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Atencia Nevado Rosa Pamela
A temperatura ambiente se
comporta como Aislante pues
debido a la energía térmica
tiene pocos electrones libres y
térmicos.
Es un Semiconductor Purose,
contiene una cantidad mínima
de átomos impuros.
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Al llegar los electrones lires al
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circulan hacie el terinal
positivo de la batería.
Los electrones libres en el terminal negativo de
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cristal, de esta manera entran al cristal y se
combinan con los huecos que llegan al extremo
izquierdo del cristal.
 Se produce un flujo estable de electrones libres
y huecos dentro del semiconductor.


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La generación eléctrica de pares electrón – hueco
se explica de la siguiente manera:
Si un electrón de valencia se convierte en
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al semiconductor, este hueco es ocupado
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dope el semiconductor puros o
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los semiconductores del
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III o del grupo V, Boro, Fósforo,
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Semiconductores Puros Silicio Características

  • 2. A temperatura ambiente se comporta como Aislante pues debido a la energía térmica tiene pocos electrones libres y térmicos. Es un Semiconductor Purose, contiene una cantidad mínima de átomos impuros. n = p =ni http://electronicageneralenet1.blogspot.com/2013/0 5/semiconductor-puro-de-silicio.html
  • 3. Al llegar los electrones lires al extremo derecho del cristal, entran al conductor externo y circulan hacie el terinal positivo de la batería. Los electrones libres en el terminal negativo de la batería fluirán hacie el extremo izquierdo del cristal, de esta manera entran al cristal y se combinan con los huecos que llegan al extremo izquierdo del cristal.  Se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del semiconductor.  http://quintonochea.wikispaces.com/semiconductores1
  • 4. La generación eléctrica de pares electrón – hueco se explica de la siguiente manera: Si un electrón de valencia se convierte en electrón de conducción deja una posición bacante, si se aplica un campo eléctrico al semiconductor, este hueco es ocupado por otro electrón de valencia que deja otro hueco. Este efecto es de una carga +e moviéndose en dirección del campo eléctrico. http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.h tml
  • 5. Consiste en sustituir algunos atomos de silicio por atomos de otros elementos conocidos como impurezas.  Según el tipo de impureza con el que se dope el semiconductor puros o intrinsecos, aparecen 2 tipos de conductores:  Semiconductores Tipo P  Semiconductores Tipo N 
  • 7.  Para los semiconductores del grupo IV como el Germanio, Silicio y Carburo los dopantes mas comunes son elementos del grupo III o del grupo V, Boro, Fósforo, Arsénico, y ocasionalmente el Galio, son utilizados para dopar al silicio. http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(se miconductores)
  • 8.  El dopaje tipo P, se crean agujeros mediante la incorporación en caso del silicio de átomos con 3 electrones de valencia, por lo general se utiliza el Boro. http://www.textoscientificos .com/energia/celulas