1. La memoria RAM permite acceso aleatorio a los datos con velocidades de lectura y escritura similares pero los datos se pierden al cortar la energía. 2. La memoria ROM viene programada de fábrica y no se puede modificar. 3. La memoria PROM puede programarse una sola vez y luego los datos no se pueden cambiar.
2. Concepto general
Una memoria es un dispositivo capaz de
almacenar información (en forma binaria).
Etiqueta
(Dirección)
Información
(Datos)
Cajón
(Localidad
de Memoria)
4. Tiempo de lectura / Escritura
Es el que transcurre entre la aplicación de la orden de lectura o escritura y el
momento en que la información está disponible en la salida.
Cadencia de transferencia
Es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o
escritura (Bits por segundo).
Densidad de información
Es el número de informaciones por unidad de volumen físico.
Volatilidad
Es el defecto de una memoria que pierde la información almacenada, si se
produce un corte de alimentación.
Capacidad
Es el número de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se
denomina también volumen. Por ejemplo, una memoria tiene una capacidad de
8n bits, que en otras palabras representa n bytes. Regularmente estas memorias
en la actualidad se consiguen en tamaños del orden megabytes.
5. CLASIFICACIÓN DE LAS MEMORIAS
MEMORIAS
Magnéticas
Disco Cinta
Ópticas Semiconductoras
Acceso
secuencial
Registro de
Desplazamiento
Acoplamiento por
Carga
CCD
LIFO
FIFO
Acceso
Aleatorio
RAM
SRAM DRAM FLASH
ROM
ROM PROM EPROM
EEPROM UVEPROM
9. Operaciones de una memoria
Escritura: Introducir información en una posición
determinada de la memoria
Lectura: Obtener información existente en una
posición determinada de la memoria
Direccionar: Establecer la localidad de memoria en la
que se va a trabajar
10. Capacidad de una memoria
Capacidad de Memoria = Ancho de Bus de datos x Espacio de Direccionamiento.
12. Una memoria CCD, dispositivo de acoplamiento por carga, almacena los datos como cargas de condensador, sin embargo a
diferencia de una RAM dinámica, la celda de almacenamiento no incluye transistor, la ventaja de estas memorias es su alta
densidad. La memoria CCD está formada por largas filas de condensadores semiconductores, denominados canales. Donde las
matrices CCD se utilizan en algunas cámaras digitales para captura de imágenes de video en forma de luz inducida. Opera
almacenando y transfiriendo portadores minoritarios de un semiconductor. Métodos de Inyección de electrones.
FIFO (First in-first out)
Primero en entrar - primero en salir, es decir, es lo que se llama una fila de espera. El término LIFO se utiliza en estructuras de datos
y teoría de colas. Guarda analogía con una pila de platos, en la que los platos van poniéndose uno sobre el otro, y si se quiere sacar
uno, se saca primero el último que se puso. LIFO es el algoritmo utilizado para implementar pilas.
Ej. Las personas que esperan en una cola y van siendo atendidas en el orden en que llegaron, es decir, que la primera persona que
entra es la primera persona que sale.
LIFO (Last in-first out)
La última información introducida en la memoria es la primera en extraerse, es lo que se llama una pila o apilamiento. FIFO se
utiliza en estructuras de datos para implementar colas. La implementación puede efectuarse con ayuda de vectores, o bien mediante
el uso de punteros y asignación dinámica de memoria.
Si se implementa mediante vectores el número máximo de elementos que puede almacenar está limitado al que se haya establecido en
el código del programa antes de la compilación (cola estática) o durante su ejecución (cola pseudoestática ó dinámica). Sea cual sea
la opción elegida, el número de elementos que podrá almacenar la cola quedará determinado durante toda la ejecución del
programa. Así, el sistema debe reservar el tamaño de memoria necesario para acoger todos los datos, sea cual sea el número de
elementos usados.
Ej. En Microsoft Word para abrir los trabajos el primero que sale es el ultimo que se abrió.
13. 1. Memoria RAM:
Random Access Memory, o memoria de acceso aleatorio sus velocidades de lectura y escritura son muy
similares, son utilizadas en proceso de alta velocidad donde los datos pueden perderse al momento de
cortar la energía
2. Memoria ROM:
Read Only Memory, Memoria de solo lectura. Esta memoria viene ya grabada de fábrica y no puedes
modificar su programación
3. Memoria PROM:
Programable ROM, memoria programable. Conocida igual como OTP( one time programable) o
memoria de una sola programación. Una vez grabada ya no se puede modificar.
4. Memoria EPROM:
Erasable PROM, memoria borrable. Solo pueden programarse si se les borra antes exponiéndolas
durante cierto tiempo a la luz ultravioleta. Esto introduce voltaje a las celdas para que después puedan
ser grabadas.
5. Memoria EEPROM:
electricos EPROM, memoria borrable electrónicamente. Esta memoria puede ser borrada por medios
electrónicos a través de una terminal conocida como Vpp. Los voltajes de borrado son de aprox 13v.
6. Memoria FLASH:
Es igual que una EEPROM su diferencia radica en la velocidad de grabado de los datos, además que el
voltaje usado para borrar es de 5v o 3.3v dependiendo de la memoria. Es la más usada actualmente y
existe un sin número de variantes
