muy rápido la denominación incorrecta. El nombre
correcto es SDR SDRAM porque ambas (la SDR como la
DDR) son memorias síncronas dinámicas. Los tipos
disponibles son:
 PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx de 100 MHz.
 PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx de 133 MHz.

 DDR SDRAM:
Memoria síncrona, envía los datos
2 veces por cada ciclo de reloj.
De este modo trabaja al doble de velocidad del bus
del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia
de reloj.
Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos en el
caso de ordenador de escritorio y en módulos de 144
contactos para los ordenadores portátiles. Los tipos
disponibles son:
 PC2100 o DDR 266: funciona a un máx de 133 MHz.

 DDR2 SDRAM:
Módulos de memoria instalados de 256 MiB cada uno
en un sistema con doble canal.
Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias
DDR (Double Data Rate), que permiten que los
búferes de entrada/salida trabajen al doble de la
frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada
ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.
Se presentan en módulos DIMM de 240 contactos.
Los tipos disponibles son:
 PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un máx de 533 MHz.
 PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un máx de 1200 MHz

 DDR3 SDRAM:
son una mejora de las DDR 2, proporcionan
significantes mejoras en el rendimiento en
niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una
disminución del gasto global de consumo.
Los módulos DIMM DDR 3 tienen 240 pines, el
mismo número que DDR 2; sin embargo, los
DIMMs son físicamente incompatibles, debido a
una ubicación diferente de la muesca. Los tipos
disponibles son:

 Una dirección de memoria es un identificador de localización de
memoria con la que un programa informático o un dispositivo de
hardware pueden almacenar un dato para su posterior
reutilización.
 La memoria principal de un ordenador semeja una colección de
celdas que almacenan datos e instrucciones. Cada celda se
identifica unívocamente por un número o dirección de memoria.
La información que se almacena en cada celda es un byte
(conjunto de ocho bits), que es la unidad mínima de
almacenamiento de datos e instrucciones.
 Para poder acceder a una ubicación específica de la memoria, la
CPU genera señales en el bus de dirección. Un bus de dirección
de 32 bits permite especificar a la CPU 232 = 4.294.967.296
direcciones de memoria distintas.
 Debido a la estructura de 32 bits de un procesador común como
los de Intel, las direcciones de memoria se expresan a menudo
en hexadecimal.

 El procesador envía la dirección para los datos.
 El controlador de la memoria encuentra la
ubicación adecuada.
 Por ultimo, el procesador envía los datos a
escribir.

 El procesador envía la dirección de los datos solicitados.
 El controlador de la memoria encuentra los bits de
información contenidos en dicha dirección.
 Posteriormente los envía al bus de datos del
procesador.

 La asignación de memoria a cada nuevo registro se
puede considerar desde 2 puntos: Físico y Lógico.
 Dentro del Físico podemos acceder a las posiciones
de memoria a través de los medios electrónicos.
Dentro del medio lógico encontraremos como se
expresan y guardan las direcciones.
A. ASIGNACIÓN LÓGICA DE MEMORIA
La asignación lógica puede ser:
 Asignación dinámica.
 Asignación estática.

 Por ejemplo, cuando trabajamos en un lenguaje de
programación requerimos de la asignación de memoria y
se hace de la siguiente forma, donde por lo general
comienza con algunas de las siguientes literales que son
una parte de la memoria: CS, SS, DS y ES

B. ASIGNACIÓN FÍSICA DE MEMORIA
La asignación física, permite el acceso a las distintas
posiciones de memoria a través de los medios electrónicos..
Los registros pueden ser clasificados en 2 tipos:
•Circuito operacional: capaz de acumular información
binaria en sus flip-flop y tiene compuertas capaces de
realizar tareas de procesamiento de datos.
•Registro de almacenamiento: usado sólo para el almacenamiento temporal
de la información binaria, que no puede ser alterada cuando se transfiere ya
sea hacia dentro o fuera del registro.
Una unidad de memoria es una colección de registros de almacenamiento
junto con los registros de memoria (circuitos asociados necesarios para la
transferencia de información); la información se almacena en palabras, y
cada palabra se almacena en un registro de memoria.
La información transferida a los elementos de salida se toma de los
registros en la unidad de memoria, se manda a los registros operacionales y
el resultado de esto se devuelve a los registros de memoria.

 La asignación física, permite el acceso a las distintas posiciones de
memoria a través de los medios electrónicos..
 Los registros pueden ser clasificados en 2 tipos:
 Circuito operacional: capaz de acumular información binaria en sus flip-flop y
tiene compuertas capaces de realizar tareas de procesamiento de datos.
 Registro de almacenamiento: usado sólo para el almacenamiento temporal de
la información binaria, que no puede ser alterada cuando se transfiere ya sea
hacia dentro o fuera del registro.
 Una unidad de memoria es una colección de registros de
almacenamiento junto con los registros de memoria (circuitos
asociados necesarios para la transferencia de información); la
información se almacena en palabras, y cada palabra se almacena
en un registro de memoria.
 La información transferida a los elementos de salida se toma de los
registros en la unidad de memoria, se manda a los registros
operacionales y el resultado de esto se devuelve a los registros de
memoria.

Propiedades básicas del componente que forma las
celdas binarias en la unidad de memoria:
◦ Propiedad dependiente de dos estados para la representación
binaria.
◦ Ser pequeño en tamaño.
◦ Bajo costo por bit de almacenamiento.
◦ Tiempo de acceso eficaz.
◦ Por ejemplos: Núcleos magnéticos, CI semiconductores y
superficies magnéticas de cintas, tambores y discos.

Una palabra es una entidad de x bits que se mueven hacia
dentro y hacia fuera del almacenamiento como una unidad;
puede representar un operando, una instrucción, o un grupo de
caracteres alfanuméricos o cualquier información codificada
binariamente.

La comunicación entre una unidad de memoria y lo
que la rodea se logra por medio de dos señales:
a) Las señales de control: especifican la dirección de la trasferencia requerida,
cuando una palabra debe ser acumulada en un registro de memoria o cuando
una palabra almacenada previamente debe ser transferida hacia afuera del
registro de memoria.

b) Registros externos: Uno especifica el registro de memoria escogido entre los
miles disponibles; otro especifica la configuración en bits de dicha palabra.

 El registro de direcciones de memoria especifica la palabra de memoria
seleccionada. A cada una se le asigna un número de identificación
comenzando desde 0 hasta el número máximo de palabras disponible,
posteriormente el número de localización o dirección se transfiere al
registro de direcciones.

 Las 2 señales de control aplicadas a la unidad de memoria se llaman lectura
y escritura, cada una es referenciada por la unidad de memoria.
 Los circuitos internos de la memoria aceptan esta dirección del registro y
abren caminos necesarios para seleccionar la palabra.
 Tras aceptar una de las señales, los circuitos de control interno de la unidad
de memoria suministran la función deseada. La información primaria se
destruye cuando se escribe la nueva. La secuencia del control interno en
una memoria de lectura destructible debe proveer señales de control que
puedan causar que la palabra sea restaurada en sus celdas binarias.
 La información transferida hacia dentro y fuera de los registros en la
memoria y al ambiente externo, se comunica a través de un registro
llamado registro separador de memoria (buffer register). Cuando la unidad
de memoria recibe una señal de control de escritura, el control interno
interpreta el contenido del registro separador como la configuración de bits
de la palabra que se va a almacenar en un registro de memoria. Con una
señal de control de lectura, el control interno envía la palabra del registro de
memoria al registro separador.

 La secuencia de operaciones necesarias para comunicarse con la unidad de
memoria para transferir una palabra hacia afuera dirigida al BR es:
1. Transferir los bits de dirección de la palabra seleccionada al AR.
2. Activar la entrada de control de lectura.
 La secuencia de operaciones necesarias para almacenar una nueva
1. Transferir los bits de direcci6n de la palabra seleccionada al MAR.
2. Transferir los bits de datos de la palabra al MBR.
3. Activar la entrada de control de escritura.

Propiedades de la unidad de memoria:
 Construidas con CI semiconductores, retienen la información en el registro de
memoria durante el proceso de lectura de manera que no se produzca pérdida.
 Núcleo magnético, pierde la información binaria almacenada durante el proceso
de lectura, debido a esto debe tener funciones de control adicionales para
reponer la palabra al registro de memoria.

Generalmente una instrucción consta de una parte de operación y una de dirección.
 La parte de dirección contiene la dirección de un operando utilizado en la
ejecución de la instrucción o la dirección donde se encuentra la dirección
del operando; el primer caso la dirección es dirección directa, el segundo
es operación indirecta.
• DIRECTO. La instrucción contiene la dirección de la posición de memoria en la
que está el operando.
• INDIRECTO. Contiene la dirección donde se encuentra la dirección del operando.
• RELATIVO. Contiene el número N. En memoria la dirección del operando se
encuentra sumando el numero N al número del contador del programa.
• INDEXADO. Contiene un número N que puede ser positivo o negativo.
• INMEDIATO. Contiene el mismo operando.

 Modos de acceso
El modo de acceso de un sistema de memoria se determina por el tipo de
componentes usados.
• Memoria de acceso aleatorio, los registros están separados en el espacio, con
cada registro ocupando un lugar espacial particular en una memoria de núcleos
magnéticos.
• Memoria de acceso secuencial, la información almacenada en algún medio no es
accesible inmediatamente pero se obtiene solamente en ciertos intervalos de
tiempo.
 CONCLUSION
El direccionamiento no solamente consta de realizarlo a nivel lógico, para poder lograrlo es
muy importante el tipo de hardware con el que cuenta la maquina y de él depende la
velocidad con que puede realizarse dicha operación.
La asignación de la memoria se considera desde varias perspectivas donde una de ellas es la
Asignación estática la cual se refiere al proceso de asignar memoria en tiempo de
compilación antes de que el programa asociado sea ejecutado, y por otro lado encontramos
la asignación dinámica o la automática donde la memoria es asignada cuando se requiere
en tiempo de ejecución.

 En los PCs actuales la memoria RAM del ordenador se alberga en
módulos, es decir, placas que llevan una cantidad determinada de
chips, dependiendo del tipo de que se trate, y van conectadas a la
placa base.
 Los primeros en utilizarse fueron los SIP (single in line memory
package), que iban conectados por medio de 30 pines finos con un
ancho de 8 bits. Se podían localizar en ordenadores con procesador
Intel 286 y 386.
 A continuación se introdujo el estándar SIMM (single in line
memory module). Dejaron de existir las conexiones por medio de
pines, que eran incómodas y muy delicadas, pasando al
funcionamiento actual por medio de contactos. En su inicio eran
similares en prestaciones a los SIP, y había versiones de 256 kb, 1
mega y 4 megas.

 En las placas posteriores, a partir de las que albergan los procesadores tipo
Intel 80486, el SIMM sufre una modificación, a partir de su introducción en
los IBM PS/2, pasa a tener 72 contactos y funciona a 32 bits, y se
estandariza en este modelo. Los problemas de actualizaciones o
ampliaciones de memoria se hacen menores, pues salen multitud de
tamaños: 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, etc. megas, con lo que la elección y las
posibilidades de combinación de memorias es muy grande.

Las ranuras (slots) donde se introducen físicamente los módulos, están
incluidas en bancos, y se entiende como tal una pareja de ranuras, de tal
forma que la introducción de módulos SIMM en un ordenador siempre se ha
de hacer por pares, un solo módulo sería ignorado, y además, aunque cada
placa base es distinta por completo dependiendo del fabricante (de ahí parte
de la importancia de poseer el manual de especificaciones de la misma)
ambos han de ser del mismo tipo, no sería válida una combinación en un
banco de 3 megas (un modulo de 1 mega y otro de 2).


En la actualidad lo que se suele utilizar son las memorias DIMM
(Double in line memory module) de 168 contactos y 64 bits. Al igual
que las anteriores la gama es tamaños es muy amplia, pero
además, por sí mismas no precisan ninguna combinación, puesto
que ya no han de ser pares, un solo módulo de, por ejemplo, 128
megas, funciona perfectamente. Las estándar de este tipo suelen
ser de 133 mghz, pero las hay más rápidas y que serán
probablemente las estándar de un futuro inmediato, que son las
DDR, incorporadas ya en prácticamente todas las placas gráficas
que precisan velocidad (especialmente para juegos o programas de
diseño).

 En el momento actual, las placas bases normales son las ATX, pero
se precisa que se ajusten al procesador.
 Una placa para Intel no es válida para AMD, por ejemplo. En ellas,
como en muchas de sus antecesoras, es típico encontrar que
existen ranuras tanto de 72 como de 168 contactos, generalmente
en número de 4 y 2 respectivamente, es decir, que se pueden
adaptar ambos tipos, la forma de hacerlo y las combinaciones
posibles, depende de cada placa en concreto.
 Las memorias SIMM, DIMM, DDR y RIMM están enfocadas
principalmente para aumentar la capacidad de memoria en una PC
principalmente en la memoria RAMM, este tipo de memorias son
pequeñas placas de circuitos impresos con varios chips de memoria
integrados. Que se instalan directamente sobre la placa base se
puedan insertar fácilmente; se fabrican con distintas capacidades y
distintas velocidades.
 Esto aumenta considerablemente el proceso de una computadora y
el almacenamiento de la información en la memoria RAMM.

Equivalencia entre Mhz y nanosegundos.

 Hercio (Hz): El hercio es la unidad de frecuencia del Sistema Internacional de Unidades. Proviene
del apellido del físico alemán Heinrich Rudolf Hertz, descubridor de la transmisión de las ondas
electromagnéticas. Su símbolo es Hz.
Un hercio representa un ciclo por cada segundo, entendiendo ciclo como la repetición de un evento. En física, el hercio se
aplica a la medición de la cantidad de veces por segundo que se repite una onda (ya sea sonora o electromagnética),
magnitud denominada frecuencia y que es, en este sentido, la inversa del período

 Megahercio (Mhz): Un Megahercio (MHz) equivale a 106 hercios (1 millón), unidad de medida de
frecuencia (es una medida para indicar el número de repeticiones de cualquier fenómeno o suceso
periódico en una unidad de tiempo). Nanosegundos:
 Un nanosegundo es la milmillonésima parte de un segundo, 10-9. Así, un nanosegundo
es la duración de un ciclo de reloj de un procesador de 1 GHz, y es también el tiempo que
tarda la luz en recorrer aproximadamente 30 cm.
 Se que:
 1 000 000 000 ns = 1 segundo
 1 mhz = 1 000 000 hz
 1 hz = 1 pulso x segundo

Para pasar de Mhz a ns podemos utilizar una sencilla regla:
 1 Mhz = 1.000.000 de ciclos de reloj por segundo.

 1 segundo = 1.000.000.000 de ns.

 Si nuestro módulo de memoria trabaja a 66 Mhz lo multiplicamos por 1.000.0000
para calcular los ciclos de reloj por segundo, en este caso sería 66.000.000.

 Ahora si dividimos los nanosegundos que tiene un segundo entre el número de ciclos
de reloj por segundo que alcanza nuestro módulo de memoria:

 (1.000.000.000 ns por segundo) / (66.000.000 ciclos de reloj por segundo) = 15 ns

En el caso de un módulo de memoria que trabaja a 100 Mhz:

Un último ejemplo, un módulo de memoria de 133 Mhz:

 Las 2 memorias son exactamente iguales, la diferencia radica en la tecnología de la
placa madre que hace que las memorias "carguen juntas" los datos en vez de cada
una por su lado. Aumenta desde luego el rendimiento pero en caso de memorias
del pueblo ni se nota la diferencia.
 Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo
distintos:
Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian
información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es
necesario introducir todos los módulos DIMM en el mismo banco de
slots.
Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los
dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden
intercambiar datos con el bus a través de dos canales simultáneos, uno
para cada banco.
 Dual Channel es una tecnología para memorias que incrementa el rendimiento de estas al
permitir el acceso simultáneo a dos módulos distintos de memoria. Esto se consigue
mediante un segundo controlador de memoria en el NorthBrigde.

 Uno de los casos en los que más se nota este incremento en el rendimiento es
cuando tenemos una tarjeta gráfica integrada en placa base que utilice la memoria
RAM como memoria de vídeo. Con la tecnología Dual Channel la gráfica puede
acceder a un módulo de memoria mientras el sistema accede al otro, pero en
general vamos a notar un incremento en el rendimiento en todas aquellas
aplicaciones que hagan un alto uso de la memoria.
Para que la memoria pueda funcionar en Dual Channel, la placa base debe
soportarlo y además debemos tener dos módulos de memoria exactamente
iguales (Frecuencia, Latencias y Fabricante). Si los módulos no son exactamente
iguales no funcionará el Dual channel, e incluso se pueden dañar los módulos de
memoria.
Dual channel es soportado por memorias DDR, DDR2 o las nuevas DDR3, pero no
es soportado por memorias SDR (las conocidas como SDRAM, aunque las DDR,
DDR2 y DDR3 también son SDRAM).
Normalmente, en las placas que soportan Dual channel, los zócalos de memoria
que forman el Dual channel suelen estar marcados en colores diferenciados,
indicándose en el correspondiente manual cual es el color correspondiente, pero
no hay una regla fija en cuanto a cuales son los zócalos que forman el Dual
channel.
En unas placas pueden ser el zócalo A1 y A2 y en otras el A1 y B1 (o la
denominación que tengan estos según el fabricante).

 Es de suma importancia que los módulos
sean exactamente iguales.
 Esto ha llevado a los principales
fabricantes de memorias a comercializar
pack específicos para Dual channel, en los
que vienen los dos módulos
correspondientes.
 Esto no quiere decir que por fuerza
tengan que ser un pack, sólo eso, que
tienen que ser exactamente iguales. Si
vamos a utilizar un sistema Dual channel
es muy importante que utilicemos
módulos de calidad, olvidándonos de los
módulos genéricos y yendo a módulos de
marca reconocida.

 ¿Con dos memorias DDR-400 en Dual Channel aumenta la velocidad de la
memoria (es decir, si esta pasa a ser 800)?.
 No exactamente, la velocidad de las memorias es la misma. Lo único que
ocurre es que puede acceder a los dos módulos al mismo tiempo, pero a la
velocidad que cada uno de ellos tenga. A lo que afecta es al bus de la
memoria, no a la frecuencia de esta.
 ¿es mejor un sólo módulo de 1GB o dos módulos de 512KB en Dual Channel?.
 En general es mejor dos módulos de 512MB en Dual channel, pero el
incremento en el rendimiento se va a notar en programas que hagan un
acceso grande a memoria y, sobre todo, en sistemas con gráfica integrada o
con algún tipo de gráfica implementada en RAM, como HyperMemory o
TurboCaché.
De todas formas, la diferencia en rendimiento no es espectacular ni mucho
menos. En la práctica el incremento en el rendimiento (y esto depende de
muchos factores) no pasa de un 15%, siendo lo normal que se sitúe entre un
4% y un 10%.

 Dado que el Dual channel se controla mediante un segundo gestor de
memorias en el Northbridge ¿Qué pasa en sistemas basados en AMD, en
los que la memoria es controlada directamente por el procesador? ¿Se
obtiene también un mayor rendimiento?

Para empezar, la memoria en sistemas basados en AMD 64 es superior al de sistemas
basados en Intel, por estar controlado directamente por el procesador y no por el
NorthBridge, pero sí existe un incremento entre utilizar Dual channel o no.

De hecho los procesadores AMD están diseñados para utilizar esta tecnología,
aprovechándola al máximo (los AM2 tienen un ancho de banda en memoria de
128bits), pero si no la utilizan la diferencia en rendimiento es menor que en sistemas
basados en Intel (donde es el Northbridge de la placa base el encargado de gestionar
la memoria).

Un punto a tener en cuenta es que muchas placas base con Dual channel limitan la
configuración de memoria al activarse este, es decir, que si tenemos una placa base
con cuatro zócalos de memoria, en los que en teoría se pueden poner 1, 2, 3 ó 4
módulos, en estas placas las opciones son 1, 2 ó 4 módulos, ya que al activarse el
Dual channel no permite una configuración que ocupe 3 zócalos.

 Una última cuestión: La del precio.

En general, los pack para Dual channel suelen ser más caros que el precio
de dos memorias sueltas de igual capacidad.

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