1. SILICIO Y

2. SILICIO
 Elemento químico
metaloide.
 Número atómico 14.
 Segundo elemento
más abundante de
la corteza terrestre.
 Se presenta en
forma amorfa y
cristalizada.

3. CARACTERÍSTICAS
Punto de fusión: 1.411°C
Punto de ebullición: 2.355°C
Densidad: 2,33 g/ml

4. ESTRUCTURA
 Presenta enlace
covalente.

5. APLICACIONES
 Se utiliza en:
 Aleaciones.
 Preparación de
siliconas.
 En la industria de
cerámica técnica.
 En la industria
electrónica.
 Etc.

6. ABUNDANCIA Y
OBTENCIÓN
 Representa la
cuarta parte de la
corteza terrestre.
 Principal
componente de
aerolitos.
 No se encuentra en
estado nativo.

7. MÉTODOS FÍSICOS Y
QUÍMICOS DE
PURIFICACIÓN DE SILICIO
 FÍSICO:
 Se basa en la mayor
solubilidad de las
impurezas en el
silicio líquido.
 QUÍMICO:
 Actúan sobre un
compuesto de silicio
que sea más fácil de
purificar.

8. Precauciones
 La inhalación de
sílice cristalina
puede provocar
silicosis.

9. CHIPS
 Circuito electrónico
en miniatura, de
material
semiconductor.
 Construido sobre un
soporte de silicio.

10. DEFINICIÓN
 Pastilla o chip muy
delgado.
 Posee millones de
dispositivos
electrónicos
interconectados.
 Área: 1 cm2

11. INVENTOR
 El primer CI fue
desarrollado por
Jack Kilby en 1958.

12. TIPOS
 Circuitos
monolíticos.
 Circuitos híbridos de
capa fina.
 Circuitos híbridos de
capa gruesa.

13. CLASIFICACIÓN
 En cuanto a
funciones
integradas:
 Circuitos integrados
analógicos.
 Circuitos integrados
digitales.
 En cuanto a nivel de
integración:
 SSI
 MSI
 LSI
 VLSI
 ULSI
 GLSI

14. APLICACIONES
 Algunos son
microprocesadores,
controlando
electrodomésticos, e
ntre otros.

15. VENTAJAS
 Menor peso.
 Mayor velocidad de
respuesta.
 Bajo precio.
 Bajo consumo de
energía.

16. DESVENTAJAS
 Su reparación en
inviable.

17. FABRICACIÓN
 Exposición
 Fotolitografía
 Implantación de iones
 División
 Empaquetado