2. A temperatura ambiente se
comporta como Aislante pues
debido a la energía térmica
tiene pocos electrones libres y
térmicos.
Es un Semiconductor Purose,
contiene una cantidad mínima
de átomos impuros.
n = p =ni
http://electronicageneralenet1.blogspot.com/2013/0
5/semiconductor-puro-de-silicio.html
3. Al llegar los electrones lires al
extremo derecho del cristal,
entran al conductor externo y
circulan hacie el terinal
positivo de la batería.
Los electrones libres en el terminal negativo de
la batería fluirán hacie el extremo izquierdo del
cristal, de esta manera entran al cristal y se
combinan con los huecos que llegan al extremo
izquierdo del cristal.
Se produce un flujo estable de electrones libres
y huecos dentro del semiconductor.
http://quintonochea.wikispaces.com/semiconductores1
4. La generación eléctrica de pares electrón – hueco
se explica de la siguiente manera:
Si un electrón de valencia se convierte en
electrón de conducción deja una posición
bacante, si se aplica un campo eléctrico
al semiconductor, este hueco es ocupado
por otro electrón de valencia que deja
otro hueco.
Este efecto es de una carga +e
moviéndose en dirección del campo
eléctrico.
http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.h
tml
5. Consiste en sustituir algunos atomos de
silicio por atomos de otros elementos
conocidos como impurezas.
Según el tipo de impureza con el que se
dope el semiconductor puros o
intrinsecos, aparecen 2 tipos de
conductores:
Semiconductores Tipo P
Semiconductores Tipo N
7. Para
los semiconductores del
grupo IV como el Germanio, Silicio
y Carburo los dopantes mas
comunes son elementos del grupo
III o del grupo V, Boro, Fósforo,
Arsénico, y ocasionalmente el
Galio, son utilizados para dopar al
silicio.
http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(se
miconductores)
8. El
dopaje tipo P, se crean
agujeros mediante la
incorporación en caso del
silicio de átomos con 3
electrones de valencia,
por lo general se utiliza el
Boro.
http://www.textoscientificos
.com/energia/celulas