Palestra realizada no dia 1 de junho de 2011 na UCS para um público de cerca de 50 pessoas, no contexto da Semana Acadêmica do CCET. Organização: Instituto Nacional de Engenharia de Superfícies e Curso de Engenharia de Materiais da UCS.

2. Metalurgia

13. metro

16. Eletrodo de alta tensão Linhas de campo Eletrodo aterrado Concentração de elétrons ③ Fase de formação da baínhacatódica ① Fase de Towsend Canal de descarga Carga de superfície ② Fase de ionização ou streamer ④ Fase de extinção

24. Medidor de pressão Gerador de microondas 300W Surfaguide Sistema de aquecimento Folha de cobre TudoemQuartzo Tuboem Pyrex Fluxímetros Pressão: ~ 5 mbar N2 H2 O2 Borbulhador de APTMS Bomba de vácuo

27. Fluxo de H2: entre 20 e 100 sccm

28. Potência: 200 W

29. Pressão: 1.8 mbar

30. Tempo de tratamento: 1 min

32. Fluxo de gásportador de APTMS: 2 slm de N2

33. Potência: 200 W

34. Pressão: 5 mbar

35. Tempo de tratamento: 2 min

38. Fluxo de O2: 100 sccm

39. Potência: 200 W

40. Pressão: 1.8 mbar

41. Tempo de tratamento: 1 min

43. Fluxo de gásportador de APTMS: 2 slm de N2

44. Potência: 200 W

45. Pressão: 5 mbar

46. Tempo de tratamento: 2 min

52. Pré-tratamento: Tratamento APTMS: N2 + O2 N2 + APTMS Tratamento a 70°C: Peel-test 70°C Epóxi Força de pelagem (N.mm-1) Revestimento ? Ruptura interfacial oucoesiva 25°C Revestimento Cobre Distância de pelagem (mm)

54. Fluxo de O2: 100 sccm

55. Fluxo de gásportador de APTMS: 2 slm de N2

56. Potência: 200 W

57. Pressão: 5.1 mbar

58. Tempo de tratamento: 2 min

60. Fluxo de O2: 100 sccm

61. Potência: 200 W

62. Pressão: 1.8 mbar

63. Tempo de tratamento: 1 min

65. Tratamento 1: (N2 + H2) + N2 + APTMS (0.1 N.mm-1) Tratamento 2: (N2 + O2) + N2 + APTMS (0.65 N.mm-1) Tratamento 3: (N2 + O2) + N2 + APTMS + O2(1.1 N.mm-1)

66. Perfilemprofundidadeusando XAES Revestimento Cobre (PVD) Wafer de silício

67. XPS(X-rayphotoelectronspectroscopy) Níveis específicos de energia do elemento Raio-X Fotoelétron Energia de Ligação (eV) Raio-X Fotoelétron Intensidade XAES(X-rayexcitedAugerelectronspect.) Elétron Auger-KLL Elétron excitado pelos raios-X Energia Cinética (eV) Níveis específicos de energia do elemento

68. Perfilemprofundidadeusando XAES Revestimento Cobre (PVD) Wafer de silício

69. Tratamento 1: (N2 + H2) + N2 + APTMS (0.1 N.mm-1)

70. Revestimento Tratamento 1: (N2 + H2) + N2 + APTMS (0.1 N.mm-1) C-X Presença de carbono = baixaadesãorevestimento/substrato? Cobre

71. Tratamento 2: (N2 + O2) + N2 + APTMS (0.65 N.mm-1)

72. Revestimento Revestimento Tratamento 2: (N2 + O2) + N2 + APTMS (0.65 N.mm-1) Ausência de carbonona interface = boa adesãorevestimento/substrato? Revestimento Cobre

73. Tratamento 3: (N2 + O2) + N2 + APTMS + O2(1.1 N.mm-1)

74. Contaminação de superfície: C-X Cobre Limpezadafolha de cobre: COx Cobre

75. Contaminação de superfície: C-X Copper Limpeza+ oxidaçãodafolha de cobre: COx Cu-O-Si… Responsávelpela boa adesão com o APTMS? Óxido de Cobre Cobre

76. Cu + N2+O2 plasma Cu decapadoem 5% H2SO4 Satélite Cu2+ Intensidade (u.a.) Intensidade (u.a.) Formação de CuO Energia de ligação (eV) Energia de ligação (eV)

77. Tratamento 3: (N2 + O2) + N2 + APTMS + O2(1.1 N.mm-1)

78. Tratamento 3: (N2 + O2) + N2 + APTMS + O2(1.1 N.mm-1) Cu 2p Aparentemente o óxidofoireduzidopelo precursor! CuOnão é observado! Satélite Cu2+ Intensity (a.u.) Cobre Revestimento Binding energy (eV)

80. (N2 + H2) + N2 + APTMS = 1% at. F Tratamento 1: (N2 + O2) + N2 + APTMS = 1% at. F Tratamento 2: (N2 + O2) + N2 + APTMS + O2 = 0% at. F Tratamento 3:

82. (N2 + H2) + N2 + APTMS = 1.7% at. F Tratamento 1: (N2 + O2) + N2 + APTMS = 1.6% at. F Tratamento 2: (N2 + O2) + N2 + APTMS + O2 = 1.4% at. F Tratamento 3:

85. DBD Convencional =1 N.mm-1 Tocha DBD =0.95 N.mm-1

87. DBD Convencional =1 N.mm-1 Tocha DBD =0.95 N.mm-1